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公开(公告)号：CN117118437A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202310966696.2
申请日：2023-07-31
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
摘要： 本发明公开了一种多阶噪声整形的逐次逼近模数转换器及其控制方法，其中的多阶噪声整形的逐次逼近模数转换器包括：采样电容阵列，用于对输入电压进行采样，并在逻辑控制器的控制下逐次逼近输入电压；多阶滤波器，与采样电容阵列的输出端相连接，用于采集采样电容阵列输出的余差信号，并对余差信号进行多阶滤波；多输入比较器，其第一正输入端与采样电容阵列的输出端相连接，其他多个正输入端与多阶滤波器的多个输出端对应连接，用以接收余差信号和多个余差滤波值并进行比较；逻辑控制器，与多输入比较器的输出端相连接，用以根据采样电容阵列的逐次逼近结果和多输入比较器的输出结果，得到输入电压的数字输出。本发明中的电路，精度较高功耗较小。
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公开(公告)号：CN117112318A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311092830.7
申请日：2023-08-28
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
摘要： 本发明公开了一种基于RISC‑V架构的双核容错系统，包括：第一处理器核、第二处理器核、指令紧耦合存储器、数据紧耦合存储器、多个总线矩阵模块、中断控制器、外部设备和总线，以及多个错误检查和纠正模块；第一处理器核和第二处理器核均与相同的总线矩阵模块连接，至少一个总线矩阵模块与指令紧耦合存储器连接，至少一个总线矩阵模块与数据紧耦合存储器连接，至少一个总线矩阵模块与总线连接，至少一个总线矩阵模块与中断控制器连接，中断控制器和外部设备均与总线连接，指令紧耦合存储器和数据紧耦合存储器均对应设置一个错误检查和纠正模块。本发明能够降低故障检测时间和故障恢复时间。
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公开(公告)号：CN116700788A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310035549.3
申请日：2023-01-10
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
摘要： 本发明公开了一种基于RISC‑V的图像数据处理方法及系统，其中的方法包括如下步骤：生成RISC‑V处理器核；定义DMA控制模块中的reqreg请求配置寄存器以及comreg状态寄存器的地址；当读取到reqreg请求配置寄存器内具有写数据请求时，DMA写模块将待处理图像数据写入内存；当读取到comreg状态寄存器内具有传输结束指令时，待处理图像数据写入结束；自内存中读取待处理图像数据并进行处理。本发明中的方法，基于RISC‑V完成了图像数据处理，且数据传输及处理效率较高。
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公开(公告)号：CN111584626B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202010465629.9
申请日：2020-05-28
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
摘要： 本发明公开了一种增强型HEMT器件结构，属于微电子技术领域，包括从下至上依次排布的衬底、低温成核层、缓冲层、高阻层、沟道层、势垒层、插入层以及P‑型层，势垒层采用特定条件下生长的ALInN层，可以获得表面较为平坦的ALInN势垒层，从而获得较高的有效表面载流子浓度，插入层为MgN层，既可以有效抓捕ALInN层中的部分缺陷，也可以提高Mg的掺杂，采用特定的生长环境生长P‑型层，提高空穴浓度的同时实现稳定的阈值电压，较高的可靠性，从而提高了HEMT器件的工作效率。
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公开(公告)号：CN115694466A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211406728.5
申请日：2022-11-10
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC分类号： H03K19/003 , H03K19/0185
摘要： 本发明公开了一种干扰抑制电路及数字隔离电路，其中，干扰抑制电路设置于数字隔离电路的接收端，并连接于隔离器的输出端和前置放大器之间；干扰抑制电路包括：一对NMOS管和一对PMOS管，干扰抑制电路具有当隔离器的输出信号中包括高于共模电平的瞬态脉冲时，一对NMOS管关闭而一对PMOS管开启，以降低瞬态脉冲的第一状态，以及当隔离器的输出信号中包括低于共模电平的瞬态脉冲时，一对NMOS管开启而一对PMOS管关闭，以提高瞬态脉冲的第二状态，以及隔离器的输出信号即为共模电平时，一对NMOS管和一对PMOS管均关闭的第三状态。本发明中的电路，能够有效抑制共模瞬态干扰。
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公开(公告)号：CN115297341A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210844942.2
申请日：2022-07-18
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC分类号： H04N21/234 , H04N21/4402 , H04L1/00
摘要： 本发明公开了一种视频数据传输方法、装置、电子设备及可读存储介质，其中，视频数据传输方法，包括如下步骤：获取第一待传输数据的数据类型；当第一待传输数据为视频像素数据或者视频控制数据时，将第一待传输数据转换为第一模式数据，并采用第一传输模式传输；当第一待传输数据为控制命令时，将第一待传输数据转换为第二模式数据，并采用第二传输模式传输；第一模式数据的位数大于第二模式数据的位数，第一传输模式使用的数据通道多于第二传输模式使用的数据通道。通过执行本发明中的方法，能够防止视频数据在后续传输过程中出现编码/校验的复杂性较高，数据传输的准确性较低的问题。
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公开(公告)号：CN111564490B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202010465882.4
申请日：2020-05-28
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06
摘要： 一种P‑GaN增强型HEMT器件及其制备方法，属于半导体技术领域，包括从下至上依次层叠设置的衬底、ALN成核层、ALGaN缓冲层、GaN沟道层、ALN插入层、ALGaN势垒层、低温饱和P型GaN、P‑GaN、钝化层、源极（110）、漏极、栅极。在P‑GaN层和势垒层之间生长一层低温饱和P型GaN（LTPGaN层），该层的生长阻止了P‑GaN层的mg扩散至沟道层，从而降低器件的导通电阻，提升HEMT器件的工作效率。
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公开(公告)号：CN114487565A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111673954.5
申请日：2021-12-31
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
摘要： 本发明公开了一种峰值电压检测电路及峰值电压检测方法，其中的电路包括：NMOS管M1、NMOS管M2、NMOS管M6、PMOS管M3、PMOS管M4、PMOS管M7和PMOS管M8、尾电流源I1、下拉电流源I2和采样保持电容Ch，其中，所述NMOS管M1、NMOS管M2构成差分输入管，所述PMOS管M3的栅极与所述PMOS管M4的栅极相连接，所述PMOS管M7的栅极和所述PMOS管M8的栅极相连接；所述PMOS管M3的漏极与所述PMOS管M4的源极之间还连接有开关S5。本发明中的电路，能够实现线性放大的回波脉冲峰值电压采集并保持一定时间，用于灰度测量，从而可降低对ADC速度的要求；且能够减小电路失调导致的测量误差，实现精确测量。
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公开(公告)号：CN109866622B
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201910230382.X
申请日：2019-03-26
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC分类号： B60L7/10
摘要： 发明公开一种基于快充电池的高效率能量回收系统，所述能量回收系统包括电动机、用户控制指令选择单元、整车控制器、栅极驱动控制单元、功率器件模块、电机控制器、双向BUCK‑BOOST电路控制单元、选择开关、超级电容和快充电池组，本发明是基于大电流充电电池组的能量回收并通过采用双向可控BUCK‑BOOST电路及控制方法，包括能量回收的控制策略，本发明是基于电机输出特性及电池组充电特性，设置了一套双向升降压能量回收电路，控制系统依据电机的输出电压及电池可充能力，自动选取合适的回收参数，使回收系统始终保持在最佳状态，达到最优的回收效率。
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公开(公告)号：CN112133749A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202010964501.7
申请日：2020-09-15
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/336 , H01L29/06
摘要： 本发明公开了一种P型帽层增强型HEMT器件及其制备方法，属于微电子技术领域，包括从下至上依次层叠设置的衬底、低温成核层、缓冲层、高阻层、沟道层、势垒层、插入层、P‑GaN帽层，本发明提供了一种新的结构及长法，实现增强型HEMT器件的外延制备同时保证其性能的稳定性。
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