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公开(公告)号：CN101132045A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200710146678.0
申请日：2007-08-24
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/34 , H01L33/025 , H01L33/343
Abstract: 本发明涉及一种半导体元件，其具备：第1导电型的硅基板(2a)，具有第1面(S1a)和第2面(S2a)；第2导电型的硅层(4a)，设置在硅基板(2a)的第1面(S1a)上，并具有位于和硅基板(2a)相接合的面的相对侧的第3面(S3a)；第1电极(12a)，设置在第2面(S2a)上；第2电极(14a)，设置在第3面(S3a)上；氩添加区域(6a)，形成在由硅基板(2a)以及硅层(4a)构成的半导体区域中；其中，氩添加区域(6a)包括氩浓度显示为1×1018cm－3以上、2×1020cm－3以下的区域。
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公开(公告)号：CN103502391B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201280020390.8
申请日：2012-04-24
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: F21K2/00 , C09K11/7766 , H01J63/04 , H01J63/06
Abstract: 本发明提供一种紫外光产生用靶（20），具备：由蓝宝石、石英或水晶构成的基板（21）、以及设置在基板（21）上并接受电子射线而产生紫外光的Pr︰LuAG多晶膜（22）。通过将Pr︰LuAG多晶膜用作靶，与使用Pr︰LuAG单晶膜的情况相比能够更显著地提高紫外光产生效率。
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公开(公告)号：CN100364118C
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN03820182.8
申请日：2003-08-28
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0004 , H01L33/40
Abstract: 发光元件(10)具有：设在Si基板(1)的表面上的β-FeSi2膜(2)，设在Si基板(1)的背面侧的第一电极(3)，和设在β-FeSi2膜(2)的表面侧的第二电极(4)。β-FeSi2膜(2)具有与Si基板(1)不同的导电类型。在Si基板(1)与β-FeSi2膜(2)之间形成pn结。β-FeSi2膜(2)作为发光层发挥功能。其发光特性不受基板的种类或纯度的影响。
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公开(公告)号：CN103502392A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201280020466.7
申请日：2012-04-24
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J63/02 , C09K11/7774 , G01J1/429 , G01N21/64 , H01J29/20 , H01J63/04 , H01J63/06
Abstract: 紫外光产生用靶（20），具备：由蓝宝石、石英或水晶构成的基板（21）；以及设置在基板（21）上并接受电子射线而产生紫外光的发光层（22）。发光层（22）包含粉末状或粒状的Pr︰LuAG晶体。通过将这样的发光层（22）使用在靶中，与使用Pr︰LuAG单晶膜的情况相比能够更显著地提高紫外光产生效率。
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公开(公告)号：CN103502391A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201280020390.8
申请日：2012-04-24
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: F21K2/00 , C09K11/7766 , H01J63/04 , H01J63/06
Abstract: 本发明提供一种紫外光产生用靶（20），具备：由蓝宝石、石英或水晶构成的基板（21）、以及设置在基板（21）上并接受电子射线而产生紫外光的Pr︰LuAG多晶膜（22）。通过将Pr︰LuAG多晶膜用作靶，与使用Pr︰LuAG单晶膜的情况相比能够更显著地提高紫外光产生效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102210029B
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN200980144433.1
申请日：2009-09-08
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01L33/34 , H01L33/0008 , H01L33/025
Abstract: 本发明提供了一种硅发光元件，具备：具有第1面(10a)和位于该第1面相反侧的第2面(10b)的第1导电类型的硅衬底(10)；设置在硅衬底(10)的第1面(10a)上的绝缘膜(11)；设置在绝缘膜(11)上不同于第1导电类型的第2导电类型的硅层(12)；设置在硅层(12)上的第1电极(13)；以及设置在硅衬底的第2面上的第2电极(14)，硅衬底(10)的载流子浓度为5×1015cm-3～5×1018cm-3，硅层(12)的载流子浓度为1×1017cm-3～5×1019cm-3并且比硅衬底(10)的载流子浓度大一个数量级以上，绝缘膜(11)的膜厚是0.3nm～5nm。由此，实现了可以适用于硅光子学的光源的硅发光元件。
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公开(公告)号：CN118284587A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202280074390.X
申请日：2022-10-18
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 一种复合光学陶瓷元件的制造方法，所述复合光学陶瓷元件含有第1陶瓷部和与所述第1陶瓷部接合的第2陶瓷部，所述制造方法包括：第1工序，准备含有第1过渡元素且用于所述第1陶瓷部的第1粉末和所述第1过渡元素的浓度与所述第1粉末不同且用于所述第2陶瓷部的第2粉末；和第2工序，在所述第1工序之后，在第1区域配置所述第1粉末，并且在与所述第1区域相邻的第2区域配置所述第2粉末，在所述第1区域与所述第2区域的边界部分使所述第1粉末与所述第2粉末接触而形成接触状态。
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公开(公告)号：CN103502392B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201280020466.7
申请日：2012-04-24
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J63/02 , C09K11/7774 , G01J1/429 , G01N21/64 , H01J29/20 , H01J63/04 , H01J63/06
Abstract: 紫外光产生用靶（20），具备：由蓝宝石、石英或水晶构成的基板（21）；以及设置在基板（21）上并接受电子射线而产生紫外光的发光层（22）。发光层（22）包含粉末状或粒状的Pr︰LuAG晶体。通过将这样的发光层（22）使用在靶中，与使用Pr︰LuAG单晶膜的情况相比能够更显著地提高紫外光产生效率。
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公开(公告)号：CN102210029A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN200980144433.1
申请日：2009-09-08
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01L33/34 , H01L33/0008 , H01L33/025
Abstract: 本发明提供了一种硅发光元件，具备：具有第1面(10a)和位于该第1面相反侧的第2面(10b)的第1导电类型的硅衬底(10)；设置在硅衬底(10)的第1面(10a)上的绝缘膜(11)；设置在绝缘膜(11)上不同于第1导电类型的第2导电类型的硅层(12)；设置在硅层(12)上的第1电极(13)；以及设置在硅衬底的第2面上的第2电极(14)，硅衬底(10)的载流子浓度为5×1015cm-3～5×1018cm-3，硅层(12)的载流子浓度为1×1017cm-3～5×1019cm-3并且比硅衬底(10)的载流子浓度大一个数量级以上，绝缘膜(11)的膜厚是0.3nm～5nm。由此，实现了可以适用于硅光子学的光源的硅发光元件。
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公开(公告)号：CN101132046B
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：CN200710146680.8
申请日：2007-08-24
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01L33/0054
Abstract: 本发明提供硅元件的制造方法，其具有：在显示第1导电型的硅基板(2a)的第1面(S1a)上形成显示第2导电型的硅层(4a)的工序，和在该工序后，使硅层(4a)的第3面(S3a)在30分钟以上6小时以内的时间段，露出于被调整为400℃以上900℃以下的温度及4MPa以上200MPa以下的压力的包含氩气的气氛中的工序。
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