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公开(公告)号：CN116235042B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202180064419.1
申请日：2021-09-21
申请人： 科磊股份有限公司
IPC分类号： G01N21/956 , G06T7/00 , G06N20/00 , G06N3/0464 , G03F7/20 , G01N21/88
摘要： 一种计量系统包含通信地耦合到控制器的一或多个离焦成像计量子系统，所述控制器具有经配置以接收在一或多个焦点位置处捕获的多个训练图像的一或多个处理器。所述一或多个处理器可基于所述多个训练图像产生机器学习分类器。所述一或多个处理器可接收针对一或多个目标叠加测量的对应于一或多个目标特征的一或多个目标特征选择。所述一或多个处理器可使用所述机器学习分类器来基于所述一或多个目标特征选择确定一或多个目标焦点位置。所述一或多个处理器可：接收在所述一或多个目标焦点位置处捕获的一或多个目标图像，所述目标图像包含目标样品的所述一或多个目标特征；及基于所述一或多个目标图像确定叠加。
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公开(公告)号：CN109844917A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201780062566.9
申请日：2017-10-12
申请人： 科磊股份有限公司
摘要： 本文中呈现用于基于在过程间隔期间对晶片进行的重复测量估计所关注参数的值的方法及系统。在一个方面中，一或多个光学计量子系统与例如蚀刻工具或沉积工具等过程工具集成。使用在处理所述晶片时测量的一或多个所关注参数的值来控制所述过程本身。快速地且以足够准确度执行所述测量以实现半导体制造过程流程的良率改进。在一个方面中，使用经训练信号响应计量SRM测量模型来基于被处理晶片的光谱测量估计一或多个所关注参数的值。在另一方面中，采用经训练信号净化模型以在处理所述晶片时从经测量光谱产生净化光谱。
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公开(公告)号：CN106796105B
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201580055340.7
申请日：2015-10-14
申请人： 科磊股份有限公司
IPC分类号： G01B11/24
摘要： 本发明提出用于评估多重图案化工艺的性能的方法及系统。测量图案化结构且确定特征化由所述多重图案化工艺引发的几何误差的一或多个参数值。在一些实例中，测量主、多重图案化目标且通过信号响应度量SRM测量模型从所述测量数据直接确定所关注参数的值。在一些其它实例中，测量主、多重图案化目标及辅助目标且通过信号响应度量SRM测量模型从所述测量数据直接确定所关注参数的值。在一些其它实例中，在不同过程步骤处测量主、多重图案化目标且通过信号响应度量SRM测量模型从所述测量数据直接确定所关注参数的值。
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公开(公告)号：CN107850858A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680046414.5
申请日：2016-08-12
申请人： 科磊股份有限公司
IPC分类号： G03F7/20 , G03F7/00 , H01L21/027 , H01L21/66
摘要： 本发明揭示一种光刻系统，其包含照明源及一组投影光学器件。所述照明源将照明光束从离轴照明极点引导到图案掩模。所述图案掩模包含一组图案元件，所述组图案元件产生包含来自所述照明极点的照明的一组衍射光束。由所述组投影光学器件接收的所述组衍射光束中的至少两个衍射光束非对称地分布于所述组投影光学器件的光瞳面中。所述组衍射光束中的所述至少两个衍射光束非对称地入射于样本上以形成对应于所述组图案元件的图像的一组制造元件。样本上的所述组制造元件包含沿所述组投影光学器件的光学轴的样本的位置的一或多个指示符。
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公开(公告)号：CN118225804A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410326042.8
申请日：2021-09-21
申请人： 科磊股份有限公司
IPC分类号： G01N21/956 , G03F7/20 , G01N21/88 , G06T7/00 , G06V10/764 , G06V10/40 , G06N20/00 , G06N3/0464
摘要： 本公开涉及用于在基于图像的叠加计量中确定目标特征焦点的系统及方法。一种计量系统包含通信地耦合到控制器的一或多个离焦成像计量子系统，所述控制器具有经配置以接收在一或多个焦点位置处捕获的多个训练图像的一或多个处理器。所述一或多个处理器可基于所述多个训练图像产生机器学习分类器。所述一或多个处理器可接收针对一或多个目标叠加测量的对应于一或多个目标特征的一或多个目标特征选择。所述一或多个处理器可使用所述机器学习分类器来基于所述一或多个目标特征选择确定一或多个目标焦点位置。
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公开(公告)号：CN110596146B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN201910872426.9
申请日：2015-10-13
申请人： 科磊股份有限公司
IPC分类号： G01N21/956 , G03F7/20 , G06T7/00 , G06T7/33 , H04N5/225
摘要： 本申请涉及一种用于基于图像的测量及基于散射术的叠对测量的信号响应度量。采用各自具有沿相反方向的经编程偏移的两个叠对目标来执行叠对测量。基于零级散射术信号测量叠对误差，且以两个不同方位角从每一目标收集散射术数据。另外，本发明呈现用于基于所测量的基于图像的训练数据而创建基于图像的测量模型的方法及系统。接着使用经训练的基于图像的测量模型来直接依据从其它晶片收集的所测量图像数据计算一或多个所关注参数的值。本文中描述的用于基于图像的测量的方法及系统适用于度量应用及检验应用两者。
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公开(公告)号：CN107850858B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201680046414.5
申请日：2016-08-12
申请人： 科磊股份有限公司
IPC分类号： G03F7/20 , G03F7/00 , H01L21/027 , H01L21/66
摘要： 本发明揭示一种光刻系统，其包含照明源及一组投影光学器件。所述照明源将照明光束从离轴照明极点引导到图案掩模。所述图案掩模包含一组图案元件，所述组图案元件产生包含来自所述照明极点的照明的一组衍射光束。由所述组投影光学器件接收的所述组衍射光束中的至少两个衍射光束非对称地分布于所述组投影光学器件的光瞳面中。所述组衍射光束中的所述至少两个衍射光束非对称地入射于样本上以形成对应于所述组图案元件的图像的一组制造元件。样本上的所述组制造元件包含沿所述组投影光学器件的光学轴的样本的位置的一或多个指示符。
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公开(公告)号：CN106796105A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201580055340.7
申请日：2015-10-14
申请人： 科磊股份有限公司
IPC分类号： G01B11/24
摘要： 本发明提出用于评估多重图案化工艺的性能的方法及系统。测量图案化结构且确定特征化由所述多重图案化工艺引发的几何误差的一或多个参数值。在一些实例中，测量主、多重图案化目标且通过信号响应度量SRM测量模型从所述测量数据直接确定所关注参数的值。在一些其它实例中，测量主、多重图案化目标及辅助目标且通过信号响应度量SRM测量模型从所述测量数据直接确定所关注参数的值。在一些其它实例中，在不同过程步骤处测量主、多重图案化目标且通过信号响应度量SRM测量模型从所述测量数据直接确定所关注参数的值。
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公开(公告)号：CN109844917B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN201780062566.9
申请日：2017-10-12
申请人： 科磊股份有限公司
摘要： 本文中呈现用于基于在过程间隔期间对晶片进行的重复测量估计所关注参数的值的方法及系统。在一个方面中，一或多个光学计量子系统与例如蚀刻工具或沉积工具等过程工具集成。使用在处理所述晶片时测量的一或多个所关注参数的值来控制所述过程本身。快速地且以足够准确度执行所述测量以实现半导体制造过程流程的良率改进。在一个方面中，使用经训练信号响应计量SRM测量模型来基于被处理晶片的光谱测量估计一或多个所关注参数的值。在另一方面中，采用经训练信号净化模型以在处理所述晶片时从经测量光谱产生净化光谱。
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公开(公告)号：CN116235042A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202180064419.1
申请日：2021-09-21
申请人： 科磊股份有限公司
IPC分类号： G01N21/88
摘要： 一种计量系统包含通信地耦合到控制器的一或多个离焦成像计量子系统，所述控制器具有经配置以接收在一或多个焦点位置处捕获的多个训练图像的一或多个处理器。所述一或多个处理器可基于所述多个训练图像产生机器学习分类器。所述一或多个处理器可接收针对一或多个目标叠加测量的对应于一或多个目标特征的一或多个目标特征选择。所述一或多个处理器可使用所述机器学习分类器来基于所述一或多个目标特征选择确定一或多个目标焦点位置。所述一或多个处理器可：接收在所述一或多个目标焦点位置处捕获的一或多个目标图像，所述目标图像包含目标样品的所述一或多个目标特征；及基于所述一或多个目标图像确定叠加。
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