公开(公告)号：CN116041060B

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202310076689.5

申请日：2023-02-08

申请人： 福建火炬电子科技股份有限公司

发明人： 陈本夏 ,  林柄锋 ,  郑冬建 ,  罗培福 ,  陈永虹 ,  宋运雄

IPC分类号： C04B35/49 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  C04B41/88

摘要： 本发明公开了一种贱金属脉冲储能陶瓷介质材料、陶瓷电容器及其制备方法，该陶瓷介质材料的原料组成与百分比含量为：[a wt％(Ba1‑xCax)(Ti1‑yZry)O3+b wt％(SiO2‑Al2O3)]，其中，(Ba1‑xCax)(Ti1‑yZry)O3作为主基体，SiO2‑Al2O3作为烧结助剂，0.4≤x≤0.7，0.4≤y≤0.7，85≤a≤98，2≤b≤15，a、b分别为主基体和烧结助剂的质量百分比，在主基体表面分布有二氧化硅掺杂的介孔氧化铝SiO2‑Al2O3纳米颗粒。通过固相法与超声辅助溶胶‑凝胶法相结合，制得的上述陶瓷介质材料的粒径在300‑500nm之间，可与贱金属电极共烧，具有良好的适配性，同时兼顾较低的介电损耗、较高的介电常数、优异的充放电性能、良好的温度稳定性等优点。

公开(公告)号：CN117088687A

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN202311102354.2

申请日：2023-08-30

申请人： 福建火炬电子科技股份有限公司

发明人： 陈本夏 ,  林柄锋 ,  李佳潓 ,  宋运雄 ,  陈永虹

IPC分类号： C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  H01G4/12

摘要： 一种陶瓷电容器用立方体铌酸钠陶瓷介质材料及其制备方法，立方体铌酸钠陶瓷介质材料，其原料组包括NaNbO3、BiZn0.5Ti0.5、LiNiMnO，通过限定立方体铌酸钠的原料组成及制备方法，采用多步研磨合成法协同化学结构改性，通过控制陶瓷粉料的晶粒形貌、尺寸及分散性，改善了瓷体的致密性，提高击穿电场强度；通过添加BiZn0.5Ti0.5、Li2NiMnO3进行化学改性，提高反铁电相的稳定性，优化了储能性能。

公开(公告)号：CN112645708B

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN202011546965.2

申请日：2020-12-24

申请人： 福建火炬电子科技股份有限公司

发明人： 洪志超 ,  陈本夏 ,  喻巧 ,  陈永虹 ,  宋运雄

IPC分类号： C04B35/49 ,  C04B35/628 ,  C04B35/626 ,  C04B35/64 ,  H01G4/12

摘要： 一种抗还原BME瓷介电容器及电容器用陶瓷材料，一种抗还原BME瓷介电容器用陶瓷材料，由以下原料组成：钛酸钡、草酸氧钒、硝酸锰、硝酸镁、硝酸锶、稀土A硝酸盐、稀土B硝酸盐、硝酸铬、硝酸钡、碳酸氢钙、纳米二氧化硅、纳米二氧化铪，通过添加草酸氧钒、硝酸钡、碳酸氢钙、纳米二氧化硅、纳米二氧化铪等添加剂，降低损耗，提高绝缘电阻，提高介质耐电压，获得良好的电性能。

公开(公告)号：CN112645708A

公开(公告)日：2021-04-13

申请号：CN202011546965.2

申请日：2020-12-24

申请人： 福建火炬电子科技股份有限公司

发明人： 洪志超 ,  陈本夏 ,  喻巧 ,  陈永虹 ,  宋运雄

IPC分类号： C04B35/49 ,  C04B35/628 ,  C04B35/626 ,  C04B35/64 ,  H01G4/12

摘要： 一种抗还原BME瓷介电容器及电容器用陶瓷材料，一种抗还原BME瓷介电容器用陶瓷材料，由以下原料组成：钛酸钡、草酸氧钒、硝酸锰、硝酸镁、硝酸锶、稀土A硝酸盐、稀土B硝酸盐、硝酸铬、硝酸钡、碳酸氢钙、纳米二氧化硅、纳米二氧化铪，通过添加草酸氧钒、硝酸钡、碳酸氢钙、纳米二氧化硅、纳米二氧化铪等添加剂，降低损耗，提高绝缘电阻，提高介质耐电压，获得良好的电性能。

公开(公告)号：CN118553534A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202410642944.2

申请日：2024-05-23

申请人： 福建火炬电子科技股份有限公司

发明人： 陈本夏 ,  李佳潓 ,  谢艺兰 ,  林柄锋 ,  宋运雄 ,  陈永虹

IPC分类号： H01G4/30 ,  H01G4/12 ,  H01G4/008 ,  C04B35/49 ,  C04B35/622 ,  C04B35/624 ,  C04B35/64

摘要： 一种低成本储能多层陶瓷电容器及其用陶瓷介质材料、制备方法，陶瓷介质材料其组成与百分比含量为：[awt％(Sr1‑xCax)(Ti1‑yZry)O3+bwt％(10SiO2‑Al2O3‑zH3BO3)]，主基材为(Sr1‑xCax)(Ti1‑yZry)O3，烧结助剂为SiO2‑Al2O3‑H3BO3，其中，90＜a＜98，2＜b＜10，0.5＜z＜1.5，制备时，采用超声辅助溶胶‑凝胶法合成Si和B掺杂的介孔Al2O3纳米颗粒作为烧结助剂，并通过超声分布于主基材的表面；有效束缚了主基材晶粒的长大，进而得到晶粒尺寸可控，分布均一的陶瓷介质粉料，该瓷粉可匹配贱金属电极，同时在保证优异电性能的基础上，改善了电容器的偏压特性。

公开(公告)号：CN116947483A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202310929619.X

申请日：2023-07-27

申请人： 福建火炬电子科技股份有限公司

发明人： 罗培福 ,  洪志超 ,  周永昌 ,  陈本夏 ,  宋运雄 ,  陈永虹 ,  林志盛

IPC分类号： C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  C04B35/63 ,  C04B35/64 ,  C04B41/88 ,  H01G4/30

摘要： 一种基于前驱体预烧法制备的高容多层BME瓷介电容器及制作方法，高容多层BME瓷介电容器，由介电层相互叠加烧制而成，介电层包括介质层和印刷在介质层上的内电极，介质层是基于100重量份的前驱体混合掺杂剂制成；掺杂剂包括以下原料；氧化镁、碳酸锰、五氧化二钒、稀土氧化、二氧化硅、硝酸钙、氧化锆；前驱体由钛酸钡混合稀土氧化物，在1000‑1200℃的温度下焙烧0.5‑3h而成；本发明采用前驱体预烧法，先把稀土氧化物和钛酸钡分散均匀后在1000‑1200℃焙烧0.5‑3h成为前驱体，以此增加钛酸钡中稀土元素的掺杂量，使制备的MLCC具有了极高的介电常数和平稳的介温特性曲线，以及低损耗、高绝缘电阻的优良综合性能、在电路中将具有更小的漏电流，更高的可靠性。

公开(公告)号：CN116041060A

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN202310076689.5

申请日：2023-02-08

申请人： 福建火炬电子科技股份有限公司

发明人： 陈本夏 ,  林柄锋 ,  郑冬建 ,  罗培福 ,  陈永虹 ,  宋运雄

IPC分类号： C04B35/49 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  C04B41/88

摘要： 本发明公开了一种贱金属脉冲储能陶瓷介质材料、陶瓷电容器及其制备方法，该陶瓷介质材料的原料组成与百分比含量为：[a wt％(Ba1‑xCax)(Ti1‑yZry)O3+b wt％(SiO2‑Al2O3)]，其中，(Ba1‑xCax)(Ti1‑yZry)O3作为主基体，SiO2‑Al2O3作为烧结助剂，0.4≤x≤0.7，0.4≤y≤0.7，85≤a≤98，2≤b≤15，a、b分别为主基体和烧结助剂的质量百分比，在主基体表面分布有二氧化硅掺杂的介孔氧化铝SiO2‑Al2O3纳米颗粒。通过固相法与超声辅助溶胶‑凝胶法相结合，制得的上述陶瓷介质材料的粒径在300‑500nm之间，可与贱金属电极共烧，具有良好的适配性，同时兼顾较低的介电损耗、较高的介电常数、优异的充放电性能、良好的温度稳定性等优点。