公开(公告)号：CN110312776B

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN201880011959.1

申请日：2018-01-29

申请人： 福吉米株式会社

发明人： 森嘉男 ,  谷口惠 ,  向井贵俊 ,  土屋公亮

IPC分类号： C09K3/14 ,  B24B37/00 ,  C09G1/02 ,  H01L21/304

摘要： [课题]提供消除激光硬标记周缘的隆起的性能优异的研磨用组合物。[解决方案]一种研磨用组合物，其包含磨粒、水溶性高分子、碱性化合物和水，前述水溶性高分子为包含源自苯乙烯或其衍生物的结构单元、和源自除此之外的单体的结构单元的共聚物。

公开(公告)号：CN105612236B

公开(公告)日：2018-04-13

申请号：CN201480053942.4

申请日：2014-09-22

申请人： 福吉米株式会社

发明人： 土屋公亮 ,  森嘉男

IPC分类号： C09K3/14 ,  B24B37/00 ,  H01L21/304

CPC分类号： C09K3/1463 ,  B24B37/00 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  C09G1/04 ,  C09K3/1436 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/02052

摘要： 本发明提供一种能够减少雾度及表面缺陷的研磨用组合物。根据本发明，可提供包含水溶性合成高分子ML‑end的研磨用组合物，所述水溶性合成高分子ML‑end在主链的至少一个端部具有疏水性区域。前述疏水性区域具有来自聚合引发剂的至少1个疏水性基团。

公开(公告)号：CN106233424A

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201580020029.9

申请日：2015-04-07

申请人： 福吉米株式会社

发明人： 土屋公亮 ,  丹所久典 ,  森嘉男

IPC分类号： H01L21/02 ,  C09K3/14 ,  C09G1/02

CPC分类号： C09K3/14 ,  C09G1/02 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/02052

摘要： 本发明提供一种降低硅晶圆表面的雾度的效果及过滤性优异的硅晶圆研磨用组合物。此处所提供的硅晶圆研磨用组合物含有硅晶圆研磨促进剂、含酰胺基聚合物X、不含酰胺基的有机化合物Y及水。含酰胺基聚合物X在主链中具有源自下述通式(1)所示的单体的结构单元A。另外，含酰胺基聚合物X的分子量Mx与有机化合物Y的分子量My的关系满足下式200≤My

公开(公告)号：CN105593330B

公开(公告)日：2018-06-19

申请号：CN201480053941.X

申请日：2014-09-22

申请人： 福吉米株式会社

发明人： 土屋公亮 ,  森嘉男

IPC分类号： C09K3/14 ,  B24B37/04 ,  H01L21/304

CPC分类号： C09K3/1463 ,  B24B37/00 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  C09G1/04 ,  C09K3/1436 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/02052

摘要： 本发明提供一种能够有效地减少表面缺陷的研磨用组合物。根据本发明，可提供包含水溶性高分子MC‑end的研磨用组合物。前述水溶性高分子MC‑end的主链包含作为主构成区域的非阳离子性区域和位于该主链的至少一个端部的阳离子性区域。前述阳离子性区域具有至少一个阳离子性基团。

公开(公告)号：CN103890114B

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201280051935.1

申请日：2012-10-09

申请人： 福吉米株式会社

发明人： 土屋公亮 ,  森嘉男 ,  高见信一郎 ,  高桥修平

IPC分类号： C09G1/02 ,  H01L21/304 ,  B24B37/00

CPC分类号： B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/304

摘要： 本发明提供一种研磨用组合物，其特征在于，其为含有磨粒、水溶性高分子、聚集抑制剂和水的研磨用组合物，在将前述研磨用组合物中存在的颗粒的平均粒径设为R1、将使前述磨粒分散在水中而使得与前述研磨用组合物中的磨粒的浓度相同时的磨粒的平均粒径设为R2的情况下，R1/R2为1.3以下。该研磨用组合物主要在研磨硅基板的表面的用途中使用。

公开(公告)号：CN103890114A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201280051935.1

申请日：2012-10-09

申请人： 福吉米株式会社

发明人： 土屋公亮 ,  森嘉男 ,  高见信一郎 ,  高桥修平

IPC分类号： C09G1/02 ,  H01L21/304 ,  B24B37/00

CPC分类号： B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/304

摘要： 本发明提供一种研磨用组合物，其特征在于，其为含有磨粒、水溶性高分子、聚集抑制剂和水的研磨用组合物，在将前述研磨用组合物中存在的颗粒的平均粒径设为R1、将使前述磨粒分散在水中而使得与前述研磨用组合物中的磨粒的浓度相同时的磨粒的平均粒径设为R2的情况下，R1/R2为1.3以下。该研磨用组合物主要在研磨硅基板的表面的用途中使用。

公开(公告)号：CN118055994A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202280065941.6

申请日：2022-09-27

申请人： 福吉米株式会社

发明人： 森嘉男 ,  中贝雄一郎 ,  织田博之

IPC分类号： C09K3/14 ,  B24B37/00 ,  C09G1/02 ,  C09G1/04 ,  H01L21/304

摘要： 本发明提供一种能够对研磨对象物实现优异的研磨去除速度的研磨用组合物。本发明提供一种用于研磨对象物的研磨的研磨用组合物。上述研磨用组合物包含水以及作为氧化剂的高锰酸钠。在一些优选的方式中，上述研磨用组合物还包含选自阳离子与阴离子的盐中的金属盐，所述阳离子包含属于周期表的第3～16族的金属。上述研磨用组合物也可以优选地应用于由具有1500Hv以上的维氏硬度的高硬度材料所构成的研磨对象物的研磨。

公开(公告)号：CN113993968A

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN202080044527.8

申请日：2020-06-15

申请人： 福吉米株式会社

发明人： 伊藤康昭 ,  高见信一郎 ,  森嘉男

IPC分类号： C09K3/14 ,  B24B37/00

摘要： 提供可在维持良好的研磨速度的同时降低对研磨对象物的摩擦力的研磨用组合物。通过本发明提供的研磨用组合物包含水、磨粒及作为氧化剂的复合金属氧化物。上述研磨用组合物还包含阴离子性聚合物。一些优选方式中，上述研磨用组合物包含高锰酸盐作为前述复合金属氧化物。上述研磨用组合物适合用于对维氏硬度1500Hv以上的材料进行研磨的用途。

公开(公告)号：CN111040731A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201911251975.0

申请日：2015-04-07

申请人： 福吉米株式会社

发明人： 土屋公亮 ,  丹所久典 ,  森嘉男

IPC分类号： C09K3/14 ,  H01L21/02

摘要： 本发明提供一种硅晶圆研磨用组合物，其降低硅晶圆表面的雾度的效果优异。此处所提供的硅晶圆研磨用组合物含有磨粒、硅晶圆研磨促进剂、含酰胺基聚合物及水。含酰胺基聚合物在主链中具有源自下述通式(1)所示的单体的结构单元A。另外，磨粒的平均二次粒径为10nm以上且60nm以下。

公开(公告)号：CN105264647B

公开(公告)日：2018-01-09

申请号：CN201480032514.3

申请日：2014-05-02

申请人： 福吉米株式会社

发明人： 土屋公亮 ,  丹所久典 ,  市坪大辉 ,  森嘉男

IPC分类号： H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

CPC分类号： C09G1/02 ,  B24B37/00 ,  B24B37/044 ,  C09K3/1436 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/02052

摘要： 本发明提供在磨粒存在下使用的硅晶圆研磨用组合物。该组合物包含硅晶圆研磨促进剂、含酰胺基聚合物和水。并且，前述含酰胺基聚合物在主链中具有构成单元A。前述构成单元A包含：构成前述含酰胺基聚合物的主链的主链构成碳原子；以及仲酰胺基或叔酰胺基。并且，构成前述仲酰胺基或叔酰胺基的羰基碳原子直接键合于前述主链构成碳原子上。