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公开(公告)号：CN100558849C
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200580012145.2
申请日：2005-04-07
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: C09K11/62 , G01N23/225 , G01N27/62 , G01T1/20 , G01T1/29 , H01J37/244 , H01J49/06
CPC classification number: H01J37/244 , H01J49/025 , H01J2237/2443 , H01L33/502
Abstract: 本发明提供一种应答速度快并且发光强度高的发光体，使用该发光体的电子射线检测器，扫描型电子显微镜以及质量分析装置。在本发明的发光体(10)中，形成在基板(12)的一个面(12a)上的氮化物半导体层(14)因电子入射发出荧光，至少该荧光的一部分透过基板(12)，从基板的另一个面(12b)射出荧光。该荧光的应答速度在μsec量级以下。另外，该荧光的发光强度，具有与已有的P47荧光体相同程度的强度。即，该发光体(10)，具有适应扫描型电子显微镜和质量分析装置的充分的应答速度以及发光强度。而且，由于覆盖层(16)有利于提高氮化物半导体层(14)中的发光残存率，所以，该发光体(10)不仅实现高速应答以及高发光强度，还具有优异的残存率。
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公开(公告)号：CN100399585C
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200310119906.7
申请日：2003-11-25
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L31/09 , H01L31/102 , H01L27/14 , G01J1/02
CPC classification number: G01J1/429 , H01L2224/48465
Abstract: 一种紫外传感器1包含一个容器5，在该容器中一个金属管壳2的上端开口被一个由科瓦铁镍钴合金玻璃制成的、用作一个入射光窗口的顶板3封闭，它的下端开口被底板4封闭。用作入射光窗口的顶板3通过封闭金属管壳2的上端开口构成容器5的部分壁。一个针型光电二极管6被放置在容器5内。该针型光电二极管6包括了在一n型接触层8与一p型接触层10之间形成的材料为InxGa(1-x)N(0＜x＜1)的一光吸收层9。
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公开(公告)号：CN101617388B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN200880005796.2
申请日：2008-03-17
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L33/00 , C23C16/34
CPC classification number: C23C16/303 , C23C16/0272 , C23C16/042 , C30B25/183 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/0254 , H01L21/02647 , H01L33/007 , H01L33/12
Abstract: 本发明涉及一种氮化物半导体基板(1)，其具有GaN系半导体层(6)和在GaN系半导体层6上形成的由AlGaN或InAlGaN形成的埋入层(7)，其中，GaN系半导体层(6)是在基底层(4)上生长、沿厚度方向的截面基本上为三角形状、且GaN系半导体层(6)呈周期性的条纹状、在条纹的斜面上设置有凹凸面(62)的层。
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公开(公告)号：CN101617388A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200880005796.2
申请日：2008-03-17
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L33/00 , C23C16/34
CPC classification number: C23C16/303 , C23C16/0272 , C23C16/042 , C30B25/183 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/0254 , H01L21/02647 , H01L33/007 , H01L33/12
Abstract: 本发明涉及一种氮化物半导体基板(1)，其具有GaN系半导体层(6)和在GaN系半导体层6上形成的由AlGaN或InAlGaN形成的埋入层(7)，其中，GaN系半导体层(6)是在基底层(4)上生长、沿厚度方向的截面基本上为三角形状、且GaN系半导体层(6)呈周期性的条纹状、在条纹的斜面上设置有凹凸面(62)的层。
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公开(公告)号：CN1503380A
公开(公告)日：2004-06-09
申请号：CN200310119906.7
申请日：2003-11-25
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L31/09 , H01L31/102 , H01L27/14 , G01J1/02
CPC classification number: G01J1/429 , H01L2224/48465
Abstract: 一种紫外传感器1包含一个容器5，在该容器中一个金属管壳2的上端开口被一个由科瓦铁镍钴合金玻璃制成的、用作一个入射光窗口的顶板3封闭，它的下端开口被底板4封闭。用作入射光窗口的顶板3通过封闭金属管壳2的上端开口构成容器5的部分壁。一个针型光电二极管6被放置在容器5内。该针型光电二极管6包括了在一n型接触层8与一p型接触层10之间形成的材料为InxGa(1－x)N(0＜x＜1)的一光吸收层9。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102856455B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201210300925.9
申请日：2008-03-17
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: C23C16/303 , C23C16/0272 , C23C16/042 , C30B25/183 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/0254 , H01L21/02647 , H01L33/007 , H01L33/12
Abstract: 本发明涉及一种氮化物半导体基板（1），其具有GaN系半导体层（6）和在GaN系半导体层6上形成的由AlGaN或InAlGaN形成的上表面平坦的埋入层（7），其中，GaN系半导体层（6）是在基底层（4）上生长、沿厚度方向的截面基本上为三角形状、且GaN系半导体层（6）呈周期性的条纹状、在条纹的斜面上设置有凹凸面（62）的层。
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公开(公告)号：CN102856455A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210300925.9
申请日：2008-03-17
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: C23C16/303 , C23C16/0272 , C23C16/042 , C30B25/183 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/0254 , H01L21/02647 , H01L33/007 , H01L33/12
Abstract: 本发明涉及一种氮化物半导体基板（1），其具有GaN系半导体层（6）和在GaN系半导体层6上形成的由AlGaN或InAlGaN形成的上表面平坦的埋入层（7），其中，GaN系半导体层（6）是在基底层（4）上生长、沿厚度方向的截面基本上为三角形状、且GaN系半导体层（6）呈周期性的条纹状、在条纹的斜面上设置有凹凸面（62）的层。
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公开(公告)号：CN100481531C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200310101513.3
申请日：2003-10-09
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J49/025 , H01J37/244 , H01J2237/2445
Abstract: 本发明涉及一种响应速度快、并发光强度高的发光体等。该发光体包括：基板、及设置在该基板的一个面上的氮化物半导体层。该氮化物半导体层由于射入电子而发出荧光。所产生的荧光中至少一部分透过基板，从该基板的另一面射出。该荧光的产生，是因电子射入氮化物半导体层的量子井结构，并由此所生成的电子与空穴的成对的再结合而引起，其响应速度在nsec等级以下。另外，该荧光的发光强度能获得与已有的P47荧光体相同程度的强度。即，该发光体具有的响应速度及发光强度充分适用于扫描型电子显微镜及质量分析装置。
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公开(公告)号：CN1946827A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200580012145.2
申请日：2005-04-07
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: C09K11/62 , G01N23/225 , G01N27/62 , G01T1/20 , G01T1/29 , H01J37/244 , H01J49/06
CPC classification number: H01J37/244 , H01J49/025 , H01J2237/2443 , H01L33/502
Abstract: 本发明提供一种应答速度快并且发光强度高的发光体，使用该发光体的电子射线检测器，扫描型电子显微镜以及质量分析装置。在本发明的发光体(10)中，形成在基板(12)的一个面(12a)上的氮化物半导体层(14)因电子入射发出荧光，至少该荧光的一部分透过基板(12)，从基板的另一个面(12b)射出荧光。该荧光的应答速度在μsec量级以下。另外，该荧光的发光强度，具有与已有的P47荧光体相同程度的强度。即，该发光体(10)，具有适应扫描型电子显微镜和质量分析装置的充分的应答速度以及发光强度。而且，由于覆盖层(16)有利于提高氮化物半导体层(14)中的发光残存率，所以，该发光体(10)不仅实现高速应答以及高发光强度，还具有优异的残存率。
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公开(公告)号：CN1497657A
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN200310101513.3
申请日：2003-10-09
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J49/025 , H01J37/244 , H01J2237/2445
Abstract: 本发明涉及一种响应速度快、并发光强度高的发光体等。该发光体包括：基板、及设置在该基板的一个面上的氮化物半导体层。该氮化物半导体层由于射入电子而发出荧光。所产生的荧光中至少一部分透过基板，从该基板的另一面射出。该荧光的产生，是因电子射入氮化物半导体层的量子井结构，并由此所生成的电子与空穴的成对的再结合而引起，其响应速度在nsec等级以下。另外，该荧光的发光强度能获得与已有的P47荧光体相同程度的强度。即，该发光体具有的响应速度及发光强度充分适用于扫描型电子显微镜及质量分析装置。
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