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公开(公告)号：CN111902934B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN201980000338.8
申请日：2019-03-06
申请人： 深圳市汇顶科技股份有限公司
摘要： 本申请提供一种半导体结构及其制作方法，能够制作非直线型的沟槽结构，可以在不增大深宽比且维持占地面积不变的情况下，提升沟槽结构表面积。该半导体结构包括：衬底，包括相对设置的上表面和下表面；至少一个沟槽结构，设置于所述衬底，并自所述上表面向下形成；其中，所述沟槽结构在所述上表面的投影形成曲线型或者折线型的第一图案，所述第一图案包括彼此相邻的n个第二图案，所述n个第二图案中奇数位的第二图案相同，且偶数位的第二图案相同，n为正整数。
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公开(公告)号：CN112070017B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202010936725.7
申请日：2020-09-08
申请人： 深圳市汇顶科技股份有限公司
IPC分类号： G06V40/13
摘要： 本申请实施例提供一种超声波指纹识别方法、装置、设备和存储介质，涉及指纹识别技术领域，可以改善由于温度偏移和贴膜而导致的指纹识别效果的下降。超声波指纹识别方法，包括：在从第一时刻开始、从第一子时刻结束的时段发射第一超声波信号，在多个采样时段内分别采集第一返回超声波信号；将信号强度最大的第一返回超声波信号所对应的采样时段作为基准采样时段，并将其相对于第一时刻的延时时间作为基准延时；在从第二时刻开始、从第二子时刻结束的时段发射第二超声波信号，至少采集基准采集时段内的第二返回超声波信号，基准采集时段与第二时刻的延时时间等于基准延时；以及基于采集的第二返回超声波信号，进行超声波指纹成像。
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公开(公告)号：CN112380983B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202011265739.7
申请日：2020-11-12
申请人： 深圳市汇顶科技股份有限公司
IPC分类号： G06V40/13
摘要： 一种指纹识别装置和电子设备，能够提升指纹识别性能。指纹识别装置用于设置在电子设备的显示屏下方，包括：第一光学装置、第二光学装置和光学指纹传感器；第一光学装置用于引导经过显示屏中第一指纹检测区域上手指反射的第一目标光信号至光学指纹传感器中的第一感应阵列；第二光学装置用于引导经过显示屏中第二指纹检测区域上手指反射的第二目标光信号至光学指纹传感器中的第二感应阵列；第一感应阵列和第二感应阵列用于分别根据第一目标光信号和第二目标光信号以进行指纹识别；其中，第一指纹检测区域和第二指纹检测区域互不重叠，且二者之间存在间隔区。
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公开(公告)号：CN114096802B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202080001602.2
申请日：2020-05-15
申请人： 深圳市汇顶科技股份有限公司
IPC分类号： G01C19/5677
摘要： 一种陀螺仪及惯性传感器，该陀螺仪包括磁性部件(1)、至少两个谐振环(21)和多条金属线磁性部件(1)位于谐振多环内腔(22)，金属线(3)的至少部分设置于谐振环(21)。通过增加谐振环(21)的数量，能够增加金属线(3)的设置长度，进而提升金属线(3)受到的安培力，同时设置多个谐振环(21)还能够增加陀螺仪的振动质量，降低陀螺仪工作时产生的布朗噪声，进而提升陀螺仪的信噪比和抗冲击性能。(3)，各谐振环(21)同心设置形成谐振多环(2)，
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公开(公告)号：CN109643378B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN201880002299.0
申请日：2018-11-20
申请人： 深圳市汇顶科技股份有限公司
摘要： 本申请提供一种超声换能器件及电子装置，该超声换能器件包括：感测介质层、可接收超声波的超声波接收层和可发射超声波的超声波发射层，其中，超声波发射层和所述超声波接收层层叠设置于所述感测介质层之下，本申请提供的超声换能器件，实现了超声换能器件具有较强的超声波发射能力以及较好的接收效果的目的，解决了现有超声换能器超声波发生能力较差而对超声换能器性能造成影响的问题。
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公开(公告)号：CN111630663B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN201880003073.2
申请日：2018-12-28
申请人： 深圳市汇顶科技股份有限公司
IPC分类号： H01L27/108
摘要： 一种电容器(100)及其制作方法，该电容器(100)包括：半导体衬底(110)；至少一个沟槽(10)，设置于该半导体衬底(110)，并自该半导体衬底(110)的上表面向下形成；第一导电层(130)，设置在该半导体衬底(110)上方和该沟槽(10)内；第一绝缘层(120)，设置于该半导体衬底(110)与该第一导电层(130)之间，以将该第一导电层(130)与该半导体衬底(110)隔离；第二导电层(150)，设置在该半导体衬底(110)上方和该沟槽(10)内，且该第二导电层(150)包括相互独立的第一导电区域(151)和第二导电区域(152)，该第一导电区域(151)与该半导体衬底(110)电连接，该第二导电区域(152)与该第一导电层(130)电连接；第二绝缘层(140)，设置于该第一导电层(130)与该第二导电层(150)之间，以将该第一导电区域(151)与该第一导电层(130)隔离，以及将该第二导电区域(152)与该半导体衬底(110)隔离。
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公开(公告)号：CN109496353B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN201880002041.0
申请日：2018-10-15
申请人： 深圳市汇顶科技股份有限公司
IPC分类号： H01L25/16 , H01L27/12 , H01L21/84 , G02F1/1345 , G02F1/1362 , G06V40/13
摘要： 提供了一种具有薄膜晶体管器件的集成装置及其制备方法。所述集成装置包括：基底、芯片、刻蚀阻挡层和薄膜晶体管器件；所述薄膜晶体管器件设置在所述刻蚀阻挡层的上方，所述基底设置在所述刻蚀阻挡层的下方；在同一刻蚀条件下所述刻蚀阻挡层的刻蚀速率大于所述基底的刻蚀速率，所述基底的下表面向上延伸形成有槽状结构，所述槽状结构的底部设置有贯通所述刻蚀阻挡层的至少一个过孔，所述芯片设置在所述槽状结构内，所述芯片通过所述至少一个过孔连接至所述薄膜晶体管器件。本申请提供的集成装置，通过基底和薄膜晶体管器件形成薄膜晶体管(TFT)，并进一步地，使得用于控制TFT的芯片集成在TFT的基底内，能够有效简化集成装置的整体结构。
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公开(公告)号：CN112136212B
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN201980000565.0
申请日：2019-04-24
申请人： 深圳市汇顶科技股份有限公司
IPC分类号： H01L25/065
摘要： 本申请部分实施例提供了一种芯片互联装置及其制备方法。芯片互联装置包括：第一芯片102、第二芯片103、基板101桥结构；桥结构包括绝缘本体104、位于绝缘本体内的导电件111、位于绝缘本体的表面的第一焊点109和第二焊点110，导电件111的第一端与第一焊点109连接，且第二端与第二焊点110连接；第一芯片102与第一焊点109连接，第二芯片103与第二焊点110连接；第一芯片和第二芯片均与基板连接，使得在实现芯片与芯片之间电气互联的同时工艺流程更加简单，降低了组装难度。
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公开(公告)号：CN114207826A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202080035420.7
申请日：2020-06-28
申请人： 深圳市汇顶科技股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 一种图像传感器(20)，其包括具有多个基本单元的像素阵列，基本单元包括第一像素(111)、第二像素(112)和第三像素(113)，第一像素(111)为短波段光像素，第二像素(112)为中波段光像素；所述像素阵列在垂直方向上包括彩色滤光层(120)、第一衬底层(130)、介质层(140)和第二衬底层(150)；在第一衬底层(130)的正面形成有向第一衬底层(130)延伸的且与第一像素(111)相对应的第一凹槽(137)以及与第二像素(112)相对应的第二凹槽(138)，且第一凹槽(137)的深度大于第二凹槽(138)的深度。该图像传感器可以提高彩色图像成像的精确性。
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公开(公告)号：CN114127949A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202180004267.6
申请日：2021-02-07
申请人： 深圳市汇顶科技股份有限公司
IPC分类号： H01L29/10 , H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 本申请实施例提供一种场效应管及其制造方法。所述场效应管包括：基板，设置有源极和漏极，所述源极与所述漏极之间形成载流子传输沟道，其中，所述载流子传输沟道在所述基板的表面处形成具有至少一个沟槽的沟道表面；栅极电介质层，覆盖于所述具有至少一个沟槽的沟道表面；栅极，设置于所述栅极电介质层之上，其中，所述栅极和所述栅极电介质层被栅极侧墙包围，所述至少一个沟槽的延伸范围超过所述栅极的覆盖区域，所述至少一个沟槽的延伸范围不超过所述栅极侧墙的覆盖区域。在本发明实施例的方案中，在保证器件特性需求的情况下，减小了场效应管的器件版图面积。
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