公开(公告)号：CN103328695B

公开(公告)日：2017-12-26

申请号：CN201180065128.0

申请日：2011-12-21

申请人： 爱思开矽得荣株式会社

发明人： 宋到原 ,  文英熙 ,  李尚勋 ,  郑盛午 ,  李昌润

IPC分类号： C30B15/18 ,  C30B29/20 ,  H01L21/02

CPC分类号： C30B29/20 ,  C30B15/14 ,  C30B15/22 ,  C30B15/30

摘要： 提供一种电阻加热的蓝宝石单晶锭生长器、一种制造电阻加热的蓝宝石单晶锭的方法、一种蓝宝石单晶锭以及一种蓝宝石晶片。根据实施方式，电阻加热的蓝宝石单晶锭生长器包括：腔室；坩埚，所述坩埚被包括在所述腔室内并且含有氧化铝熔融物；以及电阻加热的加热器，所述电阻加热的加热器被包括在所述腔室的内部并且用于加热所述坩埚。

公开(公告)号：CN108368639A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201780004008.7

申请日：2017-02-20

申请人： 爱思开矽得荣株式会社

发明人： 姜仁求 ,  宋到原 ,  李成赞 ,  郑浩燮

IPC分类号： C30B15/22 ,  C30B15/10 ,  C30B15/14 ,  C30B35/00 ,  C30B29/06

CPC分类号： C30B15/10 ,  C30B15/14 ,  C30B15/22 ,  C30B29/06 ,  C30B35/00

摘要： 本发明涉及一种能够通过均匀地形成沿着熔融硅液表面流动的惰性气体的流速来精确控制熔融硅液表面上的氧挥发的单晶锭生长装置。本发明涉及一种单晶锭生长装置，包括：容纳有熔融硅液的坩埚；隔热构件，所述隔热构件被安装以悬在所述坩埚上方并且冷却从所述坩埚的熔融硅液生长的单晶锭；第一流动路径，所述第一流动路径形成在单晶锭的外周表面与所述隔热构件的内周表面之间，其中惰性气体垂直向下移动；和第二流动路径，所述第二流动路径形成在所述隔热构件的下端与所述熔融硅液的上表面之间，其中惰性气体水平向外移动，其中，单晶中的氧浓度根据所述第二流动路径与所述第一流动路径的体积比来控制。