公开(公告)号：CN108305882A

公开(公告)日：2018-07-20

申请号：CN201711408329.1

申请日：2017-12-22

申请人： 硅光电科技股份有限公司

发明人： 黄梦园 ,  苏宗一 ,  栗粟 ,  张乃川 ,  蔡鹏飞 ,  陈旺 ,  洪菁吟 ,  潘栋

IPC分类号： H01L27/144 ,  H01L31/107 ,  H01L31/18

CPC分类号： G02B6/122 ,  G02B6/136 ,  G02B2006/12061 ,  G02B2006/12123 ,  H01L27/1443 ,  H01L28/24 ,  H01L28/40 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/02027 ,  H01L31/1075

摘要： 本发明公开了完全集成的雪崩光电二极管接收器的各种实施例及其制造方法。光子器件包括其中具有埋氧化层(BOX)的绝缘体上硅(SOI)衬底、与SOI衬底集成的雪崩光电二极管、与SOI衬底集成的电容器、与SOI衬底集成的电阻器、硅无源波导以及与SOI衬底集成的接合焊盘。

公开(公告)号：CN105720129A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201510907071.4

申请日：2015-12-09

申请人： 硅光电科技股份有限公司

发明人： 黄梦园 ,  蔡鹏飞 ,  王良波 ,  栗粟 ,  陈旺 ,  洪菁吟 ,  潘栋

IPC分类号： H01L31/107 ,  H01L31/028 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/1075 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  H01L31/028

摘要： 本发明提供一种高速锗/硅(Ge/Si)雪崩光电二极管，可包括衬底层、设于所述衬底层上的底部接触层、设于所述底部接触层上的缓冲层、设于所述缓冲层上的电场控制层、设于所述电场控制层上的雪崩层、设于所述雪崩层上的电荷层、设于所述电荷层上的吸收层和设于所述吸收层上的顶部接触层。所述电场控制层可用于控制所述雪崩层中的电场。

公开(公告)号：CN105140316A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201510056869.2

申请日：2015-02-04

申请人： 硅光电科技股份有限公司

发明人： 石拓 ,  蔡鹏飞 ,  王良波 ,  张耐 ,  陈旺 ,  栗粟 ,  洪菁吟 ,  黄梦园 ,  潘栋

IPC分类号： H01L31/024 ,  H01L31/107 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/1075 ,  H01L27/14 ,  H01L31/02027 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/024 ,  H01L31/028 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 提供了一种带有集成加热器的Ge/Si雪崩光电二极管的新颖结构及其制作方法的各种不同的实施例。在一方面，在顶面硅层或者硅基板层上形成掺杂区，以起到电阻的作用。当环境温度降低到某个点时，将自动触发温度控制回路并沿着加热器施加适当的偏置，因此，Ge/Si雪崩光电二极管的结合区的温度被保持在优化的范围以内，以保持该雪崩光电二极管的高灵敏度水平以及低误码率水平。

公开(公告)号：CN105720129B

公开(公告)日：2018-09-18

申请号：CN201510907071.4

申请日：2015-12-09

申请人： 硅光电科技股份有限公司

发明人： 黄梦园 ,  蔡鹏飞 ,  王良波 ,  栗粟 ,  陈旺 ,  洪菁吟 ,  潘栋

IPC分类号： H01L31/107 ,  H01L31/028 ,  H01L31/18

摘要： 本发明提供一种高速锗/硅(Ge/Si)雪崩光电二极管，可包括衬底层、设于所述衬底层上的底部接触层、设于所述底部接触层上的缓冲层、设于所述缓冲层上的电场控制层、设于所述电场控制层上的雪崩层、设于所述雪崩层上的电荷层、设于所述电荷层上的吸收层和设于所述吸收层上的顶部接触层。所述电场控制层可用于控制所述雪崩层中的电场。

公开(公告)号：CN105140316B

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201510056869.2

申请日：2015-02-04

申请人： 硅光电科技股份有限公司

发明人： 石拓 ,  蔡鹏飞 ,  王良波 ,  张耐 ,  陈旺 ,  栗粟 ,  洪菁吟 ,  黄梦园 ,  潘栋

IPC分类号： H01L31/02 ,  H01L31/0203 ,  H01L27/14 ,  H01L31/024 ,  H01L31/107 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/1075 ,  H01L27/14 ,  H01L31/02027 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/024 ,  H01L31/028 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 提供了一种带有集成加热器的Ge/Si雪崩光电二极管的新颖结构及其制作方法的各种不同的实施例。在一方面，在顶面硅层或者硅基板层上形成掺杂区，以起到电阻的作用。当环境温度降低到某个点时，将自动触发温度控制回路并沿着加热器施加适当的偏置，因此，Ge/Si雪崩光电二极管的结合区的温度被保持在优化的范围以内，以保持该雪崩光电二极管的高灵敏度水平以及低误码率水平。