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    一种玻璃基板封装结构及其制备方法
    1.
    发明公开
    一种玻璃基板封装结构及其制备方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN118658848A

    公开(公告)日：2024-09-17

    申请号：CN202410701175.9

    申请日：2024-05-31

    申请人： 深圳市纽菲斯新材料科技有限公司

    发明人： 沈榆程 ,  许伟鸿 ,  杨柳 ,  何岳山 ,  杨贵 ,  黄海隆

    IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/48

    摘要： 本发明提供一种玻璃基板封装结构及其制备方法。所述玻璃基板封装结构包括依次层叠设置的第一电路层、第一绝缘介质层、玻璃芯板、第二绝缘介质层和第二电路层；玻璃芯板中设置有通孔A，通孔A中填充有绝缘介质材料和金属柱，绝缘介质材料包覆所述金属柱；金属柱贯穿第一绝缘介质层和第二绝缘介质层，且与第二电路层、第二电路层连接。本发明通过对玻璃基板封装结构进行设计，进一步通过绝缘介质材料和金属柱填充通孔A，并设置绝缘介质材料包覆金属柱，提高了玻璃基板封装结构中金属柱与玻璃芯板之间的结合力，降低了玻璃芯板金属化的生产成本及工艺难度，制备得到了性能优异的玻璃基板封装结构。

    一种多层线路板互连结构及其制备方法、应用
    2.
    发明公开
    一种多层线路板互连结构及其制备方法、应用 审中-实审

    公开(公告)号：CN116437568A

    公开(公告)日：2023-07-14

    申请号：CN202310412701.5

    申请日：2023-04-10

    申请人： 深圳市纽菲斯新材料科技有限公司 ,  深圳市柳鑫实业股份有限公司

    发明人： 沈榆程 ,  许伟鸿 ,  杨柳 ,  何岳山 ,  张伦强 ,  刘飞 ,  杨贵

    IPC分类号： H05K1/14 ,  H05K1/11 ,  H05K3/46

    摘要： 本发明公开一种多层线路板互连结构及其制备方法、应用，多层线路板互连结构包括：至少两块层叠设置且固定连接的基板；所述基板包括：具有多层线路的芯板，所述芯板的第一表面设置有树脂连接层；所述芯板的与所述第一表面相对的第二表面设置有保护层；所述树脂连接层与所述保护层均设有第一盲孔；所述树脂连接层与所述保护层相互靠近的第一盲孔中设置有焊锡，所述至少两块基板通过所述焊锡固定连接。本发明通过在具有多层线路的基板的第一表面(上表面)和第二表面(下表面)分别设置树脂连接层和保护层，在现有锡球焊接的基础上，通过绝缘介质层将基板与基板之间进行进一步贴合，有效防止了基板大尺寸化和超薄化引起的翘曲现象。

    一种SLP类载板及其制备工艺和应用
    3.
    发明公开
    一种SLP类载板及其制备工艺和应用 审中-实审

    公开(公告)号：CN117320266A

    公开(公告)日：2023-12-29

    申请号：CN202311270977.0

    申请日：2023-09-27

    申请人： 深圳市纽菲斯新材料科技有限公司

    发明人： 沈榆程 ,  许伟鸿 ,  杨柳 ,  何岳山 ,  杨贵 ,  黄海隆

    IPC分类号： H05K1/03 ,  H05K3/06 ,  H05K3/18 ,  H05K3/46 ,  H05K3/38

    摘要： 本发明提供一种SLP类载板及其制备工艺和应用。所述制备工艺包括如下步骤：在芯层两侧分别设置第一介质层A和第一介质层B，并设置盲孔；然后在第一介质层A和第一介质层B的一侧分别设置第一镀铜层A和第一镀铜层B；分别在第一镀铜层A和第一镀铜层B的一侧分别设置感光干膜，并设置线路图；然后进行图形电镀，得到第一金属层A和第一金属层B，除去感光干膜；对第一镀铜层A和第一镀铜层B进行闪蚀，得到第一线路层A和第一线路层B；重复上述步骤，得到多层线路板；在多层线路板的两侧分别设置阻焊层，得到SLP类载板。本发明通过对SLP类载板制备工艺的设计，使用不带铜箔的积层材料成功制备得到了SLP类载板。

    一种玻璃基电路元器件及其制备方法和应用
    6.
    发明公开
    一种玻璃基电路元器件及其制备方法和应用 审中-公开

    公开(公告)号：CN116209161A

    公开(公告)日：2023-06-02

    申请号：CN202310243374.5

    申请日：2023-03-14

    申请人： 深圳市纽菲斯新材料科技有限公司

    发明人： 沈榆程 ,  许伟鸿 ,  杨柳 ,  何岳山 ,  刘飞 ,  刘汉成 ,  练超 ,  李东伟 ,  王粮萍

    IPC分类号： H05K3/00 ,  H05K3/18 ,  H05K3/42 ,  H05K3/06 ,  H05K3/46

    摘要： 本发明提供一种玻璃基电路元器件及其制备方法和应用。所述制备方法包括如下步骤：对上下表面均设置有绝缘介质层的玻璃基板进行激光处理，去除部分绝缘介质层，同时在所述玻璃基板上形成激光诱导区域，得到经激光处理的复合层；对复合层进行沾污处理和腐蚀处理，得到带通孔的复合层；在复合层表面设置种子金属层，进行图形电镀掩膜，设置第一电路层，去除图形电镀掩膜以及部分种子金属层后，在其上下表面分别交叠绝缘介质层和第二电路层后，得到多层线路板，在多层线路板的上下表面分别设置保护层，得到所述玻璃基电路元器件。本发明中采用激光处理和腐蚀处理，制备得到了性能优异、良率较高的玻璃基电路元器件。

    一种埋入式元器件基板及其制备方法和应用
    7.
    发明公开
    一种埋入式元器件基板及其制备方法和应用 审中-实审

    公开(公告)号：CN115939057A

    公开(公告)日：2023-04-07

    申请号：CN202211492235.8

    申请日：2022-11-25

    申请人： 深圳市纽菲斯新材料科技有限公司

    发明人： 沈榆程 ,  何岳山 ,  杨柳 ,  刘飞 ,  许伟鸿 ,  刘汉成 ,  练超 ,  李东伟 ,  王粮萍

    IPC分类号： H01L23/31

    摘要： 本发明提供一种埋入式元器件及其制备方法和应用。所述基板包括依次叠加设置的第一绝缘层、至少2层复合层、第一树脂层、芯层、第二树脂层、至少2层复合层、第二绝缘层和锡焊球；所述芯层中设置有通孔，通孔中设置有元器件；所述复合层、第一树脂层、第二树脂层中设置有盲孔，盲孔的位置与通孔的位置相对应；所述复合层包括相贴合的树脂层和线路层。本发明中通过将元器件设置于芯层通孔中，通过立体式分布，合理运用了基板空间，且制备得到的基板具有较好的介电性能和较低的热膨胀系数，适用于SiP封装。