公开(公告)号：CN101802629B

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN200880106589.6

申请日：2008-09-08

申请人： 硅绝缘体技术有限公司

发明人： 佛雷德里克·阿利伯特 ,  奥列格·科农丘克

IPC分类号： G01R31/265 ,  H01L21/66

CPC分类号： G01R31/2656 ,  G01R31/2648

摘要： 一种测量载流子寿命的设备包括测量探针，所述测量探针包括用于将紫外辐射引导至测量位置的装置。所述测量探针还包括至少一个电极，所述至少一个电极被设置为与所述测量位置成预定空间关系。所述设备还包括：微波源，所述微波源被设置为将微波辐射引导至所述测量位置；微波检测器，所述微波检测器被设置为测量响应于所述紫外辐射在所述测量位置反射的微波辐射的强度的改变；以及半导体结构支架，所述半导体结构支架被设置为容纳半导体结构，并且提供到所述半导体结构的一部分的电接触。另外，提供了用于相对于所述测量探针来移动所述半导体结构支架以将所述半导体结构的至少一部分定位在所述测量位置的装置。所述设备还包括电源，所述电源被设置为在所述半导体结构支架与所述电极之间施加偏置电压。

公开(公告)号：CN101802629A

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200880106589.6

申请日：2008-09-08

申请人： 硅绝缘体技术有限公司

发明人： 佛雷德里克·阿利伯特 ,  奥列格·科农丘克

IPC分类号： G01R31/265 ,  H01L21/66

CPC分类号： G01R31/2656 ,  G01R31/2648

摘要： 一种测量载流子寿命的设备包括测量探针，所述测量探针包括用于将紫外辐射引导至测量位置的装置。所述测量探针还包括至少一个电极，所述至少一个电极被设置为与所述测量位置成预定空间关系。所述设备还包括：微波源，所述微波源被设置为将微波辐射引导至所述测量位置；微波检测器，所述微波检测器被设置为测量响应于所述紫外辐射在所述测量位置反射的微波辐射的强度的改变；以及半导体结构支架，所述半导体结构支架被设置为容纳半导体结构，并且提供到所述半导体结构的一部分的电接触。另外，提供了用于相对于所述测量探针来移动所述半导体结构支架以将所述半导体结构的至少一部分定位在所述测量位置的装置。所述设备还包括电源，所述电源被设置为在所述半导体结构支架与所述电极之间施加偏置电压。

公开(公告)号：CN101667553A

公开(公告)日：2010-03-10

申请号：CN200910151721.1

申请日：2009-07-06

申请人： 硅绝缘体技术有限公司

发明人： 卢恰娜·卡佩罗 ,  奥列格·科农丘克 ,  埃里克·内雷 ,  亚历山大·阿巴迪 ,  沃尔特·施瓦岑贝格

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L21/302 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L21/76254

摘要： 本发明涉及制造绝缘体上半导体衬底、特别是绝缘体上硅衬底的方法，该方法包括以下步骤：提供源衬底；通过注入原子物质而在所述源衬底中提供预定分离区；优选地通过键合将所述源衬底接合到操作衬底上；在所述预定分离区处将所述源衬底的剩余部分从源-操作复合体分离，由此将所述源衬底的器件层转移到所述操作衬底上；以及减薄所述器件层。为了获得SECCO缺陷密度降低到小于100个/cm 2 的绝缘体上半导体衬底，按照小于2.3×10 6 个原子/cm 2 的剂量执行注入，并且所述减薄包括在低于925℃的温度下进行的氧化步骤。

公开(公告)号：CN102197472A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN200980142148.6

申请日：2009-10-09

申请人： 硅绝缘体技术有限公司

发明人： 奥列格·科农丘克 ,  埃里克·圭奥特 ,  法布里斯·格雷蒂 ,  迪迪埃·朗德吕 ,  克里斯泰勒·维蒂佐

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L21/76251

摘要： 本发明主要涉及一种制造和处理连续包含载体基板(1)、氧化物层(3)和半导体材料的薄层(2)的绝缘体上半导体型结构体的方法，根据所述方法：1)在所述薄层(2)上形成掩模，以界定未被掩模覆盖的所述层的表面上的暴露区域(20)；2)进行热处理，以促使氧化物层(3)的至少部分氧透过薄层(2)扩散，引起对应于所需图案的氧化物层(3)的区域(30)中氧化物的受控去除；所述方法特征在于，所述载体基板(1)和薄层(2)相对于彼此的设置使得它们的晶格在平行于它们的界面(I)的平面中共同形成不超过1°的称为“扭转角”的角，并在垂直于它们的界面(I)的平面中共同形成不超过1°的称为“倾角”的角，其特征还在于使用厚度低于的薄层(2)。

公开(公告)号：CN102017124A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200980114593.1

申请日：2009-06-12

申请人： 硅绝缘体技术有限公司

发明人： 尼古拉斯·达瓦尔 ,  奥列格·科农丘克 ,  埃里克·圭奥特 ,  塞西尔·奥尔内特 ,  法布里斯·拉勒门特 ,  克里斯托夫·菲盖 ,  迪迪埃·朗德吕

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76254 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76256

摘要： 本发明涉及包括支持基片(1)上覆锗层(3)的结构体的制造方法，其特征在于该方法包括下列步骤：(a)形成包括所述支持基片(1)、氧化硅层(20)和所述锗层(3)的中间结构体(10)，所述氧化硅层(20)与所述锗层(3)直接接触，(b)在中性或还原性气氛中于规定的温度下对所述中间结构体(10)施加规定时间的热处理，从而使来自所述氧化硅层(20)的至少一部分氧通过所述锗层(3)扩散。

公开(公告)号：CN101558487A

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200880001114.0

申请日：2008-01-16

申请人： 硅绝缘体技术有限公司

发明人： 帕特里克·雷诺 ,  奥列格·科农丘克 ,  米夏埃尔·司廷科

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/316

CPC分类号： H01L21/31662 ,  H01L21/02032 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/76254 ,  Y10T428/8305

摘要： 本发明涉及一种制造复合材料晶片的方法，具体地说是制造绝缘体上硅型的晶片的方法，所述方法包括以下步骤：提供初始施主衬底，在所述初始施主衬底上形成绝缘层，在所述初始施主衬底中形成预定分裂区，将所述初始施主衬底粘接到操作衬底上，以及在所述预定分裂区剥离所述施主衬底，由此将所述初始施主衬底的一层转移到所述操作衬底上，以形成复合材料晶片。为了能够更多次再使用施主衬底，本发明提出在低于950℃，具体地说是低于900℃，优选是在850℃或更低的温度下执行热处理步骤以形成绝缘层。本发明还涉及根据本发明方法制造的绝缘体上硅型的晶片。

公开(公告)号：CN101529578A

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200680056214.4

申请日：2006-10-27

申请人： 硅绝缘体技术有限公司

发明人： 埃里克·内雷 ,  奥列格·科农丘克

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/322

CPC分类号： H01L21/76254

摘要： 本发明提供了用于形成半导体结构体的方法和由该方法获得的结构体，所述结构体包括转移自供体基片的层，其中所获得的结构体在缺陷方面具有改善的品质。例如，通过以下方法能够形成绝缘体上的半导体(SeOI)结构体，所述方法包括：提供具有空位团的第一密度的供体基片(1)；提供绝缘层(3)；将薄层(10)从所述供体基片(1)转移到其上具有所述绝缘层(3)的支持基片(2)；整治经转移的所述薄层(10)从而将所述空位团的第一密度降低到第二密度；并且所述方法的特征在于所述提供绝缘层(30)的步骤包括提供与经转移的所述薄层(10)接触的阻氧层(4)，所述阻氧层限制氧在所述整治期间向所述薄层的扩散。

公开(公告)号：CN101548369B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN200680056525.0

申请日：2006-12-26

申请人： 硅绝缘体技术有限公司

发明人： 奥列格·科农丘克

IPC分类号： H01L21/322 ,  H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76254 ,  H01L21/324

摘要： 本发明涉及对用于电子器件或光电器件的结构进行处理的过程，所述结构顺次包括：衬底、所具有的导热性大致高于由半导体材料的氧化物制成的氧化物层的导热性的介电层、由所述半导体材料的氧化物制成的氧化物层、由所述半导体材料制成的薄半导体层，其特征在于，该过程包括在惰性气氛或还原性气氛中，使用为激励所述氧化物层的大量氧扩散通过所述半导体层从而使所述氧化物层的厚度减小预定值而选择的温度值和持续时间来对所述结构进行热处理的步骤。本发明还涉及包括所述热处理的制造用于电子器件或光电器件的结构的过程。

公开(公告)号：CN101714505A

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200910172880.X

申请日：2009-09-07

申请人： 硅绝缘体技术有限公司

发明人： 奥列格·科农丘克

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/187 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02667

摘要： 本发明涉及一种制造至少部分松弛的材料层(5，5a，5b)的方法，其包括以下步骤：提供包括位于回流层(2，2a，2b)与硬化剂层(4，4a，4b)之间的应变材料层(3，3a，3b)的结构(10)；施加热处理，该热处理使回流层(2，2a，2b)的温度等于或大于回流层(2，2a，2b)的玻璃转化温度，该方法包括在施加热处理期间，逐渐减小硬化剂层(4，4a，4b)的厚度。本发明还涉及制造半导体器件的方法，该方法包括提供通过前述方法获得的至少部分松弛的材料层(5，5a，5b)，该方法还包括在所述至少部分松弛的材料层(5，5a，5b)上形成至少一个有源层(6，6a，6b)，尤其是激光部件、光伏部件或电致发光二极管的有源层(6，6a，6b)。

公开(公告)号：CN101558486A

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200880001113.6

申请日：2008-01-16

申请人： 硅绝缘体技术有限公司

发明人： 帕特里克·雷诺 ,  奥列格·科农丘克

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76254 ,  H01L21/02032

摘要： 本发明涉及制造复合材料晶片的方法，特别是涉及制造绝缘体上硅类型的晶片的方法，该方法包括以下步骤：提供施主衬底；形成绝缘层；提供操作衬底；在所述施主衬底中创建预定的分离区；将所述施主衬底附接到操作衬底；以及在所述预定的分离区分离所述施主衬底，以获得所述复合材料晶片。为了能够在随后的制造操作中对所述施主衬底的剩余部分进行更频繁的再利用，本发明的特征在于：设置在所述施主衬底上的所述绝缘层具有500的最大厚度，或者所述绝缘层是通过沉积来设置的或者所述绝缘层仅设置在所述操作衬底上。此外，本发明还公开了硅上硅型晶片的制作方法。