公开(公告)号：CN103134598A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201210495371.2

申请日：2012-11-28

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 山田健二

IPC: G01J5/12

CPC classification number: G01J5/34 ,  Y10T156/10

Abstract: 本发明提供一种传感器装置的制造方法以及传感器装置，该传感器装置的制造方法包括：在基板的第一区域形成第一导电部的步骤；在第一导电部上形成热电体的步骤；在热电体上形成第二导电部的步骤；在第二导电部上及第二区域分别形成第一绝缘膜的步骤；通过除去第一绝缘膜的一部分而在第一区域形成将第二导电部作为底面的第一开口部，在第二区域形成第二开口部的步骤；在第一开口部及第二开口部中分别埋入第三导电部的步骤；形成在第一区域中覆盖热电体、而在第二区域中覆盖第三导电部的第二绝缘膜的步骤；以及通过除去第二绝缘膜的一部分而形成将第三导电部作为底面的第三开口部的步骤。

公开(公告)号：CN100463182C

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200510112895.9

申请日：2005-10-19

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 松本昭人 ,  神谷俊幸 ,  山田健二 ,  名取荣治 ,  木下智雄

IPC: H01L27/10 ,  H01L29/92 ,  H01L21/82 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种在制造工序以及制造之后，难以导致特性劣化，并且可靠性高的铁电体存储器及其制造方法。根据本发明的铁电体存储器(1000)的制造方法，包括以下工序：(a)通过在基板(10)的上方依次层积下部电极层(20)、铁电体层(30)、以及上部电极层(40)，形成铁电体层积体；(b)对铁电体层积体进行图案形成，形成铁电体电容器(100)；(c)供给氧气的同时通过物理气相沉积法，形成覆盖铁电体电容器(100)的第一屏障膜(50)；(d)通过原子层化学气相沉积法，形成覆盖第一屏障膜(50)的第二屏障膜(60)。

公开(公告)号：CN1763957A

公开(公告)日：2006-04-26

申请号：CN200510112895.9

申请日：2005-10-19

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 松本昭人 ,  神谷俊幸 ,  山田健二 ,  名取荣治 ,  木下智雄

IPC: H01L27/10 ,  H01L29/92 ,  H01L21/82 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种在制造工序以及制造之后，难以导致特性劣化，并且可靠性高的铁电体存储器及其制造方法。根据本发明的铁电体存储器(1000)的制造方法，包括以下工序：(a)通过在基板(10)的上方依次层积下部电极层(20)、铁电体层(30)、以及上部电极层(40)，形成铁电体层积体；(b)对铁电体层积体进行图案形成，形成铁电体电容器(100)；(c)通过物理气相沉积法，形成覆盖铁电体电容器(100)的第一屏障膜(50)；(d)通过化学气相沉积法，形成覆盖第一屏障膜(50)的第二屏障膜(60)。