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公开(公告)号：CN119521686A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411322869.8
申请日：2024-09-23
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种二极管、功率模块及电子设备，二极管包括基体层和设于基体层上的第一金属层和至少两个电阻；第一金属层包括第一金属电极和第二金属电极；第一金属电极用于形成二极管的第一连接端子；第二金属电极与至少一个电阻连接，用于形成二极管的第二连接端子。从而，在第一金属电极电连接构成的电路结构中，二极管的阻值为二极管的自身的内阻，在第二金属电极电连接构成的电路结构中，二极管的阻值为二极管自身的内阻与第二金属电极所连接的电阻的阻值之和，因此使得二极管可以具有至少两种不同的阻值档位，适用于至少两种阻值范围的电路结构，有助于扩大二极管的适用范围。
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公开(公告)号：CN118738105B
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411210428.9
申请日：2024-08-30
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 本发明提供了一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法和用电器，涉及半导体领域。绝缘栅双极型晶体管包括：超结结构、场截止层、P型集电极、背面金属、N型载流子存储层、P型基区、N型发射极、第一栅、第二栅、介质层以及正面金属；超结结构由漂移区和半导体区组成，场截止层、P型集电极和背面金属依次层叠，位于超结结构的第二侧，且场截止层靠近超结结构；N型载流子存储层、P型基区、介质层和正面金属依次层叠，位于超结结构的第一侧，且N型载流子存储层靠近超结结构。本申请超结结构形成的横向电场会加快空穴的移除进而减少了空穴在P型基区和介质层底部的积累，进而优化了绝缘栅双极型晶体管的EMI，减小了正向开通损耗。
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公开(公告)号：CN117872084A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311766236.1
申请日：2023-12-20
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: G01R31/28
Abstract: 本申请公开一种电路板测试数据分析系统及方法，包括：工控机、PXI集成机箱和接口适配器，工控机与PXI集成机箱通信连接，PXI集成机箱与接口适配器连接，接口适配器用于连接待测电路板；工控机用于响应于待测电路板与接口适配器的连接操作，为待测电路板分配PXI集成机箱中的PXI测试通道；PXI测试通道与待测电路板的第一测试项对应；PXI集成机箱用于基于PXI测试通道，获取待测电路板对应PXI测试通道的测试数据；工控机用于将测试数据输入训练后的网络模型，输出待测电路板的第二测试项的预测测试结果；第二测试项为在第一测试项之后进行的测试项；工控机用于显示预测测试结果。该系统能对PCBA的多个测试内容进行全面测试，同时预测可能测试结果，提升测试效率。
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公开(公告)号：CN117293034A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311192697.2
申请日：2023-09-14
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/329 , H01L29/78 , H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/16 , H01L27/07 , H01L21/82
Abstract: 本申请提供了一种UMOSFET器件制备方法及器件。方法包括：在预处理后的衬底原料的上表面进行离子注入处理得到嵌入衬底原料的P型基区注入区、第一P+注入区和N+注入区；在N型外延层的上表面进行刻蚀处理形成碳化硅沟槽；对碳化硅沟槽进行多晶硅沉积，得到填充碳化硅沟槽的多晶硅栅电极；在第一P+注入区的上表面、N+注入区的上表面和多晶硅栅电极的上表面进行沉积处理得到正面欧姆金属接触区；在N型外延层的不存在正面欧姆金属接触区的上表面进行肖特基金属沉积处理得到肖特基接触区；在预处理后的衬底原料的下表面进行金属化得到背面漏极金属区。由于JBS二极管的P+和N‑结形成的耗尽区接触，优化器件的反向恢复性能，延长使用寿命。
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公开(公告)号：CN115633478A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211288556.6
申请日：2022-10-20
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本申请涉及电子器件技术领域，本申请公开一种功率模块及电子器件。其中功率模块，包括盖体、底座及弹性组件，底座开设有容纳芯片的容纳腔，所述容纳腔具有开口，弹性组件设置于盖体与底座之间，所述盖体压缩所述弹性组件封盖所述开口，所述盖体与所述底座可拆卸连接。与现有技术相比，通过在盖体与底座之间设置弹性组件，当需要拆卸盖体时，弹性组件给盖体与底座相对远离的弹力，进而提高盖体的拆卸效率，减小拆卸盖体过程中的误操作，避免对功率模块造成二次损伤，提高失效分析的检测精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115295518A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210819321.9
申请日：2022-07-12
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/49 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供了一种键合线、键合结构、键合方法及半导体器件，涉及半导体封装领域，该键合线包括线芯与包裹在所述线芯外的外覆层，所述外覆层材料的熔点低于所述线芯材料的熔点，所述线芯用于与目标器件键合连接，所述外覆层用于在熔化后包裹所述线芯与目标器件之间的键合连接点。基于本发明的技术方案，实现键合线与目标器件的双重连接，增加键合线与焊点之间的连接力，进而可以在满足工艺要求的前提下降低对于线芯键合工艺参数的要求，从而可以避免器件表面因键合工艺参数较大而导致弹坑并有效降低虚焊的风险。
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公开(公告)号：CN115132596A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210781089.4
申请日：2022-07-04
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本申请提供了一种芯片的封装方法和封装结构。该方法包括：提供基底，基底包括衬底、芯片结构以及金属层，其中，芯片结构位于衬底第一表面上，金属层位于衬底的第二表面上，第一表面与第二表面相对；在金属层远离衬底的表面上形成第一导电胶层，得到目标晶圆；对目标晶圆进行切割以及封装。该方法通过在衬底第二表面的金属层上形成第一导电胶层，可以增加目标晶圆的厚度，减小金属层的应力，因此，降低晶圆因太薄切割裂片的风险以及运输时容易碎片的风险，进而解决了现有技术中晶圆切割和运输过程中容易出现裂片或碎片的问题。
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公开(公告)号：CN112582386B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN201910925754.0
申请日：2019-09-27
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L23/367 , H01L23/498 , H01L21/50
Abstract: 本发明提供了一种功率模块及其制备方法、电器设备，该功率模块包括：DBC基板，所述DBC基板包括绝缘陶瓷层以及分别固定在所述绝缘陶瓷层相对两侧的电路层及散热层；设置在所述电路层上的至少一个第一芯片及至少一个第二芯片，且每个第一芯片与所述电路层电连接；镶嵌在所述绝缘陶瓷层并与所述电路层同层设置的印刷电路板；其中，所述印刷电路板与所述至少一个第一芯片电连接，且所述印刷电路板环绕所述至少一个第二芯片并与每个第二芯片电连接。在上述技术方案中，通过采用将印刷电路板镶嵌在DBC基板中用于走线，方便芯片的走线，并且芯片可以通过DBC基板直接散热，提高了散热效果。
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公开(公告)号：CN112993006A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201911276730.3
申请日：2019-12-12
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L29/739 , H01L21/336 , H01L21/335
Abstract: 本申请涉及电力电子器件技术领域，特别涉及一种终端结构、其制作方法及电子器件，其中，终端结构包括衬底，衬底具有主结原胞区和终端区，终端区包括靠近主结原胞区的过渡区和位于过渡区远离主结原胞区一侧的截止环；其中，衬底在位于过渡区与截止环之间的部位具有至少一个沟槽，终端区内形成有电容场板，电容场板覆盖各沟槽的侧面。本申请公开的终端结构，能够降低终端结构的面积占比，从而降低芯片的制造成本。
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公开(公告)号：CN112582386A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201910925754.0
申请日：2019-09-27
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L23/367 , H01L23/498 , H01L21/50
Abstract: 本发明提供了一种功率模块及其制备方法、电器设备，该功率模块包括：DBC基板，所述DBC基板包括绝缘陶瓷层以及分别固定在所述绝缘陶瓷层相对两侧的电路层及散热层；设置在所述电路层上的至少一个第一芯片及至少一个第二芯片，且每个第一芯片与所述电路层电连接；镶嵌在所述绝缘陶瓷层并与所述电路层同层设置的印刷电路板；其中，所述印刷电路板与所述至少一个第一芯片电连接，且所述印刷电路板环绕所述至少一个第二芯片并与每个第二芯片电连接。在上述技术方案中，通过采用将印刷电路板镶嵌在DBC基板中用于走线，方便芯片的走线，并且芯片可以通过DBC基板直接散热，提高了散热效果。
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