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公开(公告)号：CN104734013B
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201410781540.8
申请日：2014-12-16
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 本发明提供一种面发光激光器以及原子振荡器。面发光激光器能够提高电场分布相对于共振部的对称性。面发光激光器(100)包括：基板、被设置于上述基板上方的第一反射镜层(20)、被设置于第一反射镜层上方的活性层、被设置于上述活性层上方的第二反射镜层、电连接于第一反射镜层并被设置为相互分离的第一电极(80)及第二电极(81)、及电连接于第二反射镜层的第三电极(82)，第一反射镜层、上述活性层以及上述第二反射镜层构成层叠体(2)，层叠体(2)具有使在上述活性层产生的光共振的共振部，在俯视时，设置有包围层叠体(2)的绝缘层(70)，在俯视时，绝缘层被设置于第一电极(80)与第二电极(81)之间。
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公开(公告)号：CN110522422A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910423538.6
申请日：2019-05-21
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 竹中敏
IPC: A61B5/02
Abstract: 本发明可适当地对检测部相对于生物体的佩带状态进行评价。本发明的生物体解析装置具备：检测器，其生成与生物体的状态相应的检测信号；佩带部，其为用于将所述检测器佩带于所述生物体上的佩带部，所述佩带部包括由压敏导电性树脂形成且可弹性地伸缩的压敏部、和被形成于所述压敏部上的第一电极以及第二电极；推算部，其对与所述第一电极和所述第二电极之间的电阻值相应的评价指标进行推算；评价部，其根据所述评价指标而对所述检测器的佩带状态进行评价。
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公开(公告)号：CN103219631A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310015567.1
申请日：2013-01-16
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 竹中敏
CPC classification number: H01L33/30 , G01J3/2823 , G01J5/10 , G01J2005/0077 , G01N21/3586 , G02F2202/12 , G02F2203/13 , H01L31/03046 , H01L31/09 , H01L31/105 , H01L31/16 , H01L31/1844 , H01L33/0004
Abstract: 本发明涉及光导天线、太赫兹波产生装置、拍摄装置、成像装置以及计测装置。光导天线是被照射脉冲光从而产生太赫兹波的光导天线，具有：第一导电区域，其由第一导电型的半导体材料构成；第二导电区域，其处于相对于上述第一导电区域隔着规定的间隙的位置并且由第二导电型的半导体材料构成；以及半导体区域，其位于上述第一导电区域和上述第二导电区域之间的上述间隙，上述半导体区域的上述间隙中的界面、上述第一导电区域的一方的界面以及上述第二导电区域的一方的界面位于同一面内，上述第一导电区域的另一方的界面和上述第二导电区域的另一方的界面相对于上述半导体区域的上述间隙中的界面位于同一侧。
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公开(公告)号：CN1133889C
公开(公告)日：2004-01-07
申请号：CN00106520.3
申请日：2000-03-10
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 竹中敏
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14687
Abstract: 提供能容易且准确地检查MIS晶体管的膜质的有源矩阵基板、使用它的电光学装置以及有源矩阵基板的制造方法。在有源矩阵基板上的未形成图象显示区、扫描线驱动电路、数据线驱动电路、信号布线等的部分上形成1mm矩形的膜质检查区80。在该膜质检查区80，形成与TFT 50的高浓度源·漏区同层而且用相同浓度导入了相同杂质的膜质检查用半导体膜1c(硅膜)，由于该膜质检查用半导体膜1c从层间绝缘膜4、71、72的开口部8c露出，所以能立即进行膜质分析。
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公开(公告)号：CN104868345A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510086984.4
申请日：2015-02-25
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 竹中敏
IPC: H01S1/02 , G01N21/3581 , G01S17/89
CPC classification number: G01N21/3581
Abstract: 本发明提供光导天线、拍摄装置、成像装置以及测量装置。上述光导天线与以往相比能够提高载流子迁移率从而产生强度较大的太赫兹波。本发明所涉及的光导天线(100)被光脉冲(P)照射而产生太赫兹波(T)，所述光导天线(100)包括：载流子产生层(10)，其被光脉冲(P)照射而形成载流子，并且由半绝缘性基板构成；绝缘层(40)，其位于载流子产生层(10)上并能够使光脉冲(P)透过；以及第一电极(20)和第二电极(30)，它们位于载流子产生层(10)的上方并对载流子产生层(10)施加电压，绝缘层(40)俯视时设置于被第一电极(20)与第二电极(30)之间的光脉冲(P)照射的区域(12)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1487348A
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：CN03156344.9
申请日：2003-09-04
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 竹中敏
IPC: G02F1/136 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L27/12 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/66765 , H01L29/78621
Abstract: 本发明的课题在于提供具备ON电流特性和OFF漏电流特性这双方都优良的晶体管的半导体器件、用该半导体器件保持电光物质的电光装置、使用该电光装置的电子设备、以及半导体器件的制造方法。在晶体管40A中，源区420和漏区430，是对栅电极460自对准地导入了杂质的高浓度区域。在沟道形成区410中，和与漏区430以及源区420毗连的边界区域412、413重叠的部分的栅绝缘膜450的膜厚，比和上述沟道形成区410的沟道长度方向上的中央部分411重叠的部分的栅绝缘膜450的膜厚更厚。
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公开(公告)号：CN1269520A
公开(公告)日：2000-10-11
申请号：CN00106520.3
申请日：2000-03-10
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 竹中敏
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14687
Abstract: 提供能容易且准确地检查MIS晶体管的膜质的有源矩阵基板、使用它的电光学装置以及有源矩阵基板的制造方法。在有源矩阵基板上的未形成图象显示区、扫描线驱动电路、数据线驱动电路、信号布线等的部分上形成1mm矩形的膜质检查区80。在该膜质检查区80,形成与TFT50的高浓度源·漏区同层而且用相同浓度导入了相同杂质的膜质检查用半导体膜1c(硅膜),由于该膜质检查用半导体膜1c从层间绝缘膜4、71、72的开口部8c露出,所以能立即进行膜质分析。
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公开(公告)号：CN104034688B
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201410077005.4
申请日：2014-03-04
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G01N21/3581
CPC classification number: G01N21/89 , G01N21/3581 , G01N21/9508
Abstract: 本发明涉及样本检查装置，能够抑制因太赫兹波的散射引起的检测精度的降低。本发明的样本检查装置（100）具有产生太赫兹波的太赫兹波产生部（30）、和载置作为被检查物的样本（2）的输送面（12），且具备构成为能够沿输送面（12）的面内方向输送样本（2）的输送部（10）、变更从太赫兹波产生部（30）射出并对被载置于输送面（12）的样本（2）照射的太赫兹波的照射方向的照射方向变更部（50）、以及检测照射至被载置于输送面（12）的样本（2）并透过或者反射的太赫兹波的太赫兹波检测部（40），照射方向变更部（50）通过变更太赫兹波产生部（30）的位置来变更照射方向。
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公开(公告)号：CN103219631B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201310015567.1
申请日：2013-01-16
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 竹中敏
CPC classification number: H01L33/30 , G01J3/2823 , G01J5/10 , G01J2005/0077 , G01N21/3586 , G02F2202/12 , G02F2203/13 , H01L31/03046 , H01L31/09 , H01L31/105 , H01L31/16 , H01L31/1844 , H01L33/0004
Abstract: 本发明涉及光导天线、太赫兹波产生装置、拍摄装置、成像装置以及计测装置。光导天线是被照射脉冲光从而产生太赫兹波的光导天线，具有：第一导电区域，其由第一导电型的半导体材料构成；第二导电区域，其处于相对于上述第一导电区域隔着规定的间隙的位置并且由第二导电型的半导体材料构成；以及半导体区域，其位于上述第一导电区域和上述第二导电区域之间的上述间隙，上述半导体区域的上述间隙中的界面、上述第一导电区域的一方的界面以及上述第二导电区域的一方的界面位于同一面内，上述第一导电区域的另一方的界面和上述第二导电区域的另一方的界面相对于上述半导体区域的上述间隙中的界面位于同一侧。
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公开(公告)号：CN104821475A
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201510032703.7
申请日：2015-01-22
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 竹中敏
CPC classification number: G01N21/3581 , G01N2201/0696
Abstract: 本发明提供一种与以往相比能够提高载流子迁移率、产生强度较大的太赫兹波的光导天线、照相机、成像装置、以及计测装置。本发明所涉及的光导天线(100)是被照射光脉冲(P)而产生太赫兹波(T)的光导天线(100)，包括第1层(10)，其被照射光脉冲(P)而形成载流子(C)；第2层(20)，其位于第1层(10)上方、且具有比第1层(10)的载流子迁移率大的载流子迁移率；和第1电极(30)以及第2电极(32)，其位于第2层(20)上方、且向第2层(20)施加电压。
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