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公开(公告)号：CN106435491B
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201510477922.6
申请日：2015-08-06
申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/56 , C23C14/08 , H01L29/786
摘要： 本发明涉及一种氧化物半导体膜，含有铟元素(In)、铈元素(Ce)、锌元素(Zn)及氧元素(O)，该In:Ce:Zn的摩尔比为2:1:(0.5~2)，氧化物半导体膜为n型半导体，载流子浓度为1012cm‑3~1020cm‑3，载流子迁移率为5.0 cm2V‑1s‑1~45.0 cm2V‑1s‑1。本发明还涉及一种氧化物半导体膜的制备方法，溅射靶及其制备方法。
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公开(公告)号：CN106206743A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201510219860.9
申请日：2015-05-04
申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/24 , H01L29/66 , H01L21/02 , H01L27/12
摘要： 本发明涉及一种薄膜晶体管，包括半导体层、源极、漏极、栅极及绝缘层，该源极与漏极间隔设置，该半导体层与该源极和漏极电连接，该栅极通过该绝缘层与该半导体层、源极及漏极绝缘设置，该半导体层为一氧化物半导体膜，该氧化物半导体膜含有铟元素(In)、铈元素(Ce)、锌元素(Zn)及氧元素(O)，该In:Ce:Zn的摩尔比为2:(0.5~2):1，氧化物半导体膜为n型半导体，12 -3 20 -3载流子浓度为10 cm ~10 cm ，载流子迁移率为5.0cm2V-1s-1~45.0cm2V-1s-1。本发明还涉及一种薄膜晶体管的制备方法，一薄膜晶体管面板及一显示装置。
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公开(公告)号：CN106206245A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201510231321.7
申请日：2015-05-08
申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： C23C14/086 , C04B35/457 , C04B35/6261 , C04B35/6455 , C04B2235/40 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/661 , C04B2235/77 , C23C14/0036 , C23C14/3414 , C23C14/35 , C23C14/5806 , H01J37/3429 , H01L29/7869 , H01L2251/306
摘要： 一种氧化亚锡薄膜的制备方法，包括：提供一基底与一锡氧化物靶材，该锡氧化物靶材包括混合均匀的单质Sn和SnO2，且该锡氧化物靶材中Sn原子与O原子的原子比为1:2
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公开(公告)号：CN106187100A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201510220030.8
申请日：2015-05-04
申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC分类号： C04B35/01 , C04B35/50 , C04B35/622
CPC分类号： C23C14/3414 , B28B3/00 , C23C14/08 , H01J37/3414 , H01J37/3426 , H01J37/3429 , H01J37/3491
摘要： 本发明涉及一种溅射靶，含有化合物In2CexZnO4+2x，其中x=0.5~2。本发明还涉及一种溅射靶，该溅射靶由In2O3、CeO2及ZnO混合后烧结形成，该In2O3、CeO2及ZnO的摩尔比为1:(0.5~2):1。本发明还涉及一种溅射靶的制备方法，包括将In2O3粉末、CeO2粉末及ZnO粉末均匀混合形成一混合体，该混合体中In:Ce:Zn的摩尔比为2:(0.5~2):1；以及将该混合体在1250°C~1650°C进行烧结。
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公开(公告)号：CN106206743B
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201510219860.9
申请日：2015-05-04
申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/24 , H01L29/66 , H01L21/02 , H01L27/12
摘要： 本发明涉及一种薄膜晶体管，包括半导体层、源极、漏极、栅极及绝缘层，该源极与漏极间隔设置，该半导体层与该源极和漏极电连接，该栅极通过该绝缘层与该半导体层、源极及漏极绝缘设置，该半导体层为一氧化物半导体膜，该氧化物半导体膜含有铟元素(In)、铈元素(Ce)、锌元素(Zn)及氧元素(O)，该In:Ce:Zn的摩尔比为2:(0.5~2):1，氧化物半导体膜为n型半导体，载流子浓度为1012cm‑3~1020cm‑3，载流子迁移率为5.0 cm2V‑1s‑1~45.0 cm2V‑1s‑1。本发明还涉及一种薄膜晶体管的制备方法，一薄膜晶体管面板及一显示装置。
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公开(公告)号：CN106206684B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201510219946.1
申请日：2015-05-04
申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
摘要： 本发明涉及一种氧化物半导体膜，含有铟元素(In)、铈元素(Ce)、锌元素(Zn)及氧元素(O)，该In:Ce:Zn的摩尔比为2:(0.5~2):1，氧化物半导体膜为n型半导体，载流子浓度为1012cm‑3~1020cm‑3，载流子迁移率为5.0 cm2V‑1s‑1~45.0 cm2V‑1s‑1。本发明还涉及一种氧化物半导体膜的制备方法。
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公开(公告)号：CN106187100B
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201510220030.8
申请日：2015-05-04
申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC分类号： H01L29/24 , C04B35/01 , C04B35/50 , C04B35/622
摘要： 本发明涉及一种溅射靶，含有化合物In2CexZnO4+2x，其中x=0.5~2。本发明还涉及一种溅射靶，该溅射靶由In2O3、CeO2及ZnO混合后烧结形成，该In2O3、CeO2及ZnO的摩尔比为1:(0.5~2):1。本发明还涉及一种溅射靶的制备方法，包括将In2O3粉末、CeO2粉末及ZnO粉末均匀混合形成一混合体，该混合体中In:Ce:Zn的摩尔比为2:(0.5~2):1；以及将该混合体在1250°C~1650°C进行烧结。
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公开(公告)号：CN106435490B
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201510477921.1
申请日：2015-08-06
申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC分类号： C23C14/3414 , B28B3/00 , C04B35/00 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/6261 , C04B35/645 , C04B35/6455 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3256 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/658 , C04B2235/77 , C23C14/08 , C23C14/086 , H01B1/08 , H01J37/3429 , H01L29/24 , H01L29/78693
摘要： 本发明涉及一种氧化物半导体膜，含有铟元素(In)、铈元素(Ce)、锌元素(Zn)、掺杂金属元素(M)及氧元素(O)，该In:Ce:Zn的摩尔比为2:(0.5~2):1，氧化物半导体膜为n型半导体，载流子浓度为1012cm‑3~1020cm‑3，载流子迁移率为5.0 cm2V‑1s‑1~46.3 cm2V‑1s‑1。本发明还涉及一种氧化物半导体膜的制备方法，溅射靶及其制备方法。
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公开(公告)号：CN106435491A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201510477922.6
申请日：2015-08-06
申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/56 , C23C14/08 , H01L29/786
CPC分类号： C23C14/3414 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/645 , C04B35/6455 , C04B2235/3229 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/658 , C04B2235/77 , C23C14/08 , H01B1/08 , H01J37/3429 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/78693
摘要： 本发明涉及一种氧化物半导体膜，含有铟元素(In)、铈元素(Ce)、锌元素(Zn)及氧元素(O)，该In:Ce:Zn的摩尔比为2:1:(0.5~2)，氧化物半导体膜为n型半导体，载流子浓度为1012cm-3~1020cm-3，载流子迁移率为5.0cm2V-1s-1~45.0cm2V-1s-1。本发明还涉及一种氧化物半导体膜的制备方法，溅射靶及其制备方法。
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