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公开(公告)号：CN118899285A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410421116.6
申请日：2024-04-09
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/498 , H01L21/60 , H01L25/16
摘要： 本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括：经由第一键合材料安装在芯片安装部分上的第一半导体芯片；以及经由第二键合材料安装在第一半导体芯片上的第二半导体芯片。第一半导体芯片包括：保护膜；以及在保护膜的第一开口部分中从保护膜被暴露的第一焊盘电极。第二半导体芯片经由第二键合材料安装在第一半导体芯片的第一焊盘电极上。第二键合材料包括：与第一焊盘电极接触的第一构件；以及被插入在第一构件与第二半导体芯片之间的第二构件。第一构件是膜状导电键合材料，并且第二构件是膜状绝缘键合材料。
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公开(公告)号：CN118055692A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202311407909.4
申请日：2023-10-27
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H10N97/00 , H01L25/18 , H01L23/522 , H01F19/00 , H01G4/002 , H01G4/005 , H02M7/00 , H02M7/5387 , H02M1/088 , H02P27/06
摘要： 本公开的各实施例涉及电子设备。作为第二变压器的组件的第二下部电感器与第二上部电感器之间的第二距离比作为第一变压器的组件的第一下部电感器与第一上部电感器之间的第一距离小。
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公开(公告)号：CN117790478A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311145382.2
申请日：2023-09-06
申请人： 瑞萨电子株式会社
摘要： 本公开涉及一种半导体装置，其中半导体芯片包括在不同电位之间执行无接触通信的变压器。半导体芯片包括半导体衬底、在半导体衬底的上表面中形成的半导体区域以及在半导体衬底之上形成的变压器。这里，变压器包括下电感器、电连接到下电感器的引线布线部分以及磁耦合到下电感器的上电感器100，并且引线布线部分具有面向半导体区域的布线。
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公开(公告)号：CN117476643A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202310843630.4
申请日：2023-07-11
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H01L27/088 , H01L29/78
摘要： 本公开涉及一种半导体装置，其中半导体衬底包括：n型衬底区域、布置在n型衬底区域上的不同位置处的n型第一半导体区域和第二半导体区域、形成在n型第一半导体区域上和第二半导体区域上的n型埋层、形成在n型埋层上并且彼此间隔开的p型第三半导体区域和p型第四半导体区域，以及从n型埋层到达半导体衬底的上表面的n型第五半导体区域。n型埋层、n型第一半导体区域和n型衬底区域存在于p型第三半导体区域和n型第五半导体区域下方。第一晶体管被形成在p型第三半导体区域的上部分中，并且第二晶体管被形成在p型第四半导体区域的上部分中。
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公开(公告)号：CN108931859B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN201810124748.0
申请日：2018-02-07
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： G02F1/025
摘要： 本发明提供一种半导体器件，实现内置有硅光调制器的半导体器件的小型化。半导体器件具有光调制器，该光调制器将第1光波导路、相位调制部(PM)、第2光波导路依次连接，沿第1方向(Y)对光进行引导，其中，相位调制部具有：半导体层(SL)，其由单晶硅构成，第1方向上的长度(L1)比与第1方向正交的第2方向(X)上的宽度(W1)大；芯部(CR)，其是形成于半导体层的光波导区域，沿第1方向延伸；一对板部(SB)，其在第2方向上配置于芯部的两侧；第1电极(Mp)，其与一个板部连接；和第2电极(Mn)，其与另一个板部连接。并且，芯部具有沿第1方向延伸的p型半导体区域和n型半导体区域，第2方向与半导体层的晶体取向 一致。
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公开(公告)号：CN116544221A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202211677925.0
申请日：2022-12-26
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H01L25/07 , H01L23/495 , H03K17/687
摘要： 一种半导体装置包括：第一半导体芯片，其包括n型的第一MOSFET和第一寄生二极管；以及第二半导体芯片，其包括n型的第二MOSFET和第二寄生二极管。第一源极电极和第一栅极布线形成在第一半导体芯片的第一正面中，第一漏极电极形成在第一半导体芯片的第一背面中。第二源极电极和第二栅极布线形成在第二半导体芯片的第二正面中，第二漏极电极形成在第二半导体芯片的第二背面中。第一正面和第二正面彼此面对，使得第一源极电极和第二源极电极经由导电膏彼此接触。
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公开(公告)号：CN114784105A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202111587696.9
申请日：2021-12-23
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/10 , H01L23/495
摘要： 本公开涉及半导体器件和半导体封装体。根据一个实施例的半导体器件包括：具有第一表面和在第一表面的相对侧上的第二表面的半导体衬底、形成在第一表面上的栅极绝缘膜、经由栅极绝缘膜形成在第一表面上的栅极，形成在半导体衬底的第一表面侧的源极区、形成为与源极区接触并包括沟道区的体区、形成在半导体衬底的第二表面侧的漏极区，以及形成为与体区的第二表面侧和漏极区的第一表面侧接触的漂移区。该半导体衬底具有形成在所述第二表面中且朝向第一表面凹陷的至少一个凹部部分。
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公开(公告)号：CN106405970B
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN201610391363.1
申请日：2016-06-03
申请人： 瑞萨电子株式会社
摘要： 本发明涉及使半导体器件的性能提高的半导体器件及其制造方法。具有光波导路和p型半导体部的半导体器件以如以方式构成。光波导路具有：形成在绝缘层上的第1半导体层、形成在第1半导体层上的绝缘层以及形成在绝缘层上的第2半导体层。此外，p型半导体部具有第1半导体层。而且，p型半导体部的膜厚比光波导路的膜厚小。这样，在第1半导体层和第2半导体层之间形成有绝缘层，因此，使得光波导路的膜厚和p型半导体部的膜厚的控制变得容易。特别是，在p型半导体部的形成工序中，在利用蚀刻除去不需要的第2半导体层之际，使下层的绝缘层作为蚀刻阻挡层发挥作用，从而能够容易地调整p型半导体部的膜厚。
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