公开(公告)号：CN117100295A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202310887509.1

申请日：2023-07-19

Applicant: 深圳先进技术研究院 ,  深圳市卓茂科技有限公司

Inventor： 王玉梦 ,  陈明 ,  闻权 ,  杨春雷 ,  王鄂豫 ,  高俊雪 ,  冯勃晗 ,  陈曦 ,  宁德

IPC: A61B6/00 ,  C09K11/00 ,  C09K11/06 ,  C09K11/02 ,  C09K11/66 ,  B82Y20/00

Abstract: 本发明提供一种钙钛矿量子点/CdS/PPO液体闪烁体屏的高稳定性X射线探测器及其制备方法，该X射线探测器包括设置在基体上的液体闪烁体屏。其中，液体闪烁体屏包括闪烁体面板、钙钛矿量子点/CdS/PPO溶液以及环氧树脂胶。PPO可以显著增强量子点在X射线下的发光强度。环氧树脂胶具有良好的粘接强度和耐化学性能，且固化条件为常温固化，固化后不仅具有良好的透光性能，而且能够很好地隔绝水和氧气。因此用环氧树脂密封注射小孔，可以提高量子点的稳定性。工艺流程简单，且闪烁体面板高度可灵活调制，最终集合成一种高稳定性的X射线探测器。

公开(公告)号：CN117794352A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202311626715.3

申请日：2023-11-29

Applicant: 中国科学院深圳先进技术研究院

Inventor： 李文杰 ,  宋世璇 ,  杨春雷 ,  胡航炜 ,  王子龙 ,  吴莉芸 ,  罗杰 ,  余庆 ,  冯勃晗 ,  霍少伟

IPC: H10N70/20 ,  H10N70/00

Abstract: 本申请实施例涉及离子固体器件技术领域，特别涉及一种锂离子固体场效应晶体管及其制备方法，该晶体管包括：衬底以及堆叠在衬底上的栅介质层、分别位于栅介质层的两端的源极、漏极，以及位于栅介质层的上方的沟道层；沟道层的材料为锂离子薄膜固态电解质；沟道层位于源极和漏极之间，且沟道层的顶面低于源极和漏极的顶面。本申请实施例提供一种锂离子固体场效应晶体管，采用薄膜固态电解质沟道层代替传统的半导体沟道层，通过栅电极施加电压调控沟道中锂离子的迁移，改善其离子电导率，离子型晶体管具有一定的开关比特性。

公开(公告)号：CN116657094A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202310396536.9

申请日：2023-04-04

Applicant: 深圳先进技术研究院

Inventor： 冯勃晗 ,  陈明 ,  杨春雷 ,  王玉梦 ,  朱元昊

IPC: C23C14/16 ,  C23C14/22 ,  C23C14/58 ,  B22F1/054 ,  B22F1/142 ,  C30B29/52 ,  C30B23/02

Abstract: 本申请提供的内SnSexS2‑x/SnSe2异质结阵列及构建方法，包括下述步骤：在支撑衬底上垂直生长SnSex纳米片阵列；对所述SnSex纳米片阵列进行热退火硫化处理；在热退火硫化处理后的所述SnSex纳米片阵列上继续生长所述SnSex纳米片，以构建纳米片内异质结，相比于传统的通过使用机械转移技术堆叠不同的二维材料来创建二维异质结，基于低温PVD法来生长制备出均匀、高致密度的SnSe2纳米片阵列，搭建的二维纳米片内SnSexS2‑x/SnSe2异质结，在继承单一材料优异性能的同时，拓展出许多优异性能，可以进一步提升二维材料光电探测器的性能，实现下一代超高灵敏度光电器件的研发。