-
公开(公告)号：CN118472106A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410590434.5
申请日：2024-05-13
申请人： 浙江珏芯微电子有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/108
摘要： 本发明涉及集成电路制造技术领域，具体公开一种基于肖特基结的制冷红外焦平面探测器及其制备方法及产品，该方法包括：提供碲镉汞基底，其包括碲镉汞衬底及碲镉汞衬底上的P型碲镉汞外延层；在所述P型碲镉汞外延层上形成钝化层；在所述钝化层中形成通孔，通孔暴露底部P型碲镉汞外延层表面；在所述通孔内生长金属，金属和P型碲镉汞外延层构成肖特基二极管。本发明通过用P型碲镉汞外延层与金属之间的肖特基结代替制冷红外探测器的PN结，省去了注入形成PN结的工艺过程，大大缩短了制冷红外焦平面探测器的制备周期，降低了制备成本，提升了制备效率。
-
公开(公告)号：CN118983375A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411471167.6
申请日：2024-10-22
申请人： 浙江珏芯微电子有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216
摘要： 本发明公开了一种碲镉汞红外探测器芯片的制备方法，包括步骤：提供衬底，其包括光电材料层；在光电材料层上依次形成钝化层和介质层；刻蚀所述介质层形成第一通孔，暴露出所述钝化层；刻蚀所述第一通孔中的钝化层形成第二通孔，暴露出所述光电材料层；在所述衬底的光电材料层一侧形成金属层，覆盖所述介质层、第一通孔内的钝化层及第二通孔内的光电材料层；刻蚀所述金属层形成图像化的金属电极；去除所述介质层，形成所述碲镉汞红外探测器芯片。本公开提供的红外探测芯片的制备方法，可以有效避免光刻胶膜在金属表面残留以及溶液跟金属发生反应，在后面的制备过程中也降低了钝化层漏电的风险，可以大大提升金属层的导电性效果。
-
公开(公告)号：CN117038790A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311020976.0
申请日：2023-08-14
申请人： 浙江珏芯微电子有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/02 , H01L31/0224
摘要： 本发明提供了一种碲镉汞红外探测器的制备方法，包括：提供碲镉汞半导体基底；在碲镉汞半导体基底的表面形成第一钝化层；在第一钝化层上形成网格形式的金属层，金属层的网格内露出第一钝化层的表面；在第一钝化层和金属层上均形成第二钝化层；依次刻蚀第二钝化层和第一钝化层，以形成贯穿第二钝化层和第一钝化层的通孔，通孔内露出碲镉汞半导体基底的表面，通孔位于金属层的网格内；依次在通孔内形成金属电极和铟柱，金属电极将铟柱和碲镉汞半导体基底与第一钝化层以及第二钝化层均隔开；将金属层与提供偏压的电源连通，以消除所述第一钝化层和第二钝化层带有的电荷。本发明解决了像元之间出现漏电的问题，提高了探测器成像性能。
-
公开(公告)号：CN116799076A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202311007631.1
申请日：2023-08-10
申请人： 浙江珏芯微电子有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/102 , H01L31/18
摘要： 本发明提供了一种碲镉汞红外探测器的形成方法，包括：提供碲镉汞半导体基底；去除碲镉汞半导体基底表面自然氧化形成的氧化层；在碲镉汞半导体基底的表面形成光刻胶层；光刻光刻胶层，使得剩余的光刻胶层为多个大小和形状均相同的点阵形状；在光刻胶层未覆盖的碲镉汞半导体基底的表面和光刻胶层的表面均形成钝化层；去除光刻胶层以及光刻胶层的表面的钝化层，以在钝化层内形成开孔。本发明线通过图案化的光刻胶定义开孔的位置和形状，再在图案化的光刻胶层未覆盖的碲镉汞半导体基底的表面形成钝化层。在钝化层中形成了比较一致的多个开孔，没有腐蚀过多的钝化层，使得开孔之间的钝化层的横截面面积达标，减小了钝化层的表面出现漏电的几率。
-
公开(公告)号：CN116103627A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310152332.0
申请日：2023-02-14
申请人： 浙江珏芯微电子有限公司
摘要： 本发明提供一种提高红外晶片表面薄膜洁净度的沉积方法，沉积方法包括：提供基片台及至少两个固定单元，基片台包括铁磁性材质，固定单元设有至少一吸附面及至少一固定面，固定面与吸附面的夹角大于或等于90°，吸附面包括磁体材质；提供红外晶片，呈多边形状且置于基片台上，至少两个固定单元的固定面与红外晶片的至少两个端面相接触并利用吸附面将红外晶片吸附固定于基片台上；执行吹扫；移至沉积设备内执行沉积工艺。本发明中，采用基片台与吸附面之间的磁性吸附进行固定，不仅固定操作较为方便快捷且便于批量加工，其固定较为稳定，而且在固定过程及镀膜过程中可避免在沉积薄膜过程中引入杂质影响红外晶片表面薄膜洁净度。
-
公开(公告)号：CN118116944A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410284921.9
申请日：2024-03-13
申请人： 浙江珏芯微电子有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明公开了一种制冷红外探测器及其芯片的制造方法，属于半导体技术领域，该制冷红外探测器芯片的制造方法，包括以下步骤：提供一芯片，所述芯片上形成有若干铟柱，所述芯片为用于形成所述制冷红外探测器的器件芯片或读出电路芯片；在载体上形成光刻胶层，将所述载体具有光刻胶层的一侧设置在所述铟柱上进行压焊；去除所述光刻胶层，并移除所述载体。通过在载体上涂覆光刻胶，形成光刻胶层形成平整的表面，再将载体和芯片进行压焊，控制压焊的压力和时长，能够将高度不同的铟柱挤压到同一高度平面，进而提高铟柱的均匀性。
-
公开(公告)号：CN117747704A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311772660.7
申请日：2023-12-21
申请人： 浙江珏芯微电子有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , C23C14/06 , C23C14/58 , H01L21/465
摘要： 本申请公开一种快速改变红外器件表面CdTe薄膜形貌的反应液，包括：作为溶剂的水、以及H2O2，H2O2的浓度为：10％‑80％，本发明，可以得到CdTe薄膜表面形貌高度均匀，易控制，并且所需反应液易配置，简单易得；所用方法简便，易于操作。
-
公开(公告)号：CN116565031A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310213025.9
申请日：2023-03-06
申请人： 浙江珏芯微电子有限公司
IPC分类号： H01L31/02 , H01L31/103 , H01L27/144
摘要： 本发明提供了一种消除电位偏置效应的超大面阵红外探测器，包括：碲镉汞薄膜，碲镉汞薄膜分为第一离子区和多个间隔的第二离子区，第一离子区和多个第二离子区分别形成多个PN结；多个间隔的电极层，均位于碲镉汞薄膜的背面，电极层与第二离子区接触，并且每个第二离子区均与一个电极层接触；多个钝化层，均位于碲镉汞薄膜的背面，每相邻两个电极层之间均设置一个钝化层；读出电路，通过多个铟柱与所有电极层均连通；导电膜，位于所有碲镉汞薄膜的正面；公共电极，与读出电路均电连接。在大面阵芯片中，本发明消除了边缘像元的开启电压与中心区域像元的开启电压之间的差异，从而使得边缘像元和中心区域像元实现了同步开启。
-
公开(公告)号：CN114300582A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111664539.3
申请日：2021-12-31
申请人： 浙江珏芯微电子有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0236
摘要： 本发明提供了一种可有效避免碲镉汞红外探测器芯片边角裂纹的方法，包括如下步骤：S1：对碲镉汞芯片的正面和/或背面进行接近式光刻，使碲镉汞芯片的正面和/或背面周边产生至少一圈边框图形，边框图形位于芯片有效成像区域的外周并与芯片有效成像区域之间留有间距；S2：将光刻后的碲镉汞芯片通过湿法腐蚀的工艺手段，使步骤S1中的边框图形转移至碲镉汞芯片的正面和/或背面，将碲镉汞芯片正面和/或背面中位于芯片有效成像区域周围的碲镉汞材料进行腐蚀并在边框图形位置形成凹槽；S3：凹槽腐蚀完毕，清洗后将碲镉汞芯片进行下一步芯片工序。该方法可使划片时崩边产生的裂纹隐患阻隔在碲镉汞芯片的芯片有效成像区域外，提升了碲镉汞芯片制备的合格率。
-
公开(公告)号：CN118915392A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410952132.8
申请日：2024-07-16
申请人： 浙江珏芯微电子有限公司
摘要： 本发明提供了一种改善光刻曝光均匀性的方法，属于制冷红外探测器领域。该改善光刻曝光均匀性的方法包括提供一基板，所述基板具有第一端部和第二端部，将所述基板的第一端部做倒角处理，以在所述第一端部形成倒角部。将具有倒角部的基板涂布光刻胶，并将所述光刻胶固化。将固化之后的光刻胶进行曝光，以得到目标图形。本发明通过基板的第一端部做倒角处理，在第一端部形成倒角部。当后续对基板进行涂布光刻胶、对光刻胶进行固化之后，再通过接触式曝光的方式进行曝光，可以避免在光刻版与光刻胶之间存在间隙，使得光刻版与光刻胶紧密贴合。提高了曝光图形的分辨率，也提高了图形效果。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
12 条记录 (耗时 0.027 秒)
