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公开(公告)号：CN118676220A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410770758.7
申请日：2024-06-14
申请人： 深圳市奥伦德元器件有限公司
IPC分类号： H01L31/02 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/024 , H01L31/0352 , H01L31/102 , H01L25/18
摘要： 本发明公开了IR芯片以及光电耦合器，其中IR芯片，包括：Si衬底；设置于所述Si衬底上的掺杂层；与所述Si衬底层相接，背离所述掺杂层，且与所述掺杂层存在电极通道的P电极；背离所述Si衬底，与所述掺杂层存在电极通道的的N电极；以及SiO2钝化层；其中，所述掺杂层包括依次排布于所述Si衬底上的P型掺杂层、PN结、N型掺杂层；所述SiO2钝化层包覆于所述PN结的外壁。本发明技术方案提高了IR芯片的强度，避免了芯片在实际生产和封装过程中损坏，提高了IR芯片的可靠性。
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公开(公告)号：CN112071926A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010875005.4
申请日：2020-08-27
申请人： 深圳市奥伦德元器件有限公司
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/103 , H01L31/107 , H01L31/109 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G02B5/00
摘要： 本发明公开了一种红外探测器及其制备方法，包括：光电二极管，包括上表面和下表面；薄膜，设置于光电二极管的上表面；纳米点，设置于薄膜的表面；第一电极，设置于纳米点的表面；纳米柱阵列，设置于光电二极管的下表面；第二电极，包括与纳米柱阵列相配合连接的纳米孔阵列，第二电极通过纳米孔阵列连接到光电二极管的下表面。金属纳米孔阵列具有表面等离激元增强效应，可以增强对红外光的吸收效率，根据不同的吸收波段，并且可以调节孔径及其分布，从而达到最佳效果。纳米点具有较为显著的量子效应，可提高红外探测器对红外光的吸收效率和灵敏度。
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公开(公告)号：CN112071924A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010771103.3
申请日：2020-08-04
申请人： 深圳市奥伦德元器件有限公司
IPC分类号： H01L31/0232 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/02 , H01L31/109 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
摘要： 本发明公开了一种红外探测器及其制备方法，包括：第一电极；Si基红外探测器，所述Si基红外探测器与所述第一电极连接；Si‑GeSi‑Ge纳米柱，述Si‑GeSi‑Ge纳米柱与所述Si基红外探测器连接；第二电极，所述第二电极与所述Si‑GeSi‑Ge纳米柱连接。所述Ge壳层具有较强的金属属性，可以与金属电极形成良好的界面接触，提高器件的光生载流子的提取效率；与此同时，可以使整个外加的偏压电场分布得更加均匀，有利于缩短光生载流子的迁移路径。Si‑GeSi‑Ge纳米柱可以起到减反膜的作用，同时其量子效应可以帮助提高对光的吸收效率。Si与Ge可以形成良好的异质结，提高对光的吸收效率。
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公开(公告)号：CN118338687A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410631491.3
申请日：2024-05-21
申请人： 深圳市奥伦德元器件有限公司
摘要： 本发明涉及基于高分子材料的光电转换接收器及其制备方法，包括：阴电极；衬底层；耗尽层，所述耗尽层设置在所述衬底层的上方；掺杂层，所述掺杂层设置在所述耗尽层的上方；阳电极，所述阳电极包括第一阳电极和第二阳电极，所述第一阳电极和所述第二阳电极分别设置在所述掺杂层的上方；感光区，所述感光区设置在所述掺杂层的上方，且在所述第一阳电极和所述第二阳电极之间；钝化区，所述钝化区设置在所述第一阳电极的外侧和所述第二阳电极的外侧。本发明提供的基于高分子材料的光电接收器，利用高分子材料的独特优势，实现了光电转换效率的提升，同时降低了生产成本和工艺复杂度，具有显著的应用前景和社会经济效益。
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公开(公告)号：CN114986358B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202210585889.9
申请日：2022-05-27
申请人： 深圳市奥伦德元器件有限公司
IPC分类号： B24B27/06 , B24B51/00 , B23K26/362 , B23K26/70
摘要： 本发明公开了一种芯片划片方法、设备、控制器及计算机可读存储介质，芯片划片方法包括获取初级晶圆；对初级晶圆的正面作正面激光切割处理，得到二级晶圆，二级晶圆带有正面激光划痕；基于正面激光划痕对二级晶圆的背面作背面激光切割处理，以使二级晶圆带有与正面激光划痕对应的背面激光划痕，得到三级晶圆；基于背面激光划痕对三级晶圆的背面作砂轮切割处理；对三级晶圆作裂片处理，得到最终芯片。在划片过程中大大减少外力对晶圆造成的影响，避免内部应力延键结合力较弱的地方裂开导致晶圆正面和背面出现崩缺现象，避免了由于晶圆正面和背面激光不重刀问题导致芯片边长大小不均等的现象，提高产品生产良率，降低生产成本和时间。
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公开(公告)号：CN111162155B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202010003804.2
申请日：2020-01-03
申请人： 深圳市奥伦德元器件有限公司
摘要： 本发明公开了一种镓铝砷材质的红外LED芯片的功率提升方法，包括：对红外LED芯片涂上光刻胶并进行烘烤处理；对红外LED芯片的P面进行光刻处理使得P面生成导光孔，再进行烘烤处理；将红外LED芯片浸泡至由磷酸和双氧水混合的第一混合溶液中进行刻蚀处理；将刻蚀处理后的红外LED芯片浸泡至由硝酸、冰醋酸和水混合的第二混合溶液中进行粗化处理；将粗化处理后的红外LED芯片进行去胶处理和清洗处理。通过光刻处理在P面生成导光孔，增大了发光面积，提高了发光功率；刻蚀处理可以形成敞开状的导光孔，使得大部分光线不会被反射或者吸收，提高了发光功率；另外，对P面、N面和侧面进行表面粗化以及对导光孔进行粗化能够增加发光面积，提高发光功率。
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公开(公告)号：CN118745572A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202410883945.6
申请日：2024-07-03
申请人： 深圳市奥伦德元器件有限公司
摘要： 本发明涉及一种基于镓铝砷外延合金及其制备方法，包括：镓铝砷外延层；第一氧化层，第一氧化层包括多个经一次光刻形成的第一窗口和第一凸块，第一窗口与所述第一凸块间隔分布；第一金属层；第二氧化层，第二氧化层包括多个经二次光刻形成的第二窗口和第二凸块，第二窗口与所述第二凸块间隔分布，第一窗口与第二窗口的垂直方向上错位排列；第二金属层。基于镓铝砷外延合金通过高致密性的氧化层去改善镓铝砷外延与金属层接触的合金方法，具有优良的金属与镓铝砷材料键合性能，改善金属层与外延层之间的欧姆接触，降低电极脱落的风险。
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公开(公告)号：CN112071869B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202010884693.0
申请日：2020-08-28
申请人： 深圳市奥伦德元器件有限公司
IPC分类号： H01L27/144 , H01L21/8252 , H01L31/18 , H03K17/785
摘要： 本发明公开了一种用于固态继电器的光伏驱动器及其制备方法，用于固态继电器的光伏驱动器包括氮化镓基光电探测器阵列，包括有第一衬底；氮化镓基场效应管阵列，包括有第二衬底，所述氮化镓基场效应管阵列位于所述氮化镓基光电探测器阵列的右侧，所述第二衬底与所述第一衬底一体成型。根据本发明的用于固态继电器的光伏驱动器，氮化镓基光电探测器阵列和氮化镓基场效应管阵列为一体化设置，不但能够简化封装，有利于固态继电器的微型化，而且制作工艺简单，能够降低生产成本。
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公开(公告)号：CN112071869A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010884693.0
申请日：2020-08-28
申请人： 深圳市奥伦德元器件有限公司
IPC分类号： H01L27/144 , H01L21/8252 , H01L31/18 , H03K17/785
摘要： 本发明公开了一种用于固态继电器的光伏驱动器及其制备方法，用于固态继电器的光伏驱动器包括氮化镓基光电探测器阵列，包括有第一衬底；氮化镓基场效应管阵列，包括有第二衬底，所述氮化镓基场效应管阵列位于所述氮化镓基光电探测器阵列的右侧，所述第二衬底与所述第一衬底一体成型。根据本发明的用于固态继电器的光伏驱动器，氮化镓基光电探测器阵列和氮化镓基场效应管阵列为一体化设置，不但能够简化封装，有利于固态继电器的微型化，而且制作工艺简单，能够降低生产成本。
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公开(公告)号：CN114986358A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210585889.9
申请日：2022-05-27
申请人： 深圳市奥伦德元器件有限公司
IPC分类号： B24B27/06 , B24B51/00 , B23K26/362 , B23K26/70
摘要： 本发明公开了一种芯片划片方法、设备、控制器及计算机可读存储介质，芯片划片方法包括获取初级晶圆；对初级晶圆的正面作正面激光切割处理，得到二级晶圆，二级晶圆带有正面激光划痕；基于正面激光划痕对二级晶圆的背面作背面激光切割处理，以使二级晶圆带有与正面激光划痕对应的背面激光划痕，得到三级晶圆；基于背面激光划痕对三级晶圆的背面作砂轮切割处理；对三级晶圆作裂片处理，得到最终芯片。在划片过程中大大减少外力对晶圆造成的影响，避免内部应力延键结合力较弱的地方裂开导致晶圆正面和背面出现崩缺现象，避免了由于晶圆正面和背面激光不重刀问题导致芯片边长大小不均等的现象，提高产品生产良率，降低生产成本和时间。
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