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公开(公告)号：CN117097361A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202310900173.8
申请日：2023-07-20
申请人： 湖北九峰山实验室
摘要： 本发明涉及射频技术领域，具体涉及一种集成多频段天线和射频开关的器件。该器件包括衬底、衬底上开设通孔制作而成的基片集成波导、沉积在衬底正面的基片集成波导的上层电极、制作在衬底背面的缝隙天线和贴片天线、制作在衬底正面的至少两个相变射频开关；所述缝隙天线围设在贴片天线四周且两者的中心重合，所述缝隙天线和贴片天线边缘均开设有用于调节频率谐振点的缺口，所述缝隙天线和贴片天线在衬底上的正投影均位于基片集成波导内部；所述缝隙天线通过基片集成波导实现馈电，所述相变射频开关通过金属桥与上层电极电连接。该器件不仅可以实现多频段的工作，而且芯片面积更小，集成度更高。
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公开(公告)号：CN116367705A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310301854.2
申请日：2023-03-26
申请人： 湖北九峰山实验室
摘要： 本发明公开了一种氧化镓耿氏二极管，包括：氧化镓衬底，位于所述氧化镓衬底上方的氧化镓缓冲层，位于所述氧化镓缓冲层上方的氧化镓沟道层；所述氧化镓沟道层为凸台结构，所述凸台结构中间平台上方有势垒层，所述凸台结构两侧凸台肩部上方有n+Ga2O3层，所述n+Ga2O3层上方有欧姆电极。本发明提供的氧化镓耿氏二极管相对传统的GaAs、GaN耿氏二极管具有更高的输出功率密度，能够更好地满足太赫兹领域的应用需求。
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公开(公告)号：CN116053306A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310098925.3
申请日：2023-01-29
申请人： 湖北九峰山实验室
IPC分类号： H01L29/24 , H01L29/06 , H01L29/778 , H01L21/34
摘要： 本发明提供一种基于氮化镓的高电子迁移率晶体管器件及其制备方法，上述的基于氮化镓的高电子迁移率晶体管器件包括：外延衬底、源极、漏极及栅极；外延衬底包括衬底层、m‑GaN层和ε‑Ga2O3层，其中，m‑GaN层设于衬底上，ε‑Ga2O3层设于m‑GaN层背离衬底层的一侧；栅极设于ε‑Ga2O3层背离m‑GaN层的一侧，源极和漏极均设于m‑GaN层背离衬底层的一侧、且位于ε‑Ga2O3层的两端。该高电子迁移率晶体管器件通过在衬底设置m‑GaN层和ε‑Ga2O3层形成ε‑Ga2O3/m‑GaN异质结，其中，ε‑Ga2O3层为势垒层，相较于现有技术，具有器件饱和电流大、器件漏电流低，以及器件稳定性和可靠性高的优点。
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公开(公告)号：CN117113910B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202310885867.9
申请日：2023-07-17
申请人： 湖北九峰山实验室
IPC分类号： G06F30/39 , G06F30/398 , G06F30/392
摘要： 本发明提供一种高性能集成无源器件模型及工艺设计套件的制作方法，包括：设计相变射频开关器件和相变射频开关器件的测试结构和去嵌结构；基于测试结构和去嵌结构，对相变射频开关器件进行测试，得到相变射频开关器件的测试数据；基于测试数据，建立相变射频开关器件的可缩放等效电路模型，开发相变射频开关的工艺设计套件；将相变射频开关器件和集成无源器件制备于同一衬底上。本发明在现有的集成无源器件工艺中增加相变射频开关器件的工艺流程，实现在同一种工艺中开发集成无源器件和相变开关器件的模型和工艺设计套件PDK，拓展了传统集成无源器件的使用场景，增加开关电路的功能，且相变射频开关器件模型具有可缩放特性。
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公开(公告)号：CN117113910A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202310885867.9
申请日：2023-07-17
申请人： 湖北九峰山实验室
IPC分类号： G06F30/39 , G06F30/398 , G06F30/392
摘要： 本发明提供一种高性能集成无源器件模型及工艺设计套件的制作方法，包括：设计相变射频开关器件和相变射频开关器件的测试结构和去嵌结构；基于测试结构和去嵌结构，对相变射频开关器件进行测试，得到相变射频开关器件的测试数据；基于测试数据，建立相变射频开关器件的可缩放等效电路模型，开发相变射频开关的工艺设计套件；将相变射频开关器件和集成无源器件制备于同一衬底上。本发明在现有的集成无源器件工艺中增加相变射频开关器件的工艺流程，实现在同一种工艺中开发集成无源器件和相变开关器件的模型和工艺设计套件PDK，拓展了传统集成无源器件的使用场景，增加开关电路的功能，且相变射频开关器件模型具有可缩放特性。
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公开(公告)号：CN116847724A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310770628.9
申请日：2023-06-27
申请人： 湖北九峰山实验室
摘要： 本发明涉及一种集成射频相变开关、天线和滤波器的器件。该器件至少包括衬底，衬底上开设有电磁波辐射缝隙和两排阵列化的金属通孔，每个金属通孔为一个谐振腔，两排互相对立的金属通孔组成谐振器，通过多组谐振器实现滤波功能；电磁波辐射缝隙位于谐振器的末端且和最后一级SIW的耦合系数等于滤波器最后两级SIW的耦合系数，电磁波通过缝隙向外辐射实现天线功能；衬底的一侧面沉积有隔离层，隔离层上制备有基于相变材料的射频开关和作为SIW器件上层电极的金属层A，金属层A通过空气桥走线与射频开关连接。本发明在同一衬底上实现滤波器、天线和开关的集成，各模块的馈电互联通过背孔实现，集成度更高且连接损耗更小。
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公开(公告)号：CN116190336A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310131707.5
申请日：2023-02-15
申请人： 湖北九峰山实验室
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/528 , H01L23/66 , H01L21/768 , H01L25/18 , H01P1/207
摘要： 本发明涉及无线通讯设备领域，具体涉及一种射频集成化设备及其制备方法。该集成化设备至少包括位于射频芯片衬底上的基于基片集成波导的滤波器，所述基片集成波导通过在射频芯片衬底上开设SIW通孔制备得到，所述射频芯片衬底上还开设有背孔，所述SIW通孔及背孔中均沉积有金属，所述滤波器通过SIW通孔和背孔以及衬底背面沉积的金属与射频芯片互联。其通过同时在衬底上开设SIW通孔和背孔，并沉积金属，利用SIW通孔在衬底里面制作SIW滤波器，同时通过SIW通孔和背孔实现滤波器和射频芯片的互联，寄生效应小，传输损耗低、集成度高。
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公开(公告)号：CN117038711B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202310906165.4
申请日：2023-07-20
申请人： 湖北九峰山实验室
IPC分类号： H01L29/10 , H01L29/267 , H01L29/423 , H01L29/778 , H01L21/34
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公开(公告)号：CN118966130A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202410909637.6
申请日：2024-07-08
申请人： 湖北九峰山实验室
IPC分类号： G06F30/392 , G06F30/27 , G06N3/0499
摘要： 本发明提供一种基于ANN模型的巴伦芯片结构设计方法，提出一种先对巴伦结构进行参数化版图开发，然后进行扫参，获得巴伦结构的大量仿真数据后对ANN模型进行训练，通过ANN模型，可以快速得到巴伦结构尺寸参数初值，生成巴伦版图，最后通过设置优化目标进行自动优化或者通过调谐扫参等方法完成巴伦芯片结构的优化设计。若更改巴伦芯片结构的仿真数据，仅需通过ANN模型能够快速获得巴伦芯片结构的尺寸参数初值，扫参、优化仿真即可快速获得新要求的所需巴伦芯片结构，无需再进行原理分析，和尺寸参数初值计算等步骤，具有复用性好，设计速度快，巴伦版图修改简单、可以扫参优化等优点。
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