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公开(公告)号：CN102820856A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210270190.X
申请日：2010-02-03
申请人： 瑞萨电子株式会社
CPC分类号： H03F3/245 , H03F1/0272 , H03F3/195 , H03F3/68 , H03F2200/105 , H03F2200/108 , H03F2200/204 , H03F2200/222 , H03F2200/387 , H03F2200/408 , H03F2200/414 , H03F2200/417 , H03F2203/45136 , H03G3/3042
摘要： 本发明提供一种RF功率放大电路和使用该电路的RF功率模块。RF功率放大电路(313)具备前级放大器(310)、后级放大器(311)、控制部(312)。前级放大器响应于RF发送输入信号(Pin)，后级放大器响应于前级放大器输出的放大信号。控制部响应于输出功率控制电压(Vapc)对前后级放大器的无功电流进行控制，从而控制前后级放大器的增益。响应于输出功率控制电压，前后级放大器的无功电流和增益分别按第一连续函数(2ndAmp)、第二连续函数(3rdAmp)连续变化。第二连续函数比第一连续函数高一次以上的函数。减轻包含多级放大级的RF功率放大电路的低功率和中间功率时的功率附加效率(PAE)的降低。
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公开(公告)号：CN102170270B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201110048769.7
申请日：2011-02-25
申请人： 瑞萨电子株式会社
CPC分类号： H03F3/45475 , H03F1/0266 , H03F1/301 , H03F1/56 , H03F3/195 , H03F3/245 , H03F2200/222 , H03F2200/27 , H03F2200/318 , H03F2200/387 , H03F2200/408 , H03F2200/447 , H03F2200/451 , H03F2200/453 , H03F2203/45528 , H03F2203/45594 , H03F2203/45604
摘要： 本发明提供一种高频功率放大器，其在半导体芯片上具有：与偏置控制电路(112)电流镜连接的偏置晶体管(516)和放大晶体管(513)；以及具有复制晶体管(421)的栅极长度监视电路(101)。放大晶体管(513)放大RF信号，并向偏置晶体管(516)供给偏置控制电路(112)的偏置电流。偏置晶体管(516)、放大晶体管(513)、复制晶体管(421)通过相同的半导体制造过程形成，具有相同的栅极长度偏差。栅极长度监视电路(101)生成依赖于栅极长度L的检测电压Vmon，偏置控制电路(112)根据检测电压来控制偏置电流，补偿放大晶体管(513)的跨导对栅极长度的依赖性。根据本发明，能够减轻功率放大场效应晶体管的对栅极长度的依赖性导致的功率增益变动。
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公开(公告)号：CN101902207A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN201010174684.9
申请日：2010-05-07
申请人： 瑞萨电子株式会社
CPC分类号： H03F1/30 , H03F3/193 , H03F3/245 , H03F3/72 , H03F2200/111 , H03F2200/18 , H03F2200/318 , H03F2200/408 , H03F2203/7209
摘要： 本发明提供一种偏置电路、高功率放大器和便携信息终端。提供一种可以在低功率输出时减少增益变化、有助于设置输出功率并且不太可能受元件值的变化和产品之间的变化所影响的用于增益控制的偏置电路。假设在让三个偏置电路串行连接的HPA中使用。第三偏置电路的电流随着平方律特性而变化。平方律特性由包括线性放大器及其外围电路的缓冲放大器放大。第三偏置电路的输出电流根据从恒定电流源与线性放大器之间的连接点分支的连接有二极管的FET的电流可驱动性系数而变化。通过提供如下电路来控制第三偏置电路的输出电流，该电路从FET中流动的电流汲取某一数量的电流。
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公开(公告)号：CN102820856B
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201210270190.X
申请日：2010-02-03
申请人： 瑞萨电子株式会社
CPC分类号： H03F3/245 , H03F1/0272 , H03F3/195 , H03F3/68 , H03F2200/105 , H03F2200/108 , H03F2200/204 , H03F2200/222 , H03F2200/387 , H03F2200/408 , H03F2200/414 , H03F2200/417 , H03F2203/45136 , H03G3/3042
摘要： 本发明提供一种RF功率放大电路和使用该电路的RF功率模块。RF功率放大电路(313)具备前级放大器(310)、后级放大器(311)、控制部(312)。前级放大器响应于RF发送输入信号(Pin)，后级放大器响应于前级放大器输出的放大信号。控制部响应于输出功率控制电压(Vapc)对前后级放大器的无功电流进行控制，从而控制前后级放大器的增益。响应于输出功率控制电压，前后级放大器的无功电流和增益分别按第一连续函数(2ndAmp)、第二连续函数(3rdAmp)连续变化。第二连续函数比第一连续函数高一次以上的函数。减轻包含多级放大级的RF功率放大电路的低功率和中间功率时的功率附加效率(PAE)的降低。
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公开(公告)号：CN101807890B
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201010148514.3
申请日：2010-02-03
申请人： 瑞萨电子株式会社
CPC分类号： H03F3/245 , H03F1/0272 , H03F3/195 , H03F3/68 , H03F2200/105 , H03F2200/108 , H03F2200/204 , H03F2200/222 , H03F2200/387 , H03F2200/408 , H03F2200/414 , H03F2200/417 , H03F2203/45136 , H03G3/3042
摘要： 一种RF功率放大电路。RF功率放大电路(313)具备前级放大器(310)、后级放大器(311)、控制部(312)。前级放大器响应于RF发送输入信号(Pin)，后级放大器响应于前级放大器输出的放大信号。控制部响应于输出功率控制电压(Vapc)对前级放大器和后级放大器的无功电流进行控制，从而控制前级放大器和后级放大器的增益。响应于输出功率控制电压，前级放大器的无功电流和增益按第一连续函数(2ndAmp)连续变化，后级放大器的无功电流和增益按第二连续函数(3rdAmp)连续变化。第二连续函数比第一连续函数高一次以上的函数。减轻包含多级放大级的RF功率放大电路的低功率和中间功率时的功率附加效率(PAE)的降低。
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公开(公告)号：CN102170270A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201110048769.7
申请日：2011-02-25
申请人： 瑞萨电子株式会社
CPC分类号： H03F3/45475 , H03F1/0266 , H03F1/301 , H03F1/56 , H03F3/195 , H03F3/245 , H03F2200/222 , H03F2200/27 , H03F2200/318 , H03F2200/387 , H03F2200/408 , H03F2200/447 , H03F2200/451 , H03F2200/453 , H03F2203/45528 , H03F2203/45594 , H03F2203/45604
摘要： 本发明提供一种高频功率放大器，其在半导体芯片上具有：与偏置控制电路(112)电流镜连接的偏置晶体管(516)和放大晶体管(513)；以及具有复制晶体管(421)的栅极长度监视电路(101)。放大晶体管(513)放大RF信号，并向偏置晶体管(516)供给偏置控制电路(112)的偏置电流。偏置晶体管(516)、放大晶体管(513)、复制晶体管(421)通过相同的半导体制造过程形成，具有相同的栅极长度偏差。栅极长度监视电路(101)生成依赖于栅极长度L的检测电压Vmon，偏置控制电路(112)根据检测电压来控制偏置电流，补偿放大晶体管(513)的跨导对栅极长度的依赖性。根据本发明，能够减轻功率放大场效应晶体管的对栅极长度的依赖性导致的功率增益变动。
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