公开(公告)号：CN102170270B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201110048769.7

申请日：2011-02-25

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 太田生马 ,  林范雄 ,  筒井孝幸 ,  森泽文雅 ,  长谷昌俊

IPC分类号： H03F3/195 ,  H03F1/30

CPC分类号： H03F3/45475 ,  H03F1/0266 ,  H03F1/301 ,  H03F1/56 ,  H03F3/195 ,  H03F3/245 ,  H03F2200/222 ,  H03F2200/27 ,  H03F2200/318 ,  H03F2200/387 ,  H03F2200/408 ,  H03F2200/447 ,  H03F2200/451 ,  H03F2200/453 ,  H03F2203/45528 ,  H03F2203/45594 ,  H03F2203/45604

摘要： 本发明提供一种高频功率放大器，其在半导体芯片上具有：与偏置控制电路(112)电流镜连接的偏置晶体管(516)和放大晶体管(513)；以及具有复制晶体管(421)的栅极长度监视电路(101)。放大晶体管(513)放大RF信号，并向偏置晶体管(516)供给偏置控制电路(112)的偏置电流。偏置晶体管(516)、放大晶体管(513)、复制晶体管(421)通过相同的半导体制造过程形成，具有相同的栅极长度偏差。栅极长度监视电路(101)生成依赖于栅极长度L的检测电压Vmon，偏置控制电路(112)根据检测电压来控制偏置电流，补偿放大晶体管(513)的跨导对栅极长度的依赖性。根据本发明，能够减轻功率放大场效应晶体管的对栅极长度的依赖性导致的功率增益变动。

公开(公告)号：CN102170270A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN201110048769.7

申请日：2011-02-25

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 太田生马 ,  林范雄 ,  筒井孝幸 ,  森泽文雅 ,  长谷昌俊

IPC分类号： H03F3/195 ,  H03F1/30

CPC分类号： H03F3/45475 ,  H03F1/0266 ,  H03F1/301 ,  H03F1/56 ,  H03F3/195 ,  H03F3/245 ,  H03F2200/222 ,  H03F2200/27 ,  H03F2200/318 ,  H03F2200/387 ,  H03F2200/408 ,  H03F2200/447 ,  H03F2200/451 ,  H03F2200/453 ,  H03F2203/45528 ,  H03F2203/45594 ,  H03F2203/45604

摘要： 本发明提供一种高频功率放大器，其在半导体芯片上具有：与偏置控制电路(112)电流镜连接的偏置晶体管(516)和放大晶体管(513)；以及具有复制晶体管(421)的栅极长度监视电路(101)。放大晶体管(513)放大RF信号，并向偏置晶体管(516)供给偏置控制电路(112)的偏置电流。偏置晶体管(516)、放大晶体管(513)、复制晶体管(421)通过相同的半导体制造过程形成，具有相同的栅极长度偏差。栅极长度监视电路(101)生成依赖于栅极长度L的检测电压Vmon，偏置控制电路(112)根据检测电压来控制偏置电流，补偿放大晶体管(513)的跨导对栅极长度的依赖性。根据本发明，能够减轻功率放大场效应晶体管的对栅极长度的依赖性导致的功率增益变动。