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公开(公告)号：CN102214897A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110082192.1
申请日：2011-04-01
申请人： 索尼公司
CPC分类号： H01S5/0425 , H01S5/18313 , H01S5/18338 , H01S5/18347
摘要： 本发明提供一种激光二极管。该激光二极管能够使台的直径设定为很小，而不使用损失装置可靠性且不易控制的方法。该激光二极管包括：柱形台，依次包括第一多层膜反射镜、有源层和第二多层膜反射镜，包括在面中间具有未氧化区域的氧化物限制层，并且柱形台在面方向上的截面形状不同于未氧化区域在面方向上的截面形状；以及多个金属电极，形成在台的顶面的没有面对未氧化区域的区域中。
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公开(公告)号：CN101800235B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201010107955.9
申请日：2010-02-01
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H01L27/15
CPC分类号： H01S5/0264
摘要： 本发明提供了一种半导体发光器件。该半导体发光器件包括：半导体发光元件，依次包括第一多层反射器、具有发光区域的有源层以及第二多层反射器；半导体光检测元件，与半导体发光元件的第一多层反射器相对地设置并包括光吸收层，该光吸收层构造为吸收从发光区域发射的光；透明的衬底，设置在半导体发光元件与半导体光检测元件之间；第一金属层，具有在包括与发光区域相对的区域的区域中的第一开口，并将半导体发光元件与衬底结合；以及第二金属层，具有在包括与发光区域相对的区域的区域中的第二开口，并将半导体光检测元件与衬底结合。
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公开(公告)号：CN101834408A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010130111.6
申请日：2010-03-03
申请人： 索尼公司
CPC分类号： H01S5/18313 , B82Y20/00 , H01S5/02276 , H01S5/0425 , H01S5/0607 , H01S5/18311 , H01S5/1833 , H01S5/18355 , H01S5/18369 , H01S5/18377 , H01S5/18391 , H01S5/32325 , H01S5/32341 , H01S5/3404 , H01S5/3432 , H01S5/423 , H01S2301/166 , H01S2304/04
摘要： 一种半导体激光器及其制造方法。该半导体激光器可将激光的偏振方向稳定在一个方向上。该半导体激光器包括层叠结构，该层叠结构包括从衬底侧依次设置的下多层反射镜、有源层和上多层反射镜，其中，层叠结构包括柱形台面部，该柱形台面部包含下多层反射镜的上部、有源层和上多层反射镜，且下多层反射镜包括多对低折射率层和高折射率层以及多个氧化层，该多个氧化层在除了一个或多个低折射率层的中心区域之外的区域中非均匀地分布在围绕台面部的中心轴旋转的方向上。
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公开(公告)号：CN101800235A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN201010107955.9
申请日：2010-02-01
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H01L27/15
CPC分类号： H01S5/0264
摘要： 本发明提供了一种半导体发光器件。该半导体发光器件包括：半导体发光元件，依次包括第一多层反射器、具有发光区域的有源层以及第二多层反射器；半导体光检测元件，与半导体发光元件的第一多层反射器相对地设置并包括光吸收层，该光吸收层构造为吸收从发光区域发射的光；透明的衬底，设置在半导体发光元件与半导体光检测元件之间；第一金属层，具有在包括与发光区域相对的区域的区域中的第一开口，并将半导体发光元件与衬底结合；以及第二金属层，具有在包括与发光区域相对的区域的区域中的第二开口，并将半导体光检测元件与衬底结合。
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公开(公告)号：CN101800398B
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201010107943.6
申请日：2010-02-01
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H01S5/187
CPC分类号： H01S5/18344 , H01S5/06226 , H01S5/18311 , H01S5/1835
摘要： 本发明涉及一种垂直腔面发射激光器及其制造方法，该垂直腔面发射激光器能够减小寄生电容同时抑制功耗。该垂直腔面发射激光器包括柱形台面，柱形台面在衬底上从衬底侧依次包括第一多层反射器、有源层、第二多层反射器，还包括电流窄化层。台面的包括有源层和电流窄化层的柱形部分形成在与第一多层反射器相对的区域和与第二多层反射器相对的区域内，且该柱形部分的截面面小于第二多层反射器的截面面积。
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公开(公告)号：CN101794966B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201010103881.1
申请日：2010-01-25
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H01S5/125 , H01S5/0683 , H01S5/16
CPC分类号： H01S5/0264 , H01S5/0215 , H01S5/0217 , H01S5/18311
摘要： 本发明提供半导体发光装置，其包括：半导体发光元件，依次包括第一多层反射器、具有发光区域的有源层和第二多层反射器；半导体光检测元件，相对于半导体发光元件设置于第一多层反射器侧，并且包括构造为吸收从发光区域发射的光的光吸收层；以及绝缘氧化层，设置在半导体发光元件和半导体光检测元件之间。
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公开(公告)号：CN102025108A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN201010275095.X
申请日：2010-09-06
申请人： 索尼公司
CPC分类号： H01S5/18311 , H01S5/1833 , H01S5/18358 , H01S2301/173
摘要： 本发明提供能够防止电流窄化层剥离的激光器二极管。该激光器二极管包括台部，该台部依次具有第一多层膜反射器、有源层和第二多层膜反射器，并且该台部具有使注入到有源层的电流变窄的电流窄化层和与电流窄化层相邻的缓冲层。电流窄化层通过氧化包含Al的第一被氧化层而形成。缓冲层通过氧化第二被氧化层而形成，第二被氧化层的材料和厚度选择为使得其氧化速率大于第一多层膜反射器和第二多层膜反射器的氧化速率，而小于第一被氧化层的氧化速率。缓冲层的厚度为10nm以上。
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公开(公告)号：CN102025108B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201010275095.X
申请日：2010-09-06
申请人： 索尼公司
CPC分类号： H01S5/18311 , H01S5/1833 , H01S5/18358 , H01S2301/173
摘要： 本发明提供能够防止电流窄化层剥离的激光器二极管。该激光器二极管包括台部，该台部依次具有第一多层膜反射器、有源层和第二多层膜反射器，并且该台部具有使注入到有源层的电流变窄的电流窄化层和与电流窄化层相邻的缓冲层。电流窄化层通过氧化包含Al的第一被氧化层而形成。缓冲层通过氧化第二被氧化层而形成，第二被氧化层的材料和厚度选择为使得其氧化速率大于第一多层膜反射器和第二多层膜反射器的氧化速率，而小于第一被氧化层的氧化速率。缓冲层的厚度为10nm以上。
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公开(公告)号：CN101834408B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201010130111.6
申请日：2010-03-03
申请人： 索尼公司
CPC分类号： H01S5/18313 , B82Y20/00 , H01S5/02276 , H01S5/0425 , H01S5/0607 , H01S5/18311 , H01S5/1833 , H01S5/18355 , H01S5/18369 , H01S5/18377 , H01S5/18391 , H01S5/32325 , H01S5/32341 , H01S5/3404 , H01S5/3432 , H01S5/423 , H01S2301/166 , H01S2304/04
摘要： 一种半导体激光器及其制造方法。该半导体激光器可将激光的偏振方向稳定在一个方向上。该半导体激光器包括层叠结构，该层叠结构包括从衬底侧依次设置的下多层反射镜、有源层和上多层反射镜，其中，层叠结构包括柱形台面部，该柱形台面部包含下多层反射镜的上部、有源层和上多层反射镜，且下多层反射镜包括多对低折射率层和高折射率层以及多个氧化层，该多个氧化层在除了一个或多个低折射率层的中心区域之外的区域中非均匀地分布在围绕台面部的中心轴旋转的方向上。
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公开(公告)号：CN101964499A
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN201010232841.7
申请日：2010-07-16
申请人： 索尼公司
CPC分类号： H01S5/0425 , H01L24/24 , H01L33/385 , H01L33/62 , H01L2924/12041 , H01L2924/12043 , H01L2924/14 , H01S5/18311 , H01S5/18347 , H01S5/423 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括：基板，具有上面、下面和侧面；光学功能单元形成在上面上；多个电极焊垫，形成在下面上；以及配线，至少形成在侧面上，并且电连接光学功能单元和多个电极焊垫中的至少一个。
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