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公开(公告)号：CN1914787B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200580003514.1
申请日：2005-01-14
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H02M3/155 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L27/04 , H01L27/088 , H03K17/687
CPC分类号： H02M3/1588 , G05F1/44 , H02M7/538 , H03F3/217 , H03F2200/351 , H03F2200/78 , H03K17/063 , H03K17/687 , Y02B70/1466
摘要： 本发明提供一种开关式电源和半导体集成电路，即使当电源电压VDD为低电压时，其也能够获得高电位侧开关元件M1的足够的驱动电压。在控制电流通过开关元件流入感应器的开关式电源中，开关元件响应PWM信号执行开关操作，并通过与感应器串联提供的电容器形成输出电压，在开关元件的输出节点与预定电压端之间提供由自举电容和MOSFET构成的升压器电路，升高的电压用作开关元件的驱动电路的工作电压，源极和漏极区域中的另一个与衬底栅极彼此连接，使得在MOSFET呈OFF状态时，在源极和漏极区域之一与衬底栅极之间的结型二极管相对于由自举电容形成的升高电压被反向定向。
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公开(公告)号：CN102447388B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201110305102.0
申请日：2011-09-30
申请人： 瑞萨电子株式会社
CPC分类号： H02M3/158 , G06F1/26 , H02M3/1584 , H02M2003/1586
摘要： 本发明涉及电源装置。可以实现多相型电源装置的微型化。电源控制单元、多个装有PWM的驱动单元、以及多个电感器配置多相电源，在电源控制单元中，例如，微控制器单元、存储器单元和模拟控制器单元形成在单个芯片上。微控制器单元将每一个都具有基于存储器单元上的程序定义的频率和相位的时钟信号和相位输出到各个装有PWM的驱动电路。模拟控制器单元检测负载的电压值与经由串行接口获得的目标电压值之间的差值，并从串行接口输出误差放大信号。通过使用时钟信号和误差放大信号的峰值电流控制体系，装有PWM驱动单元的每一个驱动每一个电感器。
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公开(公告)号：CN107359155A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201710187607.9
申请日：2017-03-27
申请人： 瑞萨电子株式会社
CPC分类号： H01L23/34 , H01L21/26513 , H01L21/2855 , H01L21/30604 , H01L21/31111 , H01L21/32055 , H01L21/823412 , H01L23/5228 , H01L23/5286 , H01L23/53271 , H01L27/0629 , H01L28/20 , H01L29/0692 , H01L29/7393 , H01L29/74 , H01L29/78 , H01L29/7802 , H01L29/861 , H03K17/16 , H03K2017/0806 , H03K2217/0027 , H03K2217/0063 , H03K2217/0072 , H01L25/16 , G01K7/01
摘要： 本发明提供一种半导体器件和半导体装置，所述半导体器件包括功率器件和温度检测二极管。所述半导体器件具有被配置成使功率器件的电力线与温度检测二极管之间绝缘的器件结构。
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公开(公告)号：CN101902125A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN201010190358.7
申请日：2010-05-26
申请人： 瑞萨电子株式会社
CPC分类号： H02M3/157
摘要： 本发明提供一种高精度、低成本且低损失的数字控制IC以及利用该数字控制IC的数字控制电源装置。对于电压主电路(3)，在控制电路(2)上设有用于进行反馈控制的模拟/数字变换器即ADC(4)、比较器(5)、运算器(7)、数字脉宽调制器即DPWM(8)。比较器(5)对比ADC(4)进行模拟/数字变换的数字输出电压信息和目标电压信息，将其差分向误差修正部(10)输出。误差修正部(10)参考该差分即错误值信息，通过进行调整以使电源主电路(3)的输出电压(Vout)不在电源控制信号的分辨率界线附近的规定范围内，从而防止误差的累积的原因引起的输出电压(Vout)的变形即极限环振动的发生。
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公开(公告)号：CN103904893B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201310725908.4
申请日：2013-12-25
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H02M3/156
摘要： 本发明公开了一种半导体集成电路及其操作方法。通过减少从零电压开关（ZVS）的操作原理偏离来减少开关损耗。半导体集成电路包括高侧开关元件Q11和Q12、低侧开关元件Q2以及控制器CNT。去耦合电容Cin耦合于高侧元件的一端与接地电势之间，并且高侧元件包括并联耦合的第一和第二晶体管Q11和Q12。在将高侧元件从导通状态改变成关断状态时，CNT控制器Q12通过相对于Q11延迟Q12来控制Q12从导通状态到关断状态。在半导体芯片Chip1以内将Q11和Q12划分成多个部分，在半导体芯片Chip1以内在Q11和Q12的布置方向上交替地布置通过划分Q11而形成的多个部分第一晶体管和通过划分Q12而形成的多个部分第二晶体管。
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公开(公告)号：CN103904893A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201310725908.4
申请日：2013-12-25
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H02M3/156
CPC分类号： H02M3/158 , H01L2224/0603 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H02M2001/0058 , H03K17/122 , H03K17/164 , H03K2217/0036 , H03K2217/0063 , H03K2217/0072 , Y02B70/1491
摘要： 本发明公开了一种半导体集成电路及其操作方法。通过减少从零电压开关（ZVS）的操作原理偏离来减少开关损耗。半导体集成电路包括高侧开关元件Q11和Q12、低侧开关元件Q2以及控制器CNT。去耦合电容Cin耦合于高侧元件的一端与接地电势之间，并且高侧元件包括并联耦合的第一和第二晶体管Q11和Q12。在将高侧元件从导通状态改变成关断状态时，CNT控制器Q12通过相对于Q11延迟Q12来控制Q12从导通状态到关断状态。在半导体芯片Chip1以内将Q11和Q12划分成多个部分，在半导体芯片Chip1以内在Q11和Q12的布置方向上交替地布置通过划分Q11而形成的多个部分第一晶体管和通过划分Q12而形成的多个部分第二晶体管。
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公开(公告)号：CN102447388A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110305102.0
申请日：2011-09-30
申请人： 瑞萨电子株式会社
CPC分类号： H02M3/158 , G06F1/26 , H02M3/1584 , H02M2003/1586
摘要： 本发明涉及电源装置。可以实现多相型电源装置的微型化。电源控制单元、多个装有PWM的驱动单元、以及多个电感器配置多相电源，在电源控制单元中，例如，微控制器单元、存储器单元和模拟控制器单元形成在单个芯片上。微控制器单元将每一个都具有基于存储器单元上的程序定义的频率和相位的时钟信号和相位输出到各个装有PWM的驱动电路。模拟控制器单元检测负载的电压值与经由串行接口获得的目标电压值之间的差值，并从串行接口输出误差放大信号。通过使用时钟信号和误差放大信号的峰值电流控制体系，装有PWM驱动单元的每一个驱动每一个电感器。
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公开(公告)号：CN101572483B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200910140937.8
申请日：2005-01-14
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H02M3/155 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L27/04 , H01L27/088 , H03K17/687
CPC分类号： H02M3/1588 , G05F1/44 , H02M7/538 , H03F3/217 , H03F2200/351 , H03F2200/78 , H03K17/063 , H03K17/687 , Y02B70/1466
摘要： 本发明提供一种开关式电源和半导体集成电路，即使当电源电压VDD为低电压时，其也能够获得高电位侧开关元件M1的足够的驱动电压。在控制电流通过开关元件流入电感器的开关式电源中，开关元件响应PWM信号执行开关操作，并通过与电感器串联提供的电容器形成输出电压，在开关元件的输出节点与预定电压端之间提供由自举电容和MOSFET构成的升压器电路，升高的电压用作开关元件的驱动电路的工作电压，源极和漏极区域中的另一个与衬底栅极彼此连接，使得在MOSFET呈OFF状态时，在源极和漏极区域之一与衬底栅极之间的结型二极管相对于由自举电容形成的升高电压被反向定向。
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公开(公告)号：CN106341051A
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201610534252.1
申请日：2016-07-07
申请人： 瑞萨电子株式会社
CPC分类号： H02M5/458 , H01L29/00 , H02M1/08 , H03K17/127 , H03K17/168 , H03K17/567 , H03K17/61 , H03K17/691 , H03K17/7955 , H03K2217/0081 , H02M1/088
摘要： 本发明提供一种削减安装零件数量的电力变换装置及驱动装置。高边晶体管(TH)及低边晶体管(TL)分别具备EGE(发射极-栅极-发射极)型的构造。高边驱动器(HDV)具备：以高边晶体管(TH)的发射极为基准而向栅极施加正电压VP1的上拉晶体管(UTh)；将栅极与发射极结合的下拉晶体管(DTh)。低边驱动器(LDV)具备：以低边晶体管(TL)的发射极为基准而向栅极施加正电压VP2的上拉晶体管(UTl)；将栅极与发射极结合的下拉晶体管(DTl)。
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公开(公告)号：CN105680691A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610011596.4
申请日：2011-09-30
申请人： 瑞萨电子株式会社
CPC分类号： H02M3/158 , G06F1/26 , H02M3/1584 , H02M2003/1586 , H02M3/157
摘要： 本发明涉及电源装置。可以实现多相型电源装置的微型化。电源控制单元、多个装有PWM的驱动单元、以及多个电感器配置多相电源，在电源控制单元中，例如，微控制器单元、存储器单元和模拟控制器单元形成在单个芯片上。微控制器单元将每一个都具有基于存储器单元上的程序定义的频率和相位的时钟信号和相位输出到各个装有PWM的驱动电路。模拟控制器单元检测负载的电压值与经由串行接口获得的目标电压值之间的差值，并从串行接口输出误差放大信号。通过使用时钟信号和误差放大信号的峰值电流控制体系，装有PWM驱动单元的每一个驱动每一个电感器。
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