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公开(公告)号：CN117373529A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311284555.9
申请日：2023-09-28
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC分类号： G16B20/30
摘要： 本发明公开了一种基因测序芯片、系统及方法，所述芯片包括：通信接口模块、链式DMA模块及台阶算法硬件化模块，台阶算法硬件化模块用于根据至少一条基因检测信号，确定待测基因片段的第一基因特征信号。台阶算法硬件化模块在同时接收N条所述基因检测信号时，对N条所述基因检测信号进行并行处理。根据本发明提供的芯片，由于芯片能够并行处理大量的基因检测信号，且体积较小，通过将基因测序过程中的部分数据处理过程，如根据基因检测信号确定待测基因片段的第一基因特征信号，前置由芯片处理；能够减少数据处理的时间，减少对识别装置的算力要求，缩减识别装置和基因检测系统的体型。
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公开(公告)号：CN117056651A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202310868072.7
申请日：2023-07-14
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
摘要： 本发明公开了一种Sigmoid函数的近似计算方法及近似计算状态机，其中的Sigmoid函数的近似计算方法，包括如下步骤：获取输入浮点数，并根据输入浮点数的符号位判断输入浮点数的正负；当输入浮点数为正值时，根据输入浮点数的阶码位判断输入浮点数是否位于第一区间；当输入浮点数位于第一区间时，使用加法器、乘法器以及移位器基于第一逼近公式得到近似计算结果；当输入浮点数位于第二区间时，输出第一常数值作为近似计算结果；第二区间为第一区间在正区间内的补区间。通过执行本发明中的方法，能够以较高的计算精度和较低的计算复杂度完成函数逼近。
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公开(公告)号：CN110891349A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201910467942.3
申请日：2019-05-31
申请人： 杭州电子科技大学
IPC分类号： H05B45/50
摘要： 本发明公开了一种LED路灯灯珠故障智能自动检测电路。本发明包括LED灯阵电路、比较器电路、参考电压源电路、电压转换器电路、外接口及去耦电容电路。本发明提出基于Zig Bee和GPRS 技术的智能LED路灯快速巡检控制系统，通过对路灯远程监测、智能管控实现路灯故障快速报修，快速解决，其核心电路模块即基于电压比较器信号的LED灯故障自动模块，通过将串并LED灯串上的浮动电压信号转换为确定的电压信号，起到隔离并且保护电子控制单元的效果。
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公开(公告)号：CN117195682A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202310922799.9
申请日：2023-07-24
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
摘要： 本发明公开了硬件XGBoost模型的构建方法及基于硬件XGBoost模型的数据预测方法，其中的硬件XGBoost模型的构建方法，包括如下步骤：根据待构建XGBoost决策树的深度和硬件处理器内硬件子模块可执行的最大判断节点层数，确定参与决策树构建的硬件子模块的数量以及每个硬件子模块对应的子决策树中的判断节点层数；构建各个硬件子模块内的子决策树；构建各个硬件子模块之间的信号传递链路，以使各个硬件子模块依次通过使能信号传递特征向量直至最后一个硬件子模块，完成XGBoost决策树的构建；最后一个硬件子模块中的子决策树为具有最大判断节点层数且包含所有枝干和叶子节点的通用树。通过执行本发明中的方法，能够得到计算效率较高，通用性较好的XGBoost模型。
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公开(公告)号：CN110891349B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201910467942.3
申请日：2019-05-31
申请人： 杭州电子科技大学
IPC分类号： H05B45/50
摘要： 本发明公开了一种LED路灯灯珠故障智能自动检测电路。本发明包括LED灯阵电路、比较器电路、参考电压源电路、电压转换器电路、外接口及去耦电容电路。本发明提出基于Zig Bee和GPRS技术的智能LED路灯快速巡检控制系统，通过对路灯远程监测、智能管控实现路灯故障快速报修，快速解决，其核心电路模块即基于电压比较器信号的LED灯故障自动模块，通过将串并LED灯串上的浮动电压信号转换为确定的电压信号，起到隔离并且保护电子控制单元的效果。
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公开(公告)号：CN118553576A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410602339.2
申请日：2024-05-15
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于混合模式谐振腔实现高效率紧凑型速调管的方法，该方法包括：基于群聚中心稳定法CSM，采用混合模式谐振腔的三种组合方式，在大信号计算机软件设计优化得到速调管工作性能；该方法使得在引入1个高次谐波腔时仅需5个谐振腔或者在引入2个高次谐波腔时仅需6个谐振腔。混合模式谐振腔的三种组合方式包括基波f工作在TM010模式，二次谐波2f工作在TM020模式的同轴谐振腔；基波f工作在TM010模式，三次谐波3f工作在TM030模式的同轴谐振腔；二次谐波2f工作在TM020模式，三次谐波3f工作在TM030模式的同轴谐振腔。本发明非常有利于减小注波互作用的重量和长度。
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公开(公告)号：CN115472699A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202211197402.6
申请日：2022-09-29
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L23/552 , H01L23/556 , H01L21/336
摘要： 本发明公开了一种系PN结的复合结构MOS抗辐照器件及制备方法，包括衬底，衬底上通过掺杂P型杂质3*1018cm‑3形成有P阱区，P阱区上表面淀积一层SiO2层，衬底、P阱区以及SiO2层侧面为倒梯形沟槽，倒梯形沟槽为浅沟道隔离结构，SiO2层顶部为栅极，栅极外侧对称设置为牺牲保护层，栅极与牺牲保护层之间依次从下至上为本征硅、p型半导体、n型半导体以及引出金属AI，所述浅沟道隔离结构内侧为低能量浅结砷LDD和源漏区，源漏区上方紧贴本征硅，所述引出金属AI接地。在源漏极上栅极的侧壁增加对称结构PN结，紧贴源漏区上方依次为本征Si层，PN结，导出金属接地，整个器件在Si衬底上实现，与Si工艺兼容，利于集成与成本的控制。
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