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公开(公告)号：CN107924855A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680051259.6
申请日：2016-09-16
申请人： 科磊股份有限公司
发明人： F·察赫
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/311 , H01L21/3065 , H01L21/66
CPC分类号： G05B19/41885 , G05B2219/32343 , G05B2219/45031 , G05B2219/45212 , H01J37/32091 , H01J37/32174 , H01J37/32926 , H01J37/32935 , H01J2237/334 , H01J2237/3343 , Y02P90/20 , Y02P90/26
摘要： 一种用于控制蚀刻工艺的系统包含蚀刻工具、计量工具及控制器。所述蚀刻工具可经由一组控制参数控制且可执行含有所述组控制参数的多个蚀刻配方。所述控制器可引导所述蚀刻工具对多个计量目标执行多个蚀刻配方；引导所述计量工具产生指示关于所述多个计量目标的两个或两个以上蚀刻特性的计量数据；基于所述计量数据确定所述两个或两个以上蚀刻特性与所述组控制参数之间的一或多个关系；及基于所述一或多个关系产生用以约束所述两个或两个以上蚀刻特性中的一者且将所述两个或两个以上蚀刻特性中的其余者维持于经定义界限内的特定蚀刻配方。
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公开(公告)号：CN107924855B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN201680051259.6
申请日：2016-09-16
申请人： 科磊股份有限公司
发明人： F·察赫
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/311 , H01L21/3065 , H01L21/66
摘要： 一种用于控制蚀刻工艺的系统包含蚀刻工具、计量工具及控制器。所述蚀刻工具可经由一组控制参数控制且可执行含有所述组控制参数的多个蚀刻配方。所述控制器可引导所述蚀刻工具对多个计量目标执行多个蚀刻配方；引导所述计量工具产生指示关于所述多个计量目标的两个或两个以上蚀刻特性的计量数据；基于所述计量数据确定所述两个或两个以上蚀刻特性与所述组控制参数之间的一或多个关系；及基于所述一或多个关系产生用以约束所述两个或两个以上蚀刻特性中的一者且将所述两个或两个以上蚀刻特性中的其余者维持于经定义界限内的特定蚀刻配方。
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公开(公告)号：CN116601752A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202180081282.0
申请日：2021-12-01
申请人： 科磊股份有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 一种晶片形状度量衡系统包含经配置以对第一晶片、第二晶片以及所述第一及第二晶片的后接合对执行一或多个无应力形状测量的晶片形状度量衡子系统。所述晶片形状度量衡系统包含通信地耦合到所述晶片形状度量衡子系统的控制器。所述控制器经配置以：从所述晶片形状子系统接收无应力形状测量；基于所述第一晶片、所述第二晶片以及所述第一晶片及所述第二晶片的所述后接合对的所述无应力形状测量预测所述第一晶片及所述第二晶片上的一或多个特征之间的覆盖；及基于所述经预测覆盖将反馈调整提供到一或多个处理工具。另外，可将前馈及反馈调整提供到一或多个处理工具。
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公开(公告)号：CN117425954A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202280040462.9
申请日：2022-07-27
申请人： 科磊股份有限公司
摘要： 一种晶片形状计量系统包含经配置以对作用晶片、载体晶片及经接合装置晶片执行无应力形状测量的晶片形状计量子系统。所述作用晶片包含功能逻辑电路，且所述载体晶片是电无源的。所述晶片形状计量系统包含通信地耦合到所述晶片形状计量子系统的控制器。所述控制器经配置以：接收无应力形状测量；确定所述作用晶片上的特征与所述载体晶片上的特征之间的叠对畸变；及将所述叠对畸变转换成一或多个光刻扫描仪的前馈校正。所述控制器还经配置以：确定接合器或光刻扫描仪的控制范围；预测叠对畸变图案；基于最小可实现叠对计算最优控制签名；及基于所述所计算最优控制签名将前馈校正提供到所述接合器或光刻扫描仪。
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公开(公告)号：CN117378039A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202280037287.8
申请日：2022-07-12
申请人： 科磊股份有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 一种晶片形状计量系统包含经配置以对经接合晶片对执行一或多个无应力形状测量的晶片形状计量子系统，其中所述经接合晶片对使用接合工具接合。所述晶片形状计量子系统包含通信地耦合到所述晶片形状计量子系统的控制器。所述控制器经配置以接收来自所述晶片形状子系统的无应力形状测量；将所述无应力形状测量转换为覆盖失真图案；检测所述经接合晶片对中的一或多个局部偏差以便识别在所述接合工具上的一或多个污染颗粒；且报告所述经接合晶片对中的所述一或多个局部偏差。
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公开(公告)号：CN117378038A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202280037185.6
申请日：2022-07-19
申请人： 科磊股份有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 一种系统包含经配置以对接合后晶片对执行一或多个形状测量的晶片形状计量子系统。所述系统包含通信地耦合到所述晶片形状计量子系统的控制器。所述控制器接收一组经测量失真图案。所述控制器将接合器控制模型应用到所述经测量失真图案以确定一组覆盖失真特征记号。所述接合器控制模型由表示可实现调整的一组正交晶片特征记号构成。所述控制器确定与所述经测量失真图案相关联的所述组覆盖失真特征记号是否在容差限制之外将一或多个反馈调整提供到接合器工具。
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