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公开(公告)号：CN105270774A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201410235902.3
申请日：2014-05-30
申请人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
摘要： 本发明公开了一种液体运输装置，包括：本体、盖、进气管路、排气管路、液位计和出液管。本体的顶部开口，侧壁上具有支架，底部开孔，开孔由孔塞封闭。盖盖于本体的顶部的开口上，盖与开口之间密封，盖上具有进气接口、排气接口、液位计接口和出液接口。进气管路连接到进气接口，进气管路向本体内导入惰性气体，进气管路和进气接口之间密封连接。排气管路连接到排气接口，排气管路和排气接口之间密封连接，排气管路上安装有压力控制阀，当本体内的气体压力高于压力控制阀的设定压力时，压力控制阀打开，本体内的气体由排气管路排出。液位计通过液位计接口延伸到本体内，液位计显示本体内的液体高度。出液管连接到出液接口，出液管延伸到本体底部。
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公开(公告)号：CN109478524A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201680086618.1
申请日：2016-07-06
申请人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明揭示了一种用于清洗基板(107)背面的基板支撑装置(300)。该基板支撑装置(300)包括中空轴(319)和旋转轴(303)。旋转轴(303)设置在中空轴(319)内，旋转轴(303)的外壁与中空轴(319)的内壁之间具有一间距，旋转轴(303)的外壁设有挡墙(322)和凹槽(324)以阻止间距内的微粒进入形成在中空轴(319)上并供应气体到基板(107)的正面的气体槽(325)，避免微粒污染基板(107)的正面，从而提高了半导体器件的质量。
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公开(公告)号：CN105317341A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201410236079.8
申请日：2014-05-30
申请人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
摘要： 本发明公开了一种中空门，减少热量损失，有利于保持环境温度，能满足半导体晶圆工艺中的某些保温上的需求。其技术方案为：在两块面板之中设计一个用于隔热的中空层，使某一空间内部与外界隔热。相比传统技术，本发明的中空门可使得半导体晶圆工艺中的XeF2刻蚀系统或者涂胶机等需要保持一定环境温度的设备能较好的满足温度上的条件。
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公开(公告)号：CN107768274A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201610705018.0
申请日：2016-08-22
申请人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： H01L21/67063 , H01L21/67017
摘要： 本发明公开了一种混液槽，混液槽的顶部接有泄压装置，泄压装置包括管体，管体内壁设有至少一片挡板，挡板的径向截面尺寸小于管体的径向截面尺寸以在管体内形成限流通道。本发明通过在泄压装置管体的内壁设有挡板，使排出的气体中带有的酸液或碱液遇到挡板后冷凝聚集在挡板上，多个挡板交错分布在管体内形成限流通道，增大了气体与挡板的接触面，确保排出的气体中带有的酸液或碱液都能在挡板上冷凝，随着挡板上酸液或碱液越来越多，酸液或碱液在自身重力的作用下落入混液槽，确保酸液或碱液不会随着气体排出造成污染，保证了操作安全。
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公开(公告)号：CN103594401A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201210292475.3
申请日：2012-08-16
申请人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/673
摘要： 本发明公开了一种载锁腔，包括：腔室，所述腔室具有第一真空阀门和第二真空阀门；夹盘，所述夹盘具有收容于所述腔室的夹座，所述夹座用于放置基板，所述夹座的外边缘设有至少两个凹槽；支撑架，所述支撑架收容于所述腔室并位于所述夹座的上方，所述支撑架具有至少两个连接部，每个连接部向所述支撑架的轴心方向水平凸伸出数个支撑台，每一支撑台具有一承载部，所述承载部位于所述夹座的凹槽内，各连接部上同一层的承载部与所述夹座平行并能托住一片基板；及至少一升降机构，用于升高或降低所述支撑架的连接部。本发明载锁腔结构简单，能够处理多片基板，因此提高了工艺效率。本发明还公开了使用该载锁腔处理基板的方法。
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公开(公告)号：CN109075102A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201680083753.0
申请日：2016-03-18
申请人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： H01L21/68785 , H01L21/67103 , H01L21/67109 , H01L21/68728 , H01L21/68735 , H01L21/68742
摘要： 本发明公开了一种用于热处理衬底的衬底热处理装置，包括烤盘、多个支撑件、挡板和驱动装置。烤盘设有至少一条气体通道。多个支撑件支撑衬底。挡板安装在烤盘的顶面，挡板包围衬底且挡板的内壁与衬底之间形成有间隙。驱动装置驱动该多个支撑件上升或下降。热处理衬底时，通过烤盘的气体通道向衬底和烤盘顶面之间的空间供入热的气体，热的气体从挡板的内壁与衬底之间的间隙流出。
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公开(公告)号：CN108292620A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201580084623.4
申请日：2015-11-20
申请人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/683
CPC分类号： H01L21/68707 , H01L21/67288 , H01L21/6838
摘要： 一种输送半导体衬底(304,404)的机械手(300,400,500,600)包括主体部分(301，401,501,601)、从主体部分(301，401,501,601)延伸出的末端部分(302,402,502,602)、位于末端部分(302,402,502,602)的多个真空吸盘、以及分别与多个真空吸盘连接的多条真空管路。任意两个相邻的真空吸盘之间的距离满足以下条件：由这两个相邻真空吸盘中的一个向下吸半导体衬底(304,404)而产生的半导体衬底(304,404)的竖直位移大于在这两个相邻真空吸盘范围内的半导体衬底(304,404)的翘曲，因此，一旦这两个相邻真空吸盘中的一个吸住半导体衬底(304,404)，这两个相邻真空吸盘中的另一个也跟着吸住半导体衬底(304,404)。
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公开(公告)号：CN105317341B
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201410236079.8
申请日：2014-05-30
申请人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
摘要： 本发明公开了一种中空门，减少热量损失，有利于保持环境温度，能满足半导体晶圆工艺中的某些保温上的需求。其技术方案为：在两块面板之中设计一个用于隔热的中空层，使某一空间内部与外界隔热。相比传统技术，本发明的中空门可使得半导体晶圆工艺中的XeF2刻蚀系统或者涂胶机等需要保持一定环境温度的设备能较好的满足温度上的条件。
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公开(公告)号：CN103594401B
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201210292475.3
申请日：2012-08-16
申请人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/673
摘要： 本发明公开了一种载锁腔，包括：腔室，所述腔室具有第一真空阀门和第二真空阀门；夹盘，所述夹盘具有收容于所述腔室的夹座，所述夹座用于放置基板，所述夹座的外边缘设有至少两个凹槽；支撑架，所述支撑架收容于所述腔室并位于所述夹座的上方，所述支撑架具有至少两个连接部，每个连接部向所述支撑架的轴心方向水平凸伸出数个支撑台，每一支撑台具有一承载部，所述承载部位于所述夹座的凹槽内，各连接部上同一层的承载部与所述夹座平行并能托住一片基板；及至少一升降机构，用于升高或降低所述支撑架的连接部。本发明载锁腔结构简单，能够处理多片基板，因此提高了工艺效率。本发明还公开了使用该载锁腔处理基板的方法。
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公开(公告)号：CN105280518A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201410238135.1
申请日：2014-05-30
申请人： 盛美半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： “智能城市，智能生活”的理念深入人心，人们对半导体制品的工艺要求也越来越高。作为半导体加工过程中重要一环的基板热处理装置，一直备受瞩目，而如何确保晶圆在加热过程中受热均匀，一直是从业者们殚精竭虑的难题。本发明提供了一种半导体基板的热处理装置，包括排气装置和加热腔体，所述加热腔室内在加热过程中充入氮气，通过氮气将热量间接地传递至晶圆表面，从而消除了晶圆翘曲造成的加热不均匀问题。
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