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公开(公告)号：CN116516471A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310554381.7
申请日：2023-05-16
申请人： 深圳市重投天科半导体有限公司 , 江苏天科合达半导体有限公司 , 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本发明公开的外延反应器包括石墨腔室和反应腔室，石墨腔室包括上半月和下半月，上半月和下半月均设置于反应腔室内，且上半月和下半月之间形成供工艺气流通过的气流通道，该外延反应器还包括测距装置，测距装置可测定上半月和下半月在反应腔室内部的位置，以实现对石墨腔室相对反应腔室位置的精确定位。在每次拆除石墨腔室之前，通过测距装置可以精确得到石墨腔室在反应腔室中的安装位置，以此为位置基准，在重新安装石墨腔室时，再次通过测距装置进行测距，根据前后数据的对比即可以清晰的判断出石墨腔室在反应腔室中的位置有无偏移，以实现石墨腔室相对于反应腔室的精准定位，从而保证了石墨腔室在重新安装后，反应腔的温场不会发生改变。
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公开(公告)号：CN116539397A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310686406.9
申请日：2023-06-09
申请人： 深圳市重投天科半导体有限公司 , 江苏天科合达半导体有限公司 , 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本发明公开一种碳化硅腐蚀装置，包括加热桶，支架和观测装置；加热桶用于盛装碱性腐蚀原料，上端开口；待观测晶片位于加热桶的开口上方处受碱性腐蚀原料的蒸汽腐蚀；支架用于放置待观测晶片，并能使待观测晶片在水平方向上移动以便选择观测区域对准观测装置；观测装置用于观察晶片的腐蚀过程。该装置利用加热桶盛装碱性腐蚀原料，利用支架放置待观测晶片，通过碱性腐蚀原料的蒸汽腐蚀待观测晶片，并在腐蚀过程中利用观测装置观察晶片表面的腐蚀过程，无需对待观测晶片进行研磨，防止晶片腐蚀过程中的重要信息因研磨过度而丢失，利于更好地研究晶片表面缺陷的演化和移动情况。本发明还提供一种用于上述碳化硅腐蚀装置的碳化硅缺陷观测方法。
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公开(公告)号：CN115961346A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202211704156.9
申请日：2022-12-29
申请人： 深圳市重投天科半导体有限公司 , 北京天科合达半导体股份有限公司 , 江苏天科合达半导体有限公司
IPC分类号： C30B25/14 , C30B25/16 , C30B29/36 , C23C16/455
摘要： 本发明公开了一种大尺寸碳化硅外延气体供应装置，包括内部具有通气腔的壳体，所述通气腔的中部通过主隔板围合而成有主通路，所述主通路的延伸方向与所述通气腔的延伸方向一致，所述主隔板的外壁与所述通气腔的内壁之间形成供氢气流通的外围旁路；所述主通路内平行设置有两个内横隔板，两所述内横隔板之间、所述主隔板的内壁与任一所述内横隔板的侧壁之间分别形成供前驱气体和掺杂气体流通的主气道。该大尺寸碳化硅外延气体供应装置能够优化大尺寸碳化硅外延片的浓度均匀性调整效果，并使得大尺寸碳化硅外延片的厚度均匀性得以相应优化。本发明还公开了一种应用了该大尺寸碳化硅外延气体供应装置的大尺寸碳化硅外延气体供应方法。
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公开(公告)号：CN116497341B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202310540606.3
申请日：2023-05-12
申请人： 深圳市重投天科半导体有限公司 , 江苏天科合达半导体有限公司 , 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本发明公开的预热装置用于安装晶圆并对工艺气流进行预热，该预热装置包括多个预热部，任意相邻两个预热部连接，以形成用于安装晶圆的环形预热安装台阶，且晶圆的一端与预热安装台阶的台阶面贴合。本发明提供的预热装置为分体式结构，避免了卡片现象的发生，同时方便了定时对预热装置表面杂质层的去除，解决了现有技术中预热装置随工艺次数的增加难以控制热场均匀性和工艺气流稳定性的问题，可以有效改善外延片的厚度均匀性和浓度均匀性，且具有结构简单、方便耐用、易清理打磨、节约成本等优点，增加了工艺稳定性。本发明还公开了一种外延生长设备和一种外延方法。
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公开(公告)号：CN116497341A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310540606.3
申请日：2023-05-12
申请人： 深圳市重投天科半导体有限公司 , 江苏天科合达半导体有限公司 , 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本发明公开的预热装置用于安装晶圆并对工艺气流进行预热，该预热装置包括多个预热部，任意相邻两个预热部连接，以形成用于安装晶圆的环形预热安装台阶，且晶圆的一端与预热安装台阶的台阶面贴合。本发明提供的预热装置为分体式结构，避免了卡片现象的发生，同时方便了定时对预热装置表面杂质层的去除，解决了现有技术中预热装置随工艺次数的增加难以控制热场均匀性和工艺气流稳定性的问题，可以有效改善外延片的厚度均匀性和浓度均匀性，且具有结构简单、方便耐用、易清理打磨、节约成本等优点，增加了工艺稳定性。本发明还公开了一种外延生长设备和一种外延方法。
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公开(公告)号：CN116397322A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202111626065.3
申请日：2021-12-28
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 新疆天科合达蓝光半导体有限公司 , 江苏天科合达半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种碳化硅单晶的生长装置，包括用于装载碳化硅原料的坩埚，还包括设置于所述坩埚内部的导流部。所述坩埚的上平面用于固定籽晶，在所述坩埚完成碳化硅原料的装载后，所述导流部的下端低于所述坩埚中的碳化硅原料上表面，用于将碳化硅原料分割为多个区域，所述导流部的上端高于所述坩埚的碳化硅原料上表面，多个区域的碳化硅原料升华为气相后，在所述导流部的导向作用下向上运动并接触所述籽晶。本发明提供的碳化硅单晶的生长装置，通过在坩埚内设置导流部，将升华的气相碳化硅原料均匀导向至坩埚顶部的籽晶，使得气相碳化硅原料在籽晶生长平面上均匀沉积，从而获得质量均匀的碳化硅单晶。
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公开(公告)号：CN116288672A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310150969.6
申请日：2023-02-22
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 江苏天科合达半导体有限公司 , 新疆天科合达蓝光半导体有限公司
摘要： 本申请提供了一种碳化硅单晶的生长方法，包括：在坩埚原料区的顶部区域放置第一碳化硅原料，在坩埚原料区的侧壁区域放置第二碳化硅原料，在坩埚原料区的底部区域放置第三碳化硅原料，在坩埚原料区的中心区域放置第四碳化硅原料，在籽晶的作用下，加热生长得到碳化硅单晶；所述第二碳化硅原料、第三碳化硅原料、第四碳化硅原料和第一碳化硅原料的硅碳比依次降低。本发明在坩埚原料区的不同区域设置具有不同硅碳比的碳化硅原料，获得了高质量的碳化硅单晶，结晶质量一致性好，包裹物密度小，该方法操作简单，有利于工业化生产。
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公开(公告)号：CN113186601B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202110484326.6
申请日：2021-04-30
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 江苏天科合达半导体有限公司 , 新疆天科合达蓝光半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种高质量碳化硅籽晶、碳化硅晶体、碳化硅衬底及其制备方法。本发明制备高质量的碳化硅籽晶，并控制碳化硅粉料、石墨坩埚及保温材料的杂质浓度，结合一定的晶体生长工艺以及晶片加工方式，得到了高质量的碳化硅衬底。所得碳化硅衬底具有高的结晶质量，极低的微管数量、螺位错密度和复合位错密度；同时具有极低的p型杂质浓度，表现出优良的电学性能；还具有高的表面质量。
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公开(公告)号：CN112725893B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202011536526.3
申请日：2020-12-23
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 北京天科合达新材料有限公司 , 江苏天科合达半导体有限公司 , 新疆天科合达蓝光半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种导电型碳化硅单晶，掺杂元素包括氮和原子半径大于硅的原子半径的元素；所述导电型碳化硅单晶的电阻率为0.01Ω·cm～0.05Ω·cm；所述原子半径大于硅的原子半径的元素的掺杂浓度为氮元素浓度的0.1％到10％。本发明中的碳化硅晶体，在氮元素掺入的基础上，通过原子半径大于硅的原子半径的元素的引入，并控制氮和原子半径大于硅的原子半径的元素的浓度，在保证电阻率处于导电类型碳化硅单晶衬底要求的基础上，能够补偿氮原子和碳原子尺寸差异引起的晶格畸变，降低晶体的内应力，降低晶体内部的位错密度。本发明还提供了一种导电型碳化硅单晶的制备方法。
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公开(公告)号：CN114597117A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210138486.X
申请日：2022-02-15
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 新疆天科合达蓝光半导体有限公司 , 江苏天科合达半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种碳化硅单晶衬底，包括第一表面和第二表面，所述第一表面包括钉扎区和制件区，所述钉扎区为人工设置的势阱，以将所述钉扎区周围区域的位错集中于所述钉扎区，所述第一表面上设置多个所述钉扎区；所述制件区用于制作半导体器件，所述制件区周围设置有所述钉扎区，以使得所述制件区中心区域的位错密度小于边缘区域。本发明提供的碳化硅单晶衬底，在制件区周围设置钉扎区，以将制件区上的位错集中在制件区边缘，从而使制件区中心区域的位错密度降低，并使用制件区中心区域来制作半导体器件的有效区域，即半导体器件上施加电压的区域，可以显著降低有效区域的位错密度，降低有效区域的失效概率，提高半导体器件的良品率。
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