公开(公告)号：CN110323270B

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN201910575383.8

申请日：2019-06-28

申请人： 滁州惠科光电科技有限公司 ,  北海惠科光电技术有限公司

发明人： 夏玉明 ,  卓恩宗

IPC分类号： H01L29/40 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786 ,  G02F1/1368

摘要： 本发明涉及一种石墨烯导电薄膜的制备方法及薄膜晶体管，通过制备阳极氧化铝模板，利用原子层沉积技术在模板中制备金属催化颗粒，通过孔道有序调节与控制金属催化颗粒的排布情况及填充厚度，提高生产效率；再对金属催化颗粒进行加热退火处理获得厚度均匀的金属催化薄膜，从而使金属催化薄膜作为石墨烯纳米线生长的载体和催化剂，使石墨烯纳米线均匀可控地生长；再去除阳极氧化铝模板和金属催化薄膜后获取石墨烯纳米线成膜液，将石墨烯纳米线成膜液沉积在基板上，获得厚度均匀稳定的石墨烯导电薄膜，从而提高石墨烯导电薄膜的可控性和生长效率，实现更高的透明性和导电性。该方法制备的石墨烯纳米线易于控制且密度高，适合工业化使用。

公开(公告)号：CN110400832A

公开(公告)日：2019-11-01

申请号：CN201910508213.8

申请日：2019-06-12

申请人： 北海惠科光电技术有限公司 ,  滁州惠科光电科技有限公司

发明人： 夏玉明 ,  卓恩宗

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  H01L21/02

摘要： 本发明公开了一种阵列基板的制备方法，包括以下步骤：在玻璃基板上沉积第一金属层，作为阵列基板的栅极；在所述栅极上沉积所述阵列基板的栅绝缘层；在所述栅绝缘层上沉积金属硫化物层，作为所述阵列基板的有源层；在所述有源层上沉积第二金属层，并对所述第二金属进行涂覆蚀刻，以形成所述阵列基板的金属源极和金属漏极。在所述金属源极和所述金属漏极上沉积绝缘保护层。本发明还公开了一种阵列基板。达成了显示面板的亮度及PPI的效果。

公开(公告)号：CN110364440A

公开(公告)日：2019-10-22

申请号：CN201910508215.7

申请日：2019-06-12

申请人： 北海惠科光电技术有限公司 ,  滁州惠科光电科技有限公司

发明人： 雍万飞 ,  卓恩宗 ,  夏玉明

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  G02F1/1368

摘要： 本申请提供了一种薄膜晶体管的制造方法、基板及显示装置，包括在衬底上形成薄膜晶体管，其中，薄膜晶体管包括依次层叠的栅极层、栅极绝缘层、有源层、欧姆接触层以及源漏金属层；在源漏金属层背离欧姆接触层的表面涂布光刻胶，并通过第一光罩对光刻胶进行曝光并显影，以形成光刻胶层，其中，光刻胶层具有第一区域和第二区域；对第二区域暴露的源漏金属层、欧姆接触层以及有源层依次进行第一次湿法刻蚀和第一次干法刻蚀后，通过氧气对第一区域的光刻胶层进行预处理，其中，氧气的浓度为4000sccm～5000sccm。可以减少氧气与第一区域处的源漏金属层的表面进行反应，从而减少金属氧化物的数量，避免金属氧化物过多而造成的短路问题，以提高显示性能。

公开(公告)号：CN110364429A

公开(公告)日：2019-10-22

申请号：CN201910508412.9

申请日：2019-06-12

申请人： 北海惠科光电技术有限公司 ,  滁州惠科光电科技有限公司

发明人： 夏玉明 ,  卓恩宗

IPC分类号： H01L21/288 ,  H01L27/12 ,  B82Y30/00

摘要： 本发明公开一种金属纳米线薄膜及其制备方法以及薄膜晶体管阵列。其中，所述金属纳米线薄膜的制备方法包括以下步骤：以铝基板为基材，采用阳极氧化法制备多孔阳极氧化铝模板；以所述多孔阳极氧化铝模板为阴极，惰性电极为阳极，于含金属离子的电化学沉积液中进行电化学沉积，得到沉积有金属纳米线的氧化铝模板，并采用模板去除剂去除氧化铝模板，得到金属纳米线；采用水和醇溶液对所述金属纳米线进行漂洗，并将漂洗后的金属纳米线分散至成膜溶液中，得到膜液；将所述膜液涂覆于基板的表面，退火干燥得到金属纳米线薄膜。本发明的技术方案能够减小金属纳米线薄膜的雾度。

公开(公告)号：CN110323270A

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201910575383.8

申请日：2019-06-28

申请人： 滁州惠科光电科技有限公司 ,  北海惠科光电技术有限公司

发明人： 夏玉明 ,  卓恩宗

IPC分类号： H01L29/40 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786 ,  G02F1/1368

摘要： 本发明涉及一种石墨烯导电薄膜的制备方法及薄膜晶体管，通过制备阳极氧化铝模板，利用原子层沉积技术在模板中制备金属催化颗粒，通过孔道有序调节与控制金属催化颗粒的排布情况及填充厚度，提高生产效率；再对金属催化颗粒进行加热退火处理获得厚度均匀的金属催化薄膜，从而使金属催化薄膜作为石墨烯纳米线生长的载体和催化剂，使石墨烯纳米线均匀可控地生长；再去除阳极氧化铝模板和金属催化薄膜后获取石墨烯纳米线成膜液，将石墨烯纳米线成膜液沉积在基板上，获得厚度均匀稳定的石墨烯导电薄膜，从而提高石墨烯导电薄膜的可控性和生长效率，实现更高的透明性和导电性。该方法制备的石墨烯纳米线易于控制且密度高，适合工业化使用。

公开(公告)号：CN110364429B

公开(公告)日：2022-01-07

申请号：CN201910508412.9

申请日：2019-06-12

申请人： 北海惠科光电技术有限公司 ,  滁州惠科光电科技有限公司

发明人： 夏玉明 ,  卓恩宗

IPC分类号： H01L21/288 ,  H01L27/12 ,  B82Y30/00

摘要： 本发明公开一种金属纳米线薄膜及其制备方法以及薄膜晶体管阵列。其中，所述金属纳米线薄膜的制备方法包括以下步骤：以铝基板为基材，采用阳极氧化法制备多孔阳极氧化铝模板；以所述多孔阳极氧化铝模板为阴极，惰性电极为阳极，于含金属离子的电化学沉积液中进行电化学沉积，得到沉积有金属纳米线的氧化铝模板，并采用模板去除剂去除氧化铝模板，得到金属纳米线；采用水和醇溶液对所述金属纳米线进行漂洗，并将漂洗后的金属纳米线分散至成膜溶液中，得到膜液；将所述膜液涂覆于基板的表面，退火干燥得到金属纳米线薄膜。本发明的技术方案能够减小金属纳米线薄膜的雾度。

公开(公告)号：CN115172281A

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN202210886100.3

申请日：2022-07-26

申请人： 滁州惠科光电科技有限公司 ,  惠科股份有限公司

发明人： 卓恩宗 ,  夏玉明 ,  朱虹玲 ,  康报虹

IPC分类号： H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  H01L27/32 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/1362

摘要： 本申请提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板。制备方法包括：在基板上形成栅极和栅极绝缘层，栅极绝缘层覆盖栅极；在栅极绝缘层上通过原子层沉积工艺形成待转换层；对待转换层进行快速退火处理形成第一有源层；在第一有源层上形成间隔设置的源极和漏极，源极和漏极均连接第一有源层。通过本申请的制备方法制备得到的阵列基板的结晶度及原子有序性较高，电子迁移率高达2‑10cm2/Vs，能够适用于大尺寸(例如大于65寸)、高分辨率(例如8k)、高刷新率(例如大于等于120Hz)的显示面板。

公开(公告)号：CN110379819B

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN201910500007.2

申请日：2019-06-11

申请人： 滁州惠科光电科技有限公司 ,  惠科股份有限公司

发明人： 夏玉明 ,  卓恩宗

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  G02F1/1362

摘要： 本申请公开了一种阵列基板及其制造方法和显示面板，阵列基板的制造方法包括步骤：在一衬底基板上依次形成第一金属层、绝缘层、非晶硅层和第二金属层；对第二金属层进行蚀刻形成暴露出所述非晶硅层的沟道；利用氧气等离子体处理所述沟道，在所述非晶硅层上形成硅氧化物层；在所述第二金属层以及所述硅氧化物层上形成钝化层，在所述钝化层上形成透明电极层；其中，所述钝化层包括含氮和/或硅的化合物。利用氧气等离子体对沟道中进行处理，以使得钝化层与非晶硅层可以通过共价键等形式，进而减少二者界面接触的缺陷，从而提高界面的平整度和器件的稳定性。

公开(公告)号：CN110438472B

公开(公告)日：2021-08-31

申请号：CN201910564625.3

申请日：2019-06-27

申请人： 惠科股份有限公司 ,  滁州惠科光电科技有限公司

发明人： 夏玉明 ,  卓恩宗

IPC分类号： C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  H01L29/786 ,  H01L27/12

摘要： 本申请公开了一种铟镓锌氧化物薄膜的制作方法、薄膜晶体管和显示面板，在原子层沉积装置中持续通入预设时间的锌前驱体，完成通入后停留预设的时间，通入惰性气体吹扫，持续通入预设时间的氧前驱体，完成通入后停留预设的时间，通入惰性气体吹扫；持续通入预设时间的镓前驱体，完成通入后停留预设的时间，通入惰性气体吹扫，持续通入预设时间的氧前驱体，完成通入后停留预设的时间，通入惰性气体吹扫；持续通入预设时间的铟前驱体，完成通入后停留预设的时间，通入惰性气体吹扫，持续通入预设时间的氧前驱体，完成通入后停留预设的时间，通入惰性气体吹扫；重复预设次数上述的步骤以形成铟镓锌氧化物薄膜。

公开(公告)号：CN113140577A

公开(公告)日：2021-07-20

申请号：CN202110429860.7

申请日：2021-04-21

申请人： 滁州惠科光电科技有限公司 ,  惠科股份有限公司

发明人： 卓恩宗 ,  都桂卿 ,  朱虹玲 ,  郑浩旋

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  G02F1/1335

摘要： 本发明涉及液晶显示的技术领域，提供了一种阵列基板制备方法、阵列基板及显示面板，其中阵列基板制备方法包括：在第一基板上设置第一金属层；在第一金属层上设置半导体层；在半导体层上设置第二金属层；在第二金属层上设置第一保护层；在第一保护层上设置色阻层；对色阻层进行等离子体处理；在色阻层上设置第二保护层；通过上述技术方案，在设置色阻层后，对色阻层进行离子体处理，有利于将色阻层存放于第一保护层上，避免气泡的产生；同时色阻层置于第一保护层和第二保护层之间，提高了色阻层的可靠性，因此可以减小色阻层的厚度，同样可以减小气泡的产生。