公开(公告)号：CN102017124A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200980114593.1

申请日：2009-06-12

申请人： 硅绝缘体技术有限公司

发明人： 尼古拉斯·达瓦尔 ,  奥列格·科农丘克 ,  埃里克·圭奥特 ,  塞西尔·奥尔内特 ,  法布里斯·拉勒门特 ,  克里斯托夫·菲盖 ,  迪迪埃·朗德吕

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76254 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76256

摘要： 本发明涉及包括支持基片(1)上覆锗层(3)的结构体的制造方法，其特征在于该方法包括下列步骤：(a)形成包括所述支持基片(1)、氧化硅层(20)和所述锗层(3)的中间结构体(10)，所述氧化硅层(20)与所述锗层(3)直接接触，(b)在中性或还原性气氛中于规定的温度下对所述中间结构体(10)施加规定时间的热处理，从而使来自所述氧化硅层(20)的至少一部分氧通过所述锗层(3)扩散。

公开(公告)号：CN101764103A

公开(公告)日：2010-06-30

申请号：CN200910205768.1

申请日：2009-10-09

申请人： 硅绝缘体技术有限公司

发明人： 克里斯托夫·菲盖 ,  克里斯托夫·布维尔 ,  塞琳·凯勒尔 ,  亚历克西斯·德劳因 ,  蒂博·莫里斯

IPC分类号： H01L21/84 ,  H01L21/762 ,  H01L21/78 ,  H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14689 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明涉及一种制造半导体衬底的方法，其包括下列步骤：提供绝缘体上半导体型衬底；提供扩散阻挡层；以及提供第二半导体层。通过提供扩散阻挡层使得能够抑制从重掺杂的第一半导体层向第二半导体层的扩散。本发明还涉及一种相应的半导体衬底以及包括这种衬底的光电器件。

公开(公告)号：CN1838429A

公开(公告)日：2006-09-27

申请号：CN200610065288.6

申请日：2006-03-21

申请人： 硅绝缘体技术有限公司

发明人： 克里斯托夫·菲盖

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02507 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

摘要： 本发明涉及一种层积层结构体，该层积层结构体包括基材和至少含有两种复合物A和B的材料的多个层的层叠体，其中复合物A具有足以使复合物A在所述基材上均质外延生长或异质外延生长的晶体结构，并且其中层叠体的至少部分层具有梯度组成AxgB(1－xg)，其中x是范围为0≤x≤1的组成参数，并且组成参数(1－xg)在相应层的厚度上逐渐增大，特别是线性增大。为了改善关于表面粗糙度和位错密度的所述层积层结构体的品质，选择层叠体中具有梯度组成的层与层叠体中的后继层之间的界面处的组成参数使其比具有梯度组成的层的组成参数(1－xg)小。本发明还涉及制造该层积层结构体的方法。

公开(公告)号：CN101904017A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN200980101436.7

申请日：2009-02-26

申请人： 硅绝缘体技术有限公司

发明人： 亚历克西斯·德劳因 ,  伯哈德·阿斯帕 ,  克里斯托夫·德斯卢姆奥克斯 ,  奥利弗·勒杜 ,  克里斯托夫·菲盖

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L27/146

CPC分类号： H01L31/18 ,  H01L27/14603

摘要： 本发明涉及一种制造半导体衬底的方法，该方法包括以下步骤：提供包括基底、绝缘层和第一半导体层的绝缘体上硅型衬底；对该第一半导体层进行掺杂从而得到改性的第一半导体层；以及在改性的第一半导体层上，特别是改性的第一半导体层上面提供具有与改性的第一半导体层不同的掺杂浓度的第二半导体层。根据该方法，可以在不同层中始终实现改进的掺杂浓度分布，使得该衬底特别适合于光电应用。

公开(公告)号：CN102623470A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201210068928.4

申请日：2009-02-26

申请人： 硅绝缘体技术有限公司

发明人： 亚历克西斯·德劳因 ,  伯哈德·阿斯帕 ,  克里斯托夫·德斯卢姆奥克斯 ,  奥利弗·勒杜 ,  克里斯托夫·菲盖

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/18 ,  H01L27/14603

摘要： 本发明涉及一种制造半导体衬底的方法，该方法包括以下步骤：提供包括基底、绝缘层和第一半导体层的绝缘体上硅型衬底；对该第一半导体层进行掺杂从而得到改性的第一半导体层；以及在改性的第一半导体层上，特别是改性的第一半导体层上面提供具有与改性的第一半导体层不同的掺杂浓度的第二半导体层。根据该方法，可以在不同层中始终实现改进的掺杂浓度分布，使得该衬底特别适合于光电应用。

公开(公告)号：CN101140864B

公开(公告)日：2011-03-02

申请号：CN200610128968.8

申请日：2006-09-05

申请人： 硅绝缘体技术有限公司

发明人： 马克·凯纳德 ,  克里斯托夫·菲盖

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/335 ,  H01L21/00 ,  H01L29/04 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L21/76254 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02524 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/0262

摘要： 本发明涉及半导体异质结构和形成半导体异质结构的方法。所述方法包括：提供具有第一面内晶格参数a1的基材，提供具有第二面内晶格参数a2的缓冲层，和在所述缓冲层上提供顶层。为了改善所述半导体异质结构的表面粗糙度，在缓冲层和顶层之间提供附加层，其中所述附加层具有介于第一晶格参数和第二晶格参数之间的第三面内晶格参数a3。

公开(公告)号：CN101140864A

公开(公告)日：2008-03-12

申请号：CN200610128968.8

申请日：2006-09-05

申请人： 硅绝缘体技术有限公司

发明人： 马克·凯纳德 ,  克里斯托夫·菲盖

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/335 ,  H01L21/00 ,  H01L29/04 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L21/76254 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02524 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/0262

摘要： 本发明涉及半导体异质结构和形成半导体异质结构的方法。所述方法包括：提供具有第一面内晶格参数a1的基材，提供具有第二面内晶格参数a2的缓冲层，和在所述缓冲层上提供顶层。为了改善所述半导体异质结构的表面粗糙度，在缓冲层和顶层之间提供附加层，其中所述附加层具有介于第一晶格参数和第二晶格参数之间的第三面内晶格参数a3。