公开(公告)号：CN107710414B

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN201780002063.2

申请日：2017-04-11

Applicant: 索尼公司

Inventor： 本田英之 ,  内田哲弥 ,  若野寿史 ,  田中裕介 ,  工藤义治 ,  野村宏利 ,  平野智之 ,  吉田慎一 ,  上田洋一 ,  中西康辅

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/76 ,  H04N25/62 ,  H04N25/67 ,  H04N25/70 ,  H04N25/76 ,  H04N25/779 ,  H04N25/78

Abstract: 本公开涉及能够更可靠地分离像素的固态成像元件、固态成像元件的制造方法和电子设备。所述固态成像元件具有光电转换部、第一分离部和第二分离部。所述光电转换部对入射光进行光电转换，用于分离所述光电转换部的第一分离部形成在从第一表面侧形成的第一沟槽中，用于分离所述光电转换部的第一分离部形成在从与第一表面相对的第二表面侧形成的第二沟槽中。本公开能够适用于安装在相机等上并且拍摄被摄体的图像的固态成像元件。

公开(公告)号：CN108604592A

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201680080729.1

申请日：2016-11-02

Applicant: 索尼公司

Inventor： 富樫秀晃 ,  中西康辅

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8234 ,  H01L23/522 ,  H01L27/088 ,  H04N5/369

CPC classification number: H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8234 ,  H01L23/522 ,  H01L27/088 ,  H01L27/146 ,  H04N5/369

Abstract: 公开了一种半导体装置，其包括：半导体元件，其设置在半导体基板的第一表面侧；贯通电极，其通过在半导体基板的厚度方向上贯通半导体基板而设置，并将在半导体元件中获得的电荷引入半导体基板的第二表面侧；以及放大晶体管，其基于由贯通电极如此引入的电荷而输出电信号，放大晶体管将贯通电极用作栅电极并包括贯通电极周围的源极区域和漏极区域。

公开(公告)号：CN107710414A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201780002063.2

申请日：2017-04-11

Applicant: 索尼公司

Inventor： 本田英之 ,  内田哲弥 ,  若野寿史 ,  田中裕介 ,  工藤义治 ,  野村宏利 ,  平野智之 ,  吉田慎一 ,  上田洋一 ,  中西康辅

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/76 ,  H04N5/359 ,  H04N5/369 ,  H04N5/374

CPC classification number: H01L21/76 ,  H01L27/146 ,  H04N5/359 ,  H04N5/369 ,  H04N5/374

Abstract: 本公开涉及能够更可靠地分离像素的固态成像元件、固态成像元件的制造方法和电子设备。所述固态成像元件具有光电转换部、第一分离部和第二分离部。所述光电转换部对入射光进行光电转换，用于分离所述光电转换部的第一分离部形成在从第一表面侧形成的第一沟槽中，用于分离所述光电转换部的第一分离部形成在从与第一表面相对的第二表面侧形成的第二沟槽中。本公开能够适用于安装在相机等上并且拍摄被摄体的图像的固态成像元件。

公开(公告)号：CN108604592B

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN201680080729.1

申请日：2016-11-02

Applicant: 索尼公司

Inventor： 富樫秀晃 ,  中西康辅

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8234 ,  H01L23/522 ,  H01L27/088 ,  H04N5/369

Abstract: 公开了一种半导体装置，其包括：半导体元件，其设置在半导体基板的第一表面侧；贯通电极，其通过在半导体基板的厚度方向上贯通半导体基板而设置，并将在半导体元件中获得的电荷引入半导体基板的第二表面侧；以及放大晶体管，其基于由贯通电极如此引入的电荷而输出电信号，放大晶体管将贯通电极用作栅电极并包括贯通电极周围的源极区域和漏极区域。