一种低热导萤石结构钽酸盐陶瓷及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN117209274A

    公开(公告)日:2023-12-12

    申请号:CN202311268932.X

    申请日:2023-09-27

    IPC分类号: C04B35/495 C23C4/11

    摘要: 本发明属于热障涂层技术领域,具体涉及一种低热导萤石结构钽酸盐陶瓷及其制备方法和应用。本发明提供的低热导萤石结构钽酸盐陶瓷具有缺陷萤石结构,化学式为Re1xRe2yDyzTaO7,其中,x+y+z=3,且x、y、z独立为0.5~1.5,Re1和Re2独立为钇、钬、铒、铥或镱,在钽酸盐中引入Re‑O键能最小的Dy,与Ta‑O形成巨大的键能差异,引入其他两种稀土离子,构造质量差异以及键能无序,保证高温下晶体结构稳定的基础上,通过构建体系中不均匀的化学键,获得更低的热导率陶瓷体系,多元稀土共掺杂增大陶瓷体系熵值,提高钽酸盐陶瓷的高温稳定性,实现在高温下长时间服役。

    一种致密HfC(Si)-HfB2复相陶瓷的制备方法

    公开(公告)号:CN109678511B

    公开(公告)日:2021-09-10

    申请号:CN201811576879.9

    申请日:2018-12-23

    摘要: 本发明涉及一种致密HfC(Si)‑HfB2复相陶瓷的制备方法,将氧化铪粉体、纳米碳黑以及六硼化硅粉体按摩尔比为1~10∶1~20∶1~5的比例混合,获得混合粉体,经过进行球磨混合均匀,然后进行干燥,形成均匀的混合粉体;将得到的均匀混合粉体装入石墨模具中进行放电等离子体烧结,即原位碳‑硼热还原反应‑烧结致密化一步工艺完成,制备得到致密度为94.0%~100%且晶粒均匀弥散分布的HfC(Si)‑HfB2复相陶瓷。与现有技术相比,本发明烧结制备得到物相组成和晶粒尺寸均匀分布,同时其陶瓷烧结体具有较高的致密性和断裂韧性,避免传统先制备粉体过程中难以控制成分和晶粒尺寸,后期烧结陶瓷过程中难以致密化。