公开(公告)号：CN117761126A

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202311804631.4

申请日：2023-12-25

Applicant: 润新微电子(大连)有限公司 ,  大连理工大学

Inventor： 王荣华 ,  黄火林 ,  代建勋 ,  梁辉南 ,  叶太森

IPC: G01N27/12 ,  A61B5/08

Abstract: 本发明公开了一种氮化镓气体传感器及其制备方法、应用，制备方法包括：对衬底进行镀膜形成非晶氮化镓薄膜，得到含有非晶氮化镓薄膜的衬底；对含有非晶氮化镓薄膜的衬底进行热退火，使非晶氮化镓薄膜转变为多晶氮化镓薄膜，得到含有多晶氮化镓薄膜的衬底；对含有多晶氮化镓薄膜的衬底进行湿法腐蚀，在非晶氮化镓薄膜的表面形成多孔结构，得到具有多孔结构的衬底；对具有多孔结构的衬底涂覆光刻胶后进行图案化光刻，得到具有叉指电极图形的衬底；目标图形为叉指电极图形；在具有目标图形的衬底上生长电极后，去除剩余光刻胶得到氮化镓气体传感器。本发明的氮化镓气体传感器符合用于检测或监测氨气的高灵敏度、低检测限和高敏选择性需求。

公开(公告)号：CN117987776A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202311794988.9

申请日：2023-12-25

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 代建勋 ,  叶太森 ,  黄火林 ,  战雪冬 ,  沈涵 ,  王钰昕 ,  黄辉 ,  李大卫 ,  刘艳红 ,  陶鹏程

IPC: C23C14/08 ,  G01N27/12 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58 ,  C30B29/16 ,  C30B33/02 ,  C30B33/10 ,  C23C14/18 ,  C23C14/04

Abstract: 一种用湿法腐蚀增强氧化镓多晶薄膜气敏性能的方法，属于半导体气敏传感器领域。所述制备方法包括如下步骤：步骤1.使用磁控溅射机在二氧化硅片上溅射氧化镓薄膜；步骤2.采用热退火的方法使氧化镓薄膜转变为多晶薄膜；步骤3.采用湿法腐蚀的方法在氧化镓多晶薄膜上形成纳米凹坑并嫁接高能悬挂键；步骤4.采用光刻显影的方法在氧化镓薄膜上产生叉指电极区域；步骤5.使用磁控溅射机在氧化镓薄膜上溅射Ti/Pt电极；步骤6.使用丙酮溶液超声浸泡以去除光刻胶。以该材料作为敏感材料制备的氧化镓气敏元件，该元件在300ppm氨气浓度下灵敏度可达25％，并且该元件对氨气有着高敏选择性。