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公开(公告)号：CN112366107B
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202011254614.4
申请日：2020-11-11
申请人： 福达合金材料股份有限公司
摘要： 本公开涉及一种银金属氧化物片状电触头制备方法，采用磁控溅射工艺对AgMeO基材镀银；银镀层厚度为0.01mm～0.20mm,银层分布均匀度±0.005mm；磁控溅射镀银期间AgMeO基材加热并保温至AgMeO基材熔点的30％‑65％。本公开应用磁控溅射技术，结合电触头的实际情况以及几种常规制备工艺各自的优点，形成独立高效且稳定的电触头制备方法，并在一定程度上规避上述工艺的缺点，在确保工作层和焊接银层结合强度的前提下，提高银层分布均匀性，降低开关电器中触点材料成本。
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公开(公告)号：CN111299599A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN202010153798.9
申请日：2020-03-07
申请人： 福达合金材料股份有限公司
IPC分类号： B22F9/08 , B22F3/20 , B22F3/02 , C22C1/04 , C22C1/10 , C22C5/06 , C22C32/00 , H01H1/023 , H01H1/0233 , H01H1/0237 , H01H11/04
摘要： 本发明公开了一种银镍或银铁电接触材料及其制备方法，采用了一种粉体制备与混粉一体化设备，上层喷盘接通喷粉装置，下层喷盘接通高压水，将弥散强化相混合粉末装入喷粉装置中，在高压水雾化制备银粉的过程中，以惰性气体在载体将弥散强化相混合粉末喷射进入银熔液中，固态弥散强化相混合粉末被高温的液态银包裹形成稳定的冶金结合，然后再经过高压水破碎冷却形成均匀的混合粉颗粒，混合粉颗粒经过烘干-压锭-挤压等工序加工成电接触材料。与传统的制备工艺相比较，本发明具有弥散强化相颗粒在银基体中的分布均匀性高、弥散强化相颗粒与银基体的结合强度高、制造过程绿色环保、生产周期短等显著优点。
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公开(公告)号：CN111463046A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010153807.4
申请日：2020-03-07
申请人： 福达合金材料股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种银氧化锌片状电触头及其制备方法，银氧化锌片状电触头由工作层和焊接层两层组成，将银氧化锌粉末和焊接层材料粉末压制成为焊接层材料包裹银氧化锌材料的复合锭坯，再经过烧结、复压、反挤压加工成为银氧化锌/焊接材料的复合带材，最后通过轧制、冲制、表面处理加工为自带焊料层的银氧化锌片状电触头，焊接过程中不需要放置额外的焊料。与传统的焊接面为纯银层的银氧化锌片状电触头相比，可以提升焊接效率和焊接质量，工作层与焊接层之间结合强度可靠性更高。
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公开(公告)号：CN110000374A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201910297990.2
申请日：2019-04-15
申请人： 福达合金材料股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种银钼触头材料的制备工艺及其产品，其工艺包括(1)将钼粉与硝酸银溶液加入反应容器中，并向反应容器中通入聚乙二醇、氢氧化钠溶液和葡萄糖溶液，在超声振荡和搅拌条件下进行还原反应，将银析出并包裹于钼粉体外，形成银包钼复合粉体，所述的银包钼复合粉体的结构为：钼颗粒外部覆盖一层厚度为10～200nm的纯银壳层；(2)将所述的银包钼复合粉体和银粉混合，成为含银5％的银钼粉体，然后压制成孔隙率在5～50％的触头压坯；(3)将所述触头压坯，与银块置于氨分解气氛保护的烧结炉中进行烧结、熔渗，从而获得规定尺寸与成分的银钼触头材料。本发明具有以下优点和效果：能够制作并得到高钼含量的高致密性熔渗型银钼材料，通常钼的质量比在45％-85％。
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公开(公告)号：CN110064762B
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN201910424585.2
申请日：2019-05-21
申请人： 福达合金材料股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种银碳化钨触头材料的制备方法，包括以下步骤：S1、将硝酸银溶液、聚乙二醇、氢氧化钠溶液和葡萄糖溶液混合均匀，于超声振荡和搅拌条件下进行还原反应，将银析出并包裹于碳化钨粉体外，形成银包裹碳化钨复合粉体；S2、将所述银包裹碳化钨粉体和银粉混合后压制成压坯；S3、将S2制成的压坯与银块置于氨分解气氛保护的烧结炉中烧结、熔渗，获得银碳化钨触头材料。本发明还公开了采用上述制备方法制备得到的银碳化钨触头材料。本发明制备得到的银碳化钨触头材料，为高致密性熔渗型银碳化钨材料，碳化钨质量比在40％‑90％。
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公开(公告)号：CN110000374B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201910297990.2
申请日：2019-04-15
申请人： 福达合金材料股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种银钼触头材料的制备工艺及其产品，其工艺包括(1)将钼粉与硝酸银溶液加入反应容器中，并向反应容器中通入聚乙二醇、氢氧化钠溶液和葡萄糖溶液，在超声振荡和搅拌条件下进行还原反应，将银析出并包裹于钼粉体外，形成银包钼复合粉体，所述的银包钼复合粉体的结构为：钼颗粒外部覆盖一层厚度为10～200nm的纯银壳层；(2)将所述的银包钼复合粉体和银粉混合，成为含银5％的银钼粉体，然后压制成孔隙率在5～50％的触头压坯；(3)将所述触头压坯，与银块置于氨分解气氛保护的烧结炉中进行烧结、熔渗，从而获得规定尺寸与成分的银钼触头材料。本发明具有以下优点和效果：能够制作并得到高钼含量的高致密性熔渗型银钼材料，通常钼的质量比在45％‑85％。
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公开(公告)号：CN111390191A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010153799.3
申请日：2020-03-07
申请人： 福达合金材料股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种弥散铜材料的制备方法，采用了一种粉体制备与混粉一体化设备，上层喷盘接通喷粉装置，下层喷盘接通高压水，将弥散强化相混合粉末装入喷粉装置中，在高压水雾化制备铜粉的过程中，以惰性气体为载体将弥散强化相混合粉末喷射进入铜熔液中，固态的弥散强化相混合粉末被高温的液态铜包裹形成稳定的冶金结合，然后再经过高压水破碎冷却形成均匀的混合粉颗粒，混合粉颗粒经过烘干-压锭-挤压等工序加工成弥散铜材料。本发明解决了弥散铜材料采用传统氧化-还原工艺制备过程中存在的氧化不充分或者还原不充分的问题，提高了弥散强化相颗粒在铜基体中的分布均匀性和结合强度，工艺路线简单，加工流程短，适合大批量生产等显著优点。
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公开(公告)号：CN110064762A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201910424585.2
申请日：2019-05-21
申请人： 福达合金材料股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种银碳化钨触头材料的制备方法，包括以下步骤：S1、将硝酸银溶液、聚乙二醇、氢氧化钠溶液和葡萄糖溶液混合均匀，于超声振荡和搅拌条件下进行还原反应，将银析出并包裹于碳化钨粉体外，形成银包裹碳化钨复合粉体；S2、将所述银包裹碳化钨粉体和银粉混合后压制成压坯；S3、将S2制成的压坯与银块置于氨分解气氛保护的烧结炉中烧结、熔渗，获得银碳化钨触头材料。本发明还公开了采用上述制备方法制备得到的银碳化钨触头材料。本发明制备得到的银碳化钨触头材料，为高致密性熔渗型银碳化钨材料，碳化钨质量比在40％-90％。
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公开(公告)号：CN110129603B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201910297951.2
申请日：2019-04-15
申请人： 福达合金材料股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种银钨触头材料的制作方法及其产品,包括以下步骤：(1)将钨粉与硝酸银溶液加入反应容器中，并向反应容器中加入聚乙二醇、氢氧化钠及葡萄糖溶液，在超声振荡和搅拌条件下进行还原反应后，将银析出并包裹于钨粉体外，形成复合粉体，所述的复合粉体的结构为：钨颗粒外部覆盖一层厚度为10～200nm的纯银壳层；(2)将所述的复合粉体与银粉混合，成为含银4％的银钨粉体，然后压制成孔隙率在5～45％的触头压坯；(3)将所述触头压坯与银块置于氨分解气氛保护的烧结炉中进行烧结、熔渗，从而获得规定尺寸与成分的银钨触头材料。本发明具有以下优点和效果：能够制作并得到高钨含量的高致密性熔渗型银钨材料，通常钨质量比在50％‑90％。
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公开(公告)号：CN112366107A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN202011254614.4
申请日：2020-11-11
申请人： 福达合金材料股份有限公司
摘要： 本公开涉及一种银金属氧化物片状电触头制备方法，采用磁控溅射工艺对AgMeO基材镀银；银镀层厚度为0.01mm～0.20mm,银层分布均匀度±0.005mm；磁控溅射镀银期间AgMeO基材加热并保温至AgMeO基材熔点的30％‑65％。本公开应用磁控溅射技术，结合电触头的实际情况以及几种常规制备工艺各自的优点，形成独立高效且稳定的电触头制备方法，并在一定程度上规避上述工艺的缺点，在确保工作层和焊接银层结合强度的前提下，提高银层分布均匀性，降低开关电器中触点材料成本。
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