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公开(公告)号：CN119361562A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411374833.4
申请日：2024-09-29
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/14 , H01L23/15 , H01L23/492 , H01L23/495 , H01L21/48 , H01L21/60
Abstract: 本发明实施例提供了一种直接键合铜基底、绝缘栅双极晶体管封装模块及制备工艺，直接键合铜基底可以包括：第一覆铜层；陶瓷层，一面与第一覆铜层的一面连接，陶瓷层添加有增韧物质；第二覆铜层，一面与陶瓷层的另一面连接。通过在陶瓷层添加增韧物质来对陶瓷层进行增韧，从而避免绝缘栅双极晶体管封装模块因为陶瓷层开裂而失效的问题。
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公开(公告)号：CN117672814A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311548736.8
申请日：2023-11-20
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L29/739
Abstract: 本发明实施例提供了一种钝化层的生长方法以及绝缘栅双极晶体管晶圆。在设置有正面金属层的晶圆表面基于钝化层设计投射紫外线；将光敏聚酰亚胺印刷至所述晶圆表面投射有紫外线处；所述光敏聚酰亚胺在紫外线投射下固化成型，形成满足钝化层设计的钝化层。可以按照芯片设计要求精准地在晶圆表面所需位置精准地配置钝化层，且厚度可控，使得制备得到的钝化层均匀度高，且可以省去刻蚀工序，避免刻蚀工序对晶圆表面可能带来的不良影响。
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公开(公告)号：CN217768361U
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202221521042.6
申请日：2022-06-16
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/427 , H01L23/367 , H01L23/467
Abstract: 本实用新型公开一种半导体器件封装模块，包括导线框架、半导体器件、封装体及平板热管；半导体器件具有至少一个底部引脚，底部引脚与导线框架的内接端子连接，并将半导体器件设置于导线框架顶部；导线框架、半导体器件封装于封装体内，并露出所述导线框架的外接端子；平板热管设置于所述半导体器件的顶部，平板热管全部或部分封装于所述封装体内。本实用新型通过将平板管引入半导体器件封装模块，利用平板热管将半导体器件的热量快速高效的转移，导热散热效率大大提升。此外，通过进一步设置上散热片和下散热片，并且分别暴露于封装体的顶部和底部，使得整个封装模块实现产品上下双面散热的效果。再者，上散热片和下散热片的横向开孔横向贯通封装体，更利于通过空气流通带走热量。
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公开(公告)号：CN221947154U
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202422052061.4
申请日：2024-08-23
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/498
Abstract: 本申请实施例提供了一种功率模块以及电子设备，功率模块包括：基板，以及连接于基板的功率模块芯片；其中，基板包括背离设置的第一侧与第二侧，第一侧设置有第一导电层，第二侧设置有导电槽和第二导电层，第二导电层的至少部分填充导电槽，功率模块芯片设置在导电槽内并通过第二导电层固定连接于导电槽。本申请实施例提供的功率模块，导电槽内填充第二导电层，功率模块芯片设置在导电槽内，并通过导电槽内的第二导电层直接与基板连接，保证了第二导电层与功率模块芯片之间的接触面积，可以有效避免功率模块芯片的虚焊问题，保证了功率模块的可靠性，此外，通过第二导电层直接连接功率模块芯片，省去了点锡步骤，提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN221379364U
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202322348542.5
申请日：2023-08-30
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/492 , H01L25/18
Abstract: 本实用新型公开一种DBC基板结构及IPM模块，通过至少两个DBC子基板相邻布设，相邻DBC子基板通过凹凸结构彼此嵌合拼接，这样可以有效避免一整个大块DBC基板的开裂问题，同时结构连接上更紧凑、更稳定；此外，相邻DBC子基板在拼接缝隙处涂刷导电浆并经过回流焊完成相邻DBC子基板之间的导电连接，更便于加工，良品率更高。
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