太阳能电池背电极和太阳能电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN108735825B

    公开(公告)日:2020-04-17

    申请号:CN201710239748.0

    申请日:2017-04-13

    IPC分类号: H01L31/0224 H01L31/0749

    摘要: 本发明提供了太阳能电池领域,具体公开了一种太阳能电池背电极和太阳能电池及其制备方法。所述太阳能电池背电极的制备方法包括采用磁控溅射法在基底的一侧表面上依次循环交替沉积高气压钼层和低气压钼层以作为底电极,不同高气压钼层的厚度各自独立地为30‑200nm,不同低气压钼层的厚度各自独立地为40‑300nm,沉积不同高气压钼层的压力各自独立地为0.7‑3.0Pa,沉积不同低气压钼层的压力各自独立地为0.01‑0.5Pa。本发明利用高、低气压下制备周期性多层交替钼层结构,能够使得到的太阳能电池背电极具有良好的电学性质、附着力及高温稳定性,同时降低其残余应力。

    硫化镉薄膜及其制备方法和应用及制备硫化镉薄膜用装置

    公开(公告)号:CN106702354A

    公开(公告)日:2017-05-24

    申请号:CN201510778617.0

    申请日:2015-11-13

    IPC分类号: C23C18/12

    CPC分类号: C23C18/1204 C23C18/125

    摘要: 本发明涉及薄膜太阳能电池技术领域,公开了一种硫化镉薄膜及其制备方法和应用及制备硫化镉薄膜用装置,该制备方法包括:将基底置于含有镉盐、铵盐、硫脲和氨水的反应溶液中,进行化学水浴沉积反应,待反应结束后取出基底,干燥,以Cd2+计,反应溶液中镉盐的浓度为0.001-0.01mol/L;以NH4+计,铵盐的浓度为0.001-0.02mol/L;硫脲的浓度为0.05-0.2mol/L;氨水的加入量使得反应溶液的pH值为10.5-11.2;化学水浴沉积反应的条件包括:水浴温度为55-75℃,水浴加热时间为5-20分钟。本发明的方法无需进行清洗、退火处理等后续处理,且制备得到的硫化镉薄膜,晶粒大小均匀、薄膜致密度高、光透过率高。

    太阳能电池背电极和太阳能电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN108735825A

    公开(公告)日:2018-11-02

    申请号:CN201710239748.0

    申请日:2017-04-13

    IPC分类号: H01L31/0224 H01L31/0749

    摘要: 本发明提供了太阳能电池领域,具体公开了一种太阳能电池背电极和太阳能电池及其制备方法。所述太阳能电池背电极的制备方法包括采用磁控溅射法在基底的一侧表面上依次循环交替沉积高气压钼层和低气压钼层以作为底电极,不同高气压钼层的厚度各自独立地为30-200nm,不同低气压钼层的厚度各自独立地为40-300nm,沉积不同高气压钼层的压力各自独立地为0.7-3.0Pa,沉积不同低气压钼层的压力各自独立地为0.01-0.5Pa。本发明利用高、低气压下制备周期性多层交替钼层结构,能够使得到的太阳能电池背电极具有良好的电学性质、附着力及高温稳定性,同时降低其残余应力。