公开(公告)号：CN116565031A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202310213025.9

申请日：2023-03-06

Applicant: 浙江珏芯微电子有限公司

Inventor： 谭必松 ,  龚汉红 ,  陈世锐 ,  程佩琪 ,  李克俊 ,  林欢欢 ,  毛剑宏

IPC: H01L31/02 ,  H01L31/103 ,  H01L27/144

Abstract: 本发明提供了一种消除电位偏置效应的超大面阵红外探测器，包括：碲镉汞薄膜，碲镉汞薄膜分为第一离子区和多个间隔的第二离子区，第一离子区和多个第二离子区分别形成多个PN结；多个间隔的电极层，均位于碲镉汞薄膜的背面，电极层与第二离子区接触，并且每个第二离子区均与一个电极层接触；多个钝化层，均位于碲镉汞薄膜的背面，每相邻两个电极层之间均设置一个钝化层；读出电路，通过多个铟柱与所有电极层均连通；导电膜，位于所有碲镉汞薄膜的正面；公共电极，与读出电路均电连接。在大面阵芯片中，本发明消除了边缘像元的开启电压与中心区域像元的开启电压之间的差异，从而使得边缘像元和中心区域像元实现了同步开启。

公开(公告)号：CN119716481A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411903958.1

申请日：2024-12-23

Applicant: 浙江珏芯微电子有限公司

Inventor： 程佩琪 ,  周婉丽 ,  陈路 ,  李伟伟 ,  谭必松 ,  毛剑宏

IPC: G01R31/28 ,  G01J5/90

Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞红外探测器芯片的监测方法，属于红外探测器技术领域，该碲镉汞红外探测器芯片的监测方法，包括提供待测芯片；将所述待测芯片在HCl溶液中腐蚀，以去除其上的覆盖层；使用氢溴酸和溴以一定比例配置溶液，浸泡所述待测芯片，以去除碲镉汞材料层，所述覆盖层的材质为硫化锌。通过HCl溶液腐蚀去除待测芯片表面的覆盖层，再去除待测芯片中的碲镉汞材料层，不仅避免强烈冲击使得底充胶层气泡造成待测芯片裂片，并且在浸泡去除各材料层时，底充胶层不会受到损坏，可直接观察填胶气泡的自然情况。