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公开(公告)号:CN104766914A
公开(公告)日:2015-07-08
申请号:CN201510188014.5
申请日:2015-04-20
申请人: 电子科技大学 , 四川绿然电子科技有限公司
IPC分类号: H01L33/46 , H01L33/00 , H01L25/075 , H01L33/62 , H01L33/64
CPC分类号: H01L33/46 , H01L25/075 , H01L33/005 , H01L33/54 , H01L33/62
摘要: 本发明提供了一种高取光率的高压LED芯片结构,属于光电子发光器件领域。包括多个微晶粒单元,每个微晶粒单元包括衬底以及衬底上依次生长的N型氮化物层、发光层、P型氮化物层和透明导电层,所述N型氮化物层连接N型电极,所述透明导电层连接P型电极,所述各微晶粒单元之间由金属导电层连接形成串联或/和并联,所述金属导电层底面设有钝化层,其特征在于,所述高压LED芯片表面还设置涂覆层,所述涂覆层的表面是非平整的。本发明通过对表面涂覆层粗化处理形成非平整的结构,有效提高了高压LED芯片的取光效率及出光量,提升了高压LED芯片的性能,且成本低廉,操作简单。
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公开(公告)号:CN104158525A
公开(公告)日:2014-11-19
申请号:CN201410433626.1
申请日:2014-08-29
申请人: 电子科技大学
IPC分类号: H03K17/567 , H03K17/78
摘要: 本发明公开了一种基于单根光纤供电与脉冲信号传输的光驱动IGBT装置,包括用于产生光信号的光信号发生器、对光信号进行转换和控制的光控制器、对光信号进行传输的光纤介质,所述光信号发生器的光出射端通过光纤介质连接光控制器的光接收端,光控制器的信号输出端作为驱动输出端驱动外部变流系统。本发明通过光信号来控制IGBT的通断,采用浮电位的形式使控制信号不受受控功率器件的发射极电压的影响,具有结构简单、电气隔离性好、抗干扰能力强、控制方便且易于大功率控制等优点。本发明适用于动车、高铁等电车牵引传动,开关电源、电子开关、及各类电动机的调速等大功率变流系统中。
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公开(公告)号:CN104158525B
公开(公告)日:2017-05-31
申请号:CN201410433626.1
申请日:2014-08-29
申请人: 电子科技大学
IPC分类号: H03K17/567 , H03K17/78
摘要: 本发明公开了一种基于单根光纤供电与脉冲信号传输的光驱动IGBT装置,包括用于产生光信号的光信号发生器、对光信号进行转换和控制的光控制器、对光信号进行传输的光纤介质,所述光信号发生器的光出射端通过光纤介质连接光控制器的光接收端,光控制器的信号输出端作为驱动输出端驱动外部变流系统。本发明通过光信号来控制IGBT的通断,采用浮电位的形式使控制信号不受受控功率器件的发射极电压的影响,具有结构简单、电气隔离性好、抗干扰能力强、控制方便且易于大功率控制等优点。本发明适用于动车、高铁等电车牵引传动,开关电源、电子开关、及各类电动机的调速等大功率变流系统中。
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