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公开(公告)号：CN118983375B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411471167.6
申请日：2024-10-22
Applicant: 浙江珏芯微电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞红外探测器芯片的制备方法，包括步骤：提供衬底，其包括光电材料层；在光电材料层上依次形成钝化层和介质层；刻蚀所述介质层形成第一通孔，暴露出所述钝化层；刻蚀所述第一通孔中的钝化层形成第二通孔，暴露出所述光电材料层；在所述衬底的光电材料层一侧形成金属层，覆盖所述介质层、第一通孔内的钝化层及第二通孔内的光电材料层；刻蚀所述金属层形成图像化的金属电极；去除所述介质层，形成所述碲镉汞红外探测器芯片。本公开提供的红外探测芯片的制备方法，可以有效避免光刻胶膜在金属表面残留以及溶液跟金属发生反应，在后面的制备过程中也降低了钝化层漏电的风险，可以大大提升金属层的导电性效果。
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公开(公告)号：CN116238053A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310253513.2
申请日：2023-03-09
Applicant: 浙江珏芯微电子有限公司
IPC: B28D5/00 , H01L31/101 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种碲镉汞红外探测器芯片的分割方法，包括：使用保护层保护芯片区域，腐蚀去除切割道区域的钝化层和碲镉汞层，在所述切割道区域形成切割槽，所述切割槽内露出碲锌镉层的表面；从所述切割槽切割所述碲锌镉层。本发明在切割碲锌镉层之前，将碲镉汞层腐蚀掉，再切割碲锌镉层，减少了切割时的应力，从而减少了碲镉汞红外探测器芯片损坏的几率。
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公开(公告)号：CN119795401A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510243405.6
申请日：2025-03-03
Applicant: 浙江珏芯微电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种半导体晶圆的切割方法，包括步骤：提供晶圆，所述晶圆包含多个碲镉汞芯片；使用第一划片刀，对所述多个碲镉汞芯片之间的间隙进行第一次划切，形成第一线槽；使用第二划片刀沿所述第一线槽进行第二次划切，形成第二线槽，所述第二线槽的宽度小于第一线槽宽度，第二线槽深度与第一线槽深度之和小于晶圆厚度；对所述第二线槽处的晶圆进行湿法刻蚀，使得所述多个碲镉汞芯片一一分离。本发明提供的半导体晶圆的切割方法，通过多次划切后湿法刻蚀断开，明显改善了划片崩边及裂纹的问题，大大提升了红外探测芯片的性能。
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公开(公告)号：CN118915392A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410952132.8
申请日：2024-07-16
Applicant: 浙江珏芯微电子有限公司
Abstract: 本发明提供了一种改善光刻曝光均匀性的方法，属于制冷红外探测器领域。该改善光刻曝光均匀性的方法包括提供一基板，所述基板具有第一端部和第二端部，将所述基板的第一端部做倒角处理，以在所述第一端部形成倒角部。将具有倒角部的基板涂布光刻胶，并将所述光刻胶固化。将固化之后的光刻胶进行曝光，以得到目标图形。本发明通过基板的第一端部做倒角处理，在第一端部形成倒角部。当后续对基板进行涂布光刻胶、对光刻胶进行固化之后，再通过接触式曝光的方式进行曝光，可以避免在光刻版与光刻胶之间存在间隙，使得光刻版与光刻胶紧密贴合。提高了曝光图形的分辨率，也提高了图形效果。
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公开(公告)号：CN116913936A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202311038571.X
申请日：2023-08-16
Applicant: 浙江珏芯微电子有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种制冷红外探测器及其铟柱制备方法，属于半导体制造技术领域，该制冷红外探测器的铟柱制备方法，包括提供一待互连的第一芯片，第一芯片为制冷红外探测器的器件芯片或制冷红外探测器的读出电路芯片；在第一芯片上淀积介质材料，用以形成第一铟柱，第一铟柱包括：第一柱段，第一柱段具有预设高度，第一柱段的底部连接于第一芯片表面上；第二柱段，第二柱段的底部与第一柱段的顶部相连，第一柱段和第二柱段均为顶部横截面积小于底部横截面积的圆台状结构，第二柱段的底部横截面积不大于第一柱段的顶部横截面积。通过第一铟柱上的第一柱段和第二柱段，避免因对准误差带来的侧滑，也很好地控制了碲镉汞芯片与硅电路芯片之间的间距。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118983327A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411471166.1
申请日：2024-10-22
Applicant: 浙江珏芯微电子有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种制冷红外探测器的制备方法，包括以下步骤：提供器件芯片，所述器件芯片包括衬底、过渡层、外延层的叠层结构；在所述器件芯片的外延层上形成第一金属电极；在所述第一金属电极上形成第一铟柱；提供读出电路芯片，在所述读出电路芯片上形成第二金属电极；在所述第二金属电极上形成第二铟柱；将所述第一铟柱柱与所述第二铟柱倒焊互连；在所述器件芯片与所述读出电路芯片之间的互连铟柱周围的区域填充固化胶；去除器件芯片的衬底；去除器件芯片的过渡层。本发明提供的制冷红外探测器的制备方法，通过去除过渡层，降低组分梯度，进而解决了击破曲线上展宽变宽的问题。
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公开(公告)号：CN117976772A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410171969.9
申请日：2024-02-06
Applicant: 浙江珏芯微电子有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/0296 , H01L31/102 , H01L21/463
Abstract: 本发明提供一种制冷红外芯片的制作方法，包括步骤：将碲锌镉晶圆作为衬底；在碲锌镉衬底上依次生长碲镉汞与钝化层；在芯片顶部匀上光刻胶；对碲锌镉衬底进行减薄；去除光刻胶并进行清洗。本发明通过对碲锌镉衬底进行减薄，减小了填胶烘烤产生的热应力，降低了铟柱因为应力而导致脱落或断裂的可能。
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公开(公告)号：CN119716481A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411903958.1
申请日：2024-12-23
Applicant: 浙江珏芯微电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞红外探测器芯片的监测方法，属于红外探测器技术领域，该碲镉汞红外探测器芯片的监测方法，包括提供待测芯片；将所述待测芯片在HCl溶液中腐蚀，以去除其上的覆盖层；使用氢溴酸和溴以一定比例配置溶液，浸泡所述待测芯片，以去除碲镉汞材料层，所述覆盖层的材质为硫化锌。通过HCl溶液腐蚀去除待测芯片表面的覆盖层，再去除待测芯片中的碲镉汞材料层，不仅避免强烈冲击使得底充胶层气泡造成待测芯片裂片，并且在浸泡去除各材料层时，底充胶层不会受到损坏，可直接观察填胶气泡的自然情况。
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公开(公告)号：CN118983375A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411471167.6
申请日：2024-10-22
Applicant: 浙江珏芯微电子有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞红外探测器芯片的制备方法，包括步骤：提供衬底，其包括光电材料层；在光电材料层上依次形成钝化层和介质层；刻蚀所述介质层形成第一通孔，暴露出所述钝化层；刻蚀所述第一通孔中的钝化层形成第二通孔，暴露出所述光电材料层；在所述衬底的光电材料层一侧形成金属层，覆盖所述介质层、第一通孔内的钝化层及第二通孔内的光电材料层；刻蚀所述金属层形成图像化的金属电极；去除所述介质层，形成所述碲镉汞红外探测器芯片。本公开提供的红外探测芯片的制备方法，可以有效避免光刻胶膜在金属表面残留以及溶液跟金属发生反应，在后面的制备过程中也降低了钝化层漏电的风险，可以大大提升金属层的导电性效果。
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公开(公告)号：CN118248788A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410414257.5
申请日：2024-04-08
Applicant: 浙江珏芯微电子有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/02 , H01L31/0296 , H01L31/101
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞红外探测器及其芯片制造方法，属于半导体技术领域，该碲镉汞红外探测器的芯片制造方法，包括以下步骤：提供第一衬底，所述第一衬底上设有金属电极；在所述第一衬底的表面形成第二钝化层，所述第二钝化层上具有开口，以暴露出所述金属电极；在所述开口中淀积铟金属，形成凹形的铟底座。通过生长第二钝化层，并在第二钝化层上形成开口，在开口中形成凹形的铟底座，在倒焊过程中防止铟柱侧滑。通过改变开口的直径大小和形状，可以得到所需的开口直径大小和形状，进而获得对应的铟底座。
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