公开(公告)号：CN105428481B

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：CN201510921684.3

申请日：2015-12-14

申请人： 厦门市三安光电科技有限公司

发明人： 林文禹 ,  陈圣昌 ,  钟志白 ,  徐宸科

IPC分类号： H01L33/12 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L21/02513 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/34 ,  C23C14/5813 ,  C23C14/5873 ,  C23C16/0263 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/303 ,  C23C16/34 ,  C23C28/04 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L33/00 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32

摘要： 本发明提供了一种氮化物底层结构及其制作方法，采用具有一开放式条状孔洞的溅射式AlN层作为缓冲层，从而在氮化物薄膜生长于该缓冲层之前提供应力释放的路径，可以提升氮化物底层结构的晶格质量并且改善表面裂纹。本发明同时提供了一种采用该氮化物底层结构的发光二极管结构。

公开(公告)号：CN104952984B

公开(公告)日：2017-11-14

申请号：CN201410118380.9

申请日：2014-03-27

申请人： 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

发明人： 魏洋 ,  范守善

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/02

CPC分类号： H01L21/0254 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/0331 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0337 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075

摘要： 本发明涉及一种外延结构的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，该基底具有一外延生长面；在该基底的外延生长面设置一碳纳米管膜，该碳纳米管膜与所述基底的外延生长面接触，该碳纳米管膜具有多个间隙，使得部分所述外延生长面通过所述多个间隙暴露；在该基底的外延生长面沉积一掩模预制体层覆盖所述碳纳米管膜，该掩模预制体层的厚度小于该碳纳米管膜的厚度，且所述掩模预制体层部分沉积于所述碳纳米管膜的表面，部分沉积在所述暴露的部分外延生长面；去除所述碳纳米管膜得到一图案化掩模，该图案化掩模具有多个开口从而使得该外延生长面通过该多个开口部分暴露；以及在所述基底的外延生长面生长一外延层。

公开(公告)号：CN104813442B

公开(公告)日：2017-10-31

申请号：CN201380060570.3

申请日：2013-06-29

申请人： 英特尔公司

发明人： N·戈埃尔 ,  N·慕克吉 ,  S·H·宋 ,  V·H·勒 ,  M·V·梅茨 ,  J·T·卡瓦列罗斯 ,  R·皮拉里塞泰 ,  S·K·加德纳 ,  S·达斯古普塔 ,  W·拉赫马迪 ,  B·舒金 ,  M·拉多萨夫列维奇 ,  G·杜威 ,  M·C·弗伦奇 ,  J·S·卡治安 ,  S·沙蒂阿特 ,  R·S·周

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/764 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/76232

摘要： 实施例包括将材料沉积到衬底上，其中，所述材料包括与所述衬底不同的晶格常数(例如，Si衬底上的III‑V或IV族外延(EPI)材料)。实施例包括在沟槽内形成的EPI层，所述沟槽具有随着所述沟槽向上延伸而变窄的壁。实施例包括使用多个生长温度在沟槽内形成的EPI层。当温度改变时在所述EPI层中形成的缺陷势垒包含在所述沟槽内和缺陷势垒下方的缺陷。在所述缺陷势垒上方和所述沟槽内的所述EPI层相对无缺陷。实施例包括在沟槽内退火的EPI层，用以诱导缺陷消失。实施例包括在沟槽内形成的并以相对无缺陷的EPI层覆盖的EPI超晶格(其仍包括在所述沟槽中)。本文还说明了其它实施例。

公开(公告)号：CN104903993B

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201380068804.9

申请日：2013-12-31

申请人： 圣戈班晶体及检测公司

发明人： J-P·福里 ,  B·博蒙

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/32 ,  C30B25/18 ,  C30B25/183 ,  C30B29/40 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/12 ,  H01S5/3013 ,  Y10T428/26

摘要： 衬底包括具有上表面的III‑V族材料和缓冲层，所述缓冲层具有不大于约1.3μm的厚度并且覆盖在衬底的上表面上。多个光电子器件形成于衬底上，并且在约400nm到约550nm之间的范围内的波长具有不大于约0.0641nm/cm2的归一化的光发射波长标准偏差。

公开(公告)号：CN106409964A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201611019083.4

申请日：2016-11-21

申请人： 中国电子科技集团公司第十一研究所

发明人： 喻松林 ,  刘铭 ,  张永哲 ,  孙浩 ,  吴卿 ,  周立庆

IPC分类号： H01L31/09 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/0296 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L31/09 ,  H01L21/02406 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02656 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/0296

摘要： 本发明公开了一种红外探测材料及其制备方法。本发明的红外探测材料，包括红外光吸收层和电荷传输载体层；所述电荷传输载体层布设在所述红外光吸收层上；其中，所述电荷传输载体层由石墨烯材料制备得到。本发明实施例利用石墨烯材料作为光生载流子的输运层提升响应速率和探测器灵敏度，可适应新一代武器装备和电子系统发展对红外探测器的需求，解决提高探测距离、拓展探测频段、提升探测精度等武器装备性能发展瓶颈问题。

公开(公告)号：CN102637794B

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201210032437.4

申请日：2012-02-14

申请人： 三星电子株式会社 ,  首尔大学校产学协力团

发明人： 李商文 ,  尹义埈 ,  朴珍燮 ,  朴成铉

IPC分类号： H01L33/04 ,  H01L33/20 ,  H01L33/12 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L21/0254 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02398 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647

摘要： 本发明公开了半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：第一非平坦、非极性氮化物半导体层，具有三维(3D)表面形式并由非极性氮化物半导体形成；第一结构层，形成在所述第一非平坦、非极性氮化物半导体层的表面的至少一部分上并包括多个固体颗粒；及第一非极性氮化物半导体层，形成在所述第一非平坦、非极性氮化物半导体层和所述第一结构层上。

公开(公告)号：CN106206863A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610364734.7

申请日：2016-05-27

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 朴永焕 ,  姜三默 ,  金峻渊 ,  金美贤 ,  金柱成 ,  卓泳助

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/22 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32

CPC分类号： H01L33/007 ,  C30B29/403 ,  C30B33/06 ,  F21K9/237 ,  F21K9/275 ,  F21S41/141 ,  F21S43/14 ,  F21V23/005 ,  F21Y2113/10 ,  F21Y2115/10 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0265 ,  H01L21/02658 ,  H01L33/12 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48237 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32

摘要： 提供了制造半导体衬底的方法以及用于半导体生长的衬底。所述制造半导体衬底的方法可以包括：在生长衬底上形成缓冲层；在所述缓冲层中形成多个开口，所述多个开口穿过所述缓冲层并且彼此分隔开；在所述生长衬底上形成多个腔，所述多个腔排列为分别对应于所述多个开口；在所述缓冲层上生长半导体层，生长所述半导体层包括用所述半导体层填充所述多个开口；以及将所述缓冲层和所述半导体层从所述生长衬底分离，其中所述生长衬底与所述缓冲层之间的分界处的所述多个开口中的每一个的直径小于所述分界处的所述多个腔中的每一个的直径。

公开(公告)号：CN103682005B

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201210334114.0

申请日：2012-09-12

申请人： 顾玉奎

发明人： 林雅雯 ,  黄世晟 ,  凃博闵

IPC分类号： H01L33/10

CPC分类号： H01L33/0075 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01L33/20

摘要： 一种LED磊晶制程，包括以下的步骤：在基板的表面上生长缓冲层；在第一温度下，在缓冲层的表面生长第一磊晶层；在低于第一温度的第二温度下，在第一磊晶层的表面生长第二磊晶层，从而使第二磊晶层的表面粗糙化；蚀刻第二磊晶层和第一磊晶层，直至将第二磊晶层的粗糙表面复刻至第一磊晶层；在第一磊晶层的粗糙表面沉积一层二氧化硅层；蚀刻二氧化硅层的顶面直至暴露出第一磊晶层，以形成多个凸起；以及在第一磊晶层上依次成长N型磊晶层、发光层以及P型磊晶层。所述第一磊晶层的粗糙表面以及二氧化硅层的凸起可有效对发光层所发出的光线进行反射及阻挡，从而提高LED晶粒的出光效率。

公开(公告)号：CN102856455B

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201210300925.9

申请日：2008-03-17

申请人： 浜松光子学株式会社

发明人： 吉田治正 ,  高木康文 ,  桑原正和

IPC分类号： H01L33/20 ,  H01S5/323

CPC分类号： C23C16/303 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/042 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12

摘要： 本发明涉及一种氮化物半导体基板（1），其具有GaN系半导体层（6）和在GaN系半导体层6上形成的由AlGaN或InAlGaN形成的上表面平坦的埋入层（7），其中，GaN系半导体层（6）是在基底层（4）上生长、沿厚度方向的截面基本上为三角形状、且GaN系半导体层（6）呈周期性的条纹状、在条纹的斜面上设置有凹凸面（62）的层。

公开(公告)号：CN103403839A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201280011324.4

申请日：2012-02-28

申请人： 欧司朗光电半导体有限公司

发明人： 克里斯蒂安·莱雷尔 ,  安东·沃格尔 ,  安德烈亚斯·比贝尔斯多夫 ,  赖纳·布滕戴奇 ,  克里斯蒂安·鲁姆博尔茨

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L33/22

CPC分类号： H01L33/20 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02664 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/22 ,  H01L2933/0091

摘要： 本发明提出一种用于制造薄膜半导体本体的方法，所述方法具有下述步骤：提供生长衬底（1）；将具有漏斗形的和/或倒棱锥形的凹部（4）的半导体层（3）外延地生长到生长衬底（1）上；用半导体材料（6）填充凹部（4），使得产生棱锥形的耦合输出结构（13）；将具有有源层（8）的半导体层序列（7）施加到耦合输出结构（13）上，所述有源层适合于产生电磁辐射；将载体（11）施加到半导体层序列（7）上，以及至少将具有漏斗形和/或倒棱锥形的凹部（4）的半导体层（3）剥离，使得棱锥形的耦合输出结构（13）作为突出部（14）构成在薄膜半导体本体的辐射出射面（12）上。此外，提出一种薄膜半导体本体。