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公开(公告)号：CN118510270A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410581940.8
申请日：2024-05-11
申请人： 清华大学
IPC分类号： H10B12/00
摘要： 本发明涉及微电子技术领域，特别涉及一种无电容动态随机存储器结构及其制备方法，其中，无电容动态随机存储器结构包括：低漏电晶体管和垂直互补场效应晶体管，其中，低漏电晶体管作为写管，低漏电晶体管的漏极与垂直互补场效应晶体管的共同栅极连接，以将目标数据写入预设数据源中；垂直互补场效应晶体管作为读管，垂直互补场效应晶体管中的P型晶体管的漏极、N型晶体管的漏极相互连接，P型晶体管的源极与供电端连接，N型晶体管的源极与地线连接，以从预设数据源中读取目标数据。由此，解决了现有无电容动态随机存储器结构读出速度慢，且应用到数字电路中，需要增加额外的电流‑电压转换模块，增加了电路复杂度、面积和成本等问题。
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公开(公告)号：CN115713102A
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202211482540.9
申请日：2022-11-24
申请人： 清华大学
IPC分类号： G06N3/063 , H01L27/092 , H01L21/8238 , G06T3/40 , G06F17/16
摘要： 一种芯片及其制备方法，该芯片包括衬底、控制电路、存内计算层和近存计算层；控制电路设置在衬底上，存内计算层和近存计算层设置在控制电路的远离衬底的一侧，其中，存内计算层设置在近存计算层的靠近或者远离衬底的一侧；存内计算层包括多个存储器，近存计算层包括多个垂直互补型场效应晶体管，多个存储器和多个垂直互补型场效应晶体管电连接于控制电路。该芯片的控制电路、存内计算层和近存计算层可以设置在同一衬底上，存内计算层和近存计算层可以分别执行不同的计算功能，使得芯片可以处理复杂的神经网络，例如深度学习超分辨率算法等。
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公开(公告)号：CN117766402A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311865728.6
申请日：2023-12-29
申请人： 清华大学
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/02
摘要： 一种半导体装置的制备方法、半导体装置和电子设备。该半导体装置的制备方法包括：在衬底上制备晶体管，其中，晶体管的半导体层包括铟基氧化物；通过物理气相沉积工艺在晶体管远离衬底一侧形成覆盖晶体管的钝化保护层；在钝化保护层远离衬底一侧形成钝化层。该半导体装置的制备方法可以提高半导体装置的性能和稳定性。
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公开(公告)号：CN117672295A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311841264.5
申请日：2023-12-28
申请人： 清华大学
IPC分类号： G11C11/4074 , G11C11/408 , G11C11/4094 , G11C11/4097
摘要： 一种存储器和存储装置，该存储器包括衬底基板、第一反相器和第三晶体管，第一反相器设置在衬底基板上，包括在垂直于衬底基板的方向叠置的第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管和第二晶体管包括共用的第一栅极，第一晶体管还包括设置在第一栅极的靠近衬底基板一侧的第一源极和第一漏极，第二晶体管还包括设置在第一栅极的远离衬底基板一侧的第二源极和第二漏极，第一漏极和第二漏极通过第一过孔电连接，第一源极配置为接收第一电源信号，第二源极配置为接收第二电源信号，第三晶体管包括第二栅极和第三源极和第三漏极，第二栅极电连接第一字线，第三源极电连接第一位线，第三漏极电连接第一栅极。该存储器占据面积小且易于采用后道工艺制作。
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公开(公告)号：CN115799258A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211482707.1
申请日：2022-11-24
申请人： 清华大学
IPC分类号： H01L27/092 , H01L21/8238
摘要： 一种场效应晶体管及其制备方法。该场效应晶体管包括衬底和设置在衬底上的第一半导体层和第一源漏电极层、第一绝缘层、栅极、第二绝缘层、第二半导体层和第二源漏电极层；第一源漏电极层包括间隔的第一源极和第一漏极，第一绝缘层包括暴露第一漏极的第一过孔，栅极设置在第一绝缘层的远离衬底的一侧，第二绝缘层包括暴露第一过孔的第二过孔，第二半导体层和第二源漏电极层设置在第二绝缘层的远离衬底的一侧，第二源漏电极层包括间隔的第二源极和第二漏极，第二漏极通过第一过孔和第二过孔与第一漏极电连接；以上结构形成共用栅极的第一晶体管和第二晶体管，且其中的一个为P型晶体管，另一个为N型晶体管，由此形成垂直互补型场效应晶体管。
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