公开(公告)号：CN107112187A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580068755.8

申请日：2015-11-18

申请人： 瓦里安半导体设备公司

发明人： 摩根·D·艾文斯 ,  凯文·安葛林 ,  D·杰弗里·里斯查尔 ,  威廉·T·维弗 ,  杰森·M·夏勒 ,  罗伯特·布仁特·宝佩特

IPC分类号： H01J37/317 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677

CPC分类号： H01L21/67115 ,  H01J37/3171 ,  H01L21/6776 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324

摘要： 本发明公开一种用以在处理期间动态加热工件的系统及方法。系统包括离子源及被排列成阵列的多个发光二极管，多个发光二极管射向工件的表面的一部分处。发光二极管被选择成使其发出处于易于由工件吸收的频率范围内的光，从而加热工件。在某些实施例中，发光二极管恰好在工件的一部分经离子束处理之前加热所述部分。在另一实施例中，发光二极管在工件的一部分正进行处理时加热所述部分。发光二极管可被排列成阵列，阵列可具有至少与离子束的宽度一样宽的宽度。阵列还具有垂直于其宽度的长度，长度具有一行或多行发光二极管。

公开(公告)号：CN107112187B

公开(公告)日：2019-03-19

申请号：CN201580068755.8

申请日：2015-11-18

申请人： 瓦里安半导体设备公司

发明人： 摩根·D·艾文斯 ,  凯文·安葛林 ,  D·杰弗里·里斯查尔 ,  威廉·T·维弗 ,  杰森·M·夏勒 ,  罗伯特·布仁特·宝佩特

IPC分类号： H01J37/317 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677

摘要： 本发明公开一种工件处理系统以及处理工件的方法。系统包括离子源及被排列成阵列的多个发光二极管，多个发光二极管射向工件的表面的一部分处。发光二极管被选择成使其发出处于易于由工件吸收的频率范围内的光，从而加热工件。在某些实施例中，发光二极管恰好在工件的一部分经离子束处理之前加热所述部分。在另一实施例中，发光二极管在工件的一部分正进行处理时加热所述部分。发光二极管可被排列成阵列，阵列可具有至少与离子束的宽度一样宽的宽度。阵列还具有垂直于其宽度的长度，长度具有一行或多行发光二极管。本发明实施例在处理期间选择性地及动态地加热工件的多个部分以利用特定半导体制造工艺的温度敏感性。