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公开(公告)号：CN117990239A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311797099.8
申请日：2023-12-26
Applicant: 大连理工大学 , 沈阳仪表科学研究院有限公司
IPC: G01L1/14 , A61B5/02 , A61B5/00 , C08G75/045
Abstract: 一种具备监测各种生理特征功能的离子凝胶压力传感器件及其制备方法，属于压力传感器领域，所述制备方法包括如下步骤：步骤1.将二乙烯苯与四(3‑巯基丙酸)季戊四醇酯(PETMP)在室温下加入到甲醇和四氢呋喃中混合成溶液；步骤2.在溶液中加入一定量的聚离子液体与安息香二甲醚；步骤3.采用紫外光照的方法对凝胶溶液进行处理；步骤4.将模具里凝固好的凝胶脱模；步骤5.将不规整的凝胶边框裁剪整齐；步骤6.将离子凝胶进行封装。该压力传感器件在不同压力下表现出良好的灵敏度与相应时间，并且该元件可以很好地用于脉搏，吞咽等动作的检测。
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公开(公告)号：CN115207207B
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202211113640.4
申请日：2022-09-14
Applicant: 深圳市柯雷科技开发有限公司 , 大连理工大学
IPC: H10N35/01 , H10N35/85 , H10N39/00 , H01L29/20 , H01L29/205 , G01L9/16 , G01L9/04 , G01L9/00 , G01L1/22 , G01L1/12
Abstract: 氮化物和磁致伸缩材料复合结构压力传感器制作方法，属于半导体传感器领域。技术方案：S1、衬底准备；S2、外延生长；S3、台面隔离；S4、栅极刻蚀；S5、源、漏极欧姆接触制作；S6、介质层沉积；S7、制备栅电极；S8、钝化层沉积与开启电极窗口。有益效果：本发明所述的基于复合氮化物和磁致伸缩材料结构的高灵敏度压力传感器制作方法能制作出压力灵敏度高，体积小、集成度高、量程大、响应速度快的高灵敏度压力传感器，继而还可以制作传感器阵列，实现二维或者三维压力传感，未来有望应用于医疗血压、石化、工业电子称重、江河水位监测等领域。
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公开(公告)号：CN118173595A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410126598.2
申请日：2024-01-30
IPC: H01L29/778 , H01L29/423 , H01L29/51 , H01L21/335
Abstract: 倒T型复合栅介质结构氮化镓HEMT器件及其制备方法，属于半导体器件领域，包括如下步骤：S1、衬底准备；S2、外延生长；S3、台面刻蚀与源/漏区欧姆接触电极制备；S4、栅极区域刻蚀；S5、第一介质层制备；S6、叠层栅介质层沉积；S7、栅电极制备；S8、器件钝化层沉积与电极开口。本发明提出势垒层浅刻蚀形成凹栅结构，对凹栅剩余势垒层及侧壁进行充分氧化处理形成第一层氧化物介质，保留在高真空腔体内部继续生长叠层介质，从而形成致密的倒T型复合栅介质结构。本发明保留二维电子气沟道界面、倒T型复合介质两侧拐角与栅区半导体天然紧密接触且形成过程完全保持在系统高真空环境内未受环境污染，因此提高了器件的阈值电压、栅区耐压以及可靠性。
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公开(公告)号：CN117982128A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311797102.6
申请日：2023-12-26
Applicant: 沈阳仪表科学研究院有限公司 , 大连理工大学
IPC: A61B5/08 , A61B5/00 , G01N27/12 , C08G75/045
Abstract: 一种具备自供电湿度传感功能的离子凝胶传感器件及其制备方法，属于湿度传感器领域，包括如下步骤：步骤1.将二乙烯苯与四(3‑巯基丙酸)季戊四醇酯(PETMP)在室温下加入到甲醇和四氢呋喃中混合成溶液；步骤2.在溶液中加入一定量的聚离子液体与安息香二甲醚；步骤3.将适量溶液滴在叉指电极上；步骤4.采用紫外光照的方法对叉指电极上的凝胶溶液进行处理；步骤5.完成后进行封装保存。该压力传感器件在不同湿度下表现出良好的灵敏度，同时具备自供电能力，并且该元件可以很好地用于呼吸等动作的检测。
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公开(公告)号：CN115207207A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202211113640.4
申请日：2022-09-14
Applicant: 深圳市柯雷科技开发有限公司 , 大连理工大学
IPC: H01L41/47 , H01L41/20 , H01L29/20 , H01L29/205 , H01L27/20 , G01L9/16 , G01L9/04 , G01L9/00 , G01L1/22 , G01L1/12
Abstract: 氮化物和磁致伸缩材料复合结构压力传感器制作方法，属于半导体传感器领域。技术方案：S1、衬底准备；S2、外延生长；S3、台面隔离；S4、栅极刻蚀；S5、源、漏极欧姆接触制作；S6、介质层沉积；S7、制备栅电极；S8、钝化层沉积与开启电极窗口。有益效果：本发明所述的基于复合氮化物和磁致伸缩材料结构的高灵敏度压力传感器制作方法能制作出压力灵敏度高，体积小、集成度高、量程大、响应速度快的高灵敏度压力传感器，继而还可以制作传感器阵列，实现二维或者三维压力传感，未来有望应用于医疗血压、石化、工业电子称重、江河水位监测等领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109037327A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810790140.1
申请日：2018-07-18
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/778 , H01L29/0603 , H01L29/0684 , H01L29/66462
Abstract: 一种具有局部电流阻挡层的纵向栅极结构功率器件及其制备方法，属于半导体器件领域。技术要点是在半导体衬底上外延生长特殊结构GaN基材料，所述本征GaN层中埋入局部电流阻挡层，保留纵向导通电流沟道窗口，在栅电极一侧，所述AlGaN势垒层与所述本征GaN层形成台阶，所述本征GaN层台阶上设置有源电极，所述栅电极和源电极之间用介质层隔开。本专利通过插入局部电流阻挡层来调节器件内部pn结耗尽区分布，有效阻挡和减小器件关态下的纵向泄漏电流，而保留纵向导通电流沟道窗口，能保证器件具有良好的开态导通特性，降低开关过程功率损耗；对比传统横向HEMT器件，该器件可以实现常关型操作、具有稳定的阈值电压，同时具有更低的开态导通电阻以及关态泄漏电流。
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公开(公告)号：CN113049181A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110319129.9
申请日：2021-03-25
Applicant: 大连理工大学
IPC: G01L21/00
Abstract: 本发明属于光纤传感技术领域，提供了一种光纤法布里—珀罗真空计的制作方法。光纤法布里‑珀罗真空计由入射光纤、反射光纤和带有微孔的毛细管组成。与传统真空计相比，光纤法布里—珀罗真空计具有体积小、结构简单、灵敏度高、抗电磁干扰及温度交叉影响小的优点，并可以实现对真空度的直接测量；通过CO2激光对光纤与毛细管进行焊接，提高了光纤法布里‑珀罗真空计的机械强度和长期稳定性，并降低了其温度交叉灵敏度；采用超快激光加工技术对石英毛细管进行打孔，保证了孔的均匀性和石英毛细管的机械强度。本发明为复杂环境下的真空度监测提供了一种极具竞争力的技术方案。
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公开(公告)号：CN109037326A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810789995.2
申请日：2018-07-18
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/336 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/66462 , H01L29/0607 , H01L29/778
Abstract: 一种具有P型埋层结构的增强型HEMT器件及其制备方法，属于半导体晶体管器件制作领域。技术要点包括：在半导体衬底上依次生长缓冲层、i‑GaN漂移层、势垒层和栅极钝化层，所述i‑GaN漂移层上设置有源电极和漏电极，所述栅极钝化层上设置有栅电极，所述i‑GaN漂移层中内嵌P型埋层。该结构利用P型埋层形成PN结内建电场，从而耗尽栅极下方的二维电子气达到增强型的目的。有益效果是:本发明所述的具有P型埋层结构的增强型HEMT器件及其制备方法能够实现在二维电子气沟道导电性能不发生退化的情况下同时提高器件稳定而均匀的正向阈值电压，对该领域是个重要的技术补充。
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公开(公告)号：CN119375789A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202310917836.7
申请日：2023-07-25
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 高灵敏二维电子气沟道结构磁传感矩阵芯片及制作方法，属于半导体器件技术领域，移位寄存器依次连接磁传感矩阵、后端接口电路；所述磁传感矩阵包括若干矩阵元，所述矩阵元：在衬底上依次生长缓冲层、沟道层和势垒层组成的二维电子气沟道材料异质结结构，所述沟道层上方设有水平型霍尔元件和开关器件。本发明能用于高温、高压、高辐射等恶劣环境下实时、静态、动态测量一维磁场分布的基于二维电子气沟道的一维矩阵式霍尔传感器芯片进行结构、电路上的创新与制作；可实现在一维磁场的动态、静态测量，并通过电路进行误差补偿，不仅确保芯片能在高温、高压、高辐射环境下稳定工作，又能确保其具备较高的线性度、灵敏度与准确度。
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公开(公告)号：CN117987776A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311794988.9
申请日：2023-12-25
Applicant: 大连理工大学
IPC: C23C14/08 , G01N27/12 , C23C14/35 , C23C14/58 , C30B29/16 , C30B33/02 , C30B33/10 , C23C14/18 , C23C14/04
Abstract: 一种用湿法腐蚀增强氧化镓多晶薄膜气敏性能的方法，属于半导体气敏传感器领域。所述制备方法包括如下步骤：步骤1.使用磁控溅射机在二氧化硅片上溅射氧化镓薄膜；步骤2.采用热退火的方法使氧化镓薄膜转变为多晶薄膜；步骤3.采用湿法腐蚀的方法在氧化镓多晶薄膜上形成纳米凹坑并嫁接高能悬挂键；步骤4.采用光刻显影的方法在氧化镓薄膜上产生叉指电极区域；步骤5.使用磁控溅射机在氧化镓薄膜上溅射Ti/Pt电极；步骤6.使用丙酮溶液超声浸泡以去除光刻胶。以该材料作为敏感材料制备的氧化镓气敏元件，该元件在300ppm氨气浓度下灵敏度可达25％，并且该元件对氨气有着高敏选择性。
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