用于半导体处理的掩膜对准系统

    公开(公告)号:CN104969340A

    公开(公告)日:2015-10-07

    申请号:CN201380072416.8

    申请日:2013-12-11

    IPC分类号: H01L21/68

    CPC分类号: H01L21/266 H01L21/682

    摘要: 一种用于在离子注入掩模与工件之间提供精确且可重复的对准的掩模对准系统。所述系统包含掩模框架,掩模框架具有松散地连接到掩模框架的多个离子注入掩模。掩模框架设有多个框架对准空腔,且每一掩模设有多个掩模对准空腔。所述系统还包含用于固持工件的压板。压板可设有多个掩模对准销和框架对准销,多个掩模对准销和多个框架对准销经配置以分别啮合掩模对准空腔和框架对准空腔。掩模框架可降低到压板上,其中框架对准空腔移动成与框架对准销对齐以在掩模与工件之间提供粗略对准。掩模对准空腔可接着移动成与掩模对准销对齐,进而将每一个别掩模移位成与相应工件精确对准。

    用来植入工件表面的掩模组以及处理工件的方法

    公开(公告)号:CN106165122B

    公开(公告)日:2017-12-26

    申请号:CN201580018131.5

    申请日:2015-02-10

    IPC分类号: H01L31/18

    CPC分类号: H01L31/18 H01J2237/31711

    摘要: 本发明揭示一种用来植入工件表面的掩模组以及处理工件的方法。揭示一种处理太阳能电池的方法,进行连锁图案化离子植入以产生具有较重掺杂区域的轻掺杂表面的工件。此种配置可以用在多种实施例中,例如用于选择性射极太阳能电池。此外,也揭示用来产生于所需图案的多种掩模组。掩模组可包括一或多个具有开口部分和图案化部分的掩模,其中该些开口部分的总合构成被植入表面的整体。该些掩模的该些图案化部分合并产生重掺杂区域的所需图案。