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公开(公告)号：CN107851651B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN201680041625.X
申请日：2016-07-08
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H01L23/12
Abstract: 本技术涉及一种其能够提供能够处理图像传感器中的I/O数量的增加的图像传感器封装的半导体装置、一种制造半导体装置的方法以及一种电子设备。所述半导体装置设置有：图像传感器，其包括形成在半导体基板上的光电转换元件；玻璃基板，其设置在所述图像传感器的第一主表面侧上；布线层，其形成在所述图像传感器的与所述第一主表面相反的一侧的第二主表面侧；以及外部端子，用于将来自图像传感器的信号输出到外部。所述布线层中的金属布线形成为从图像传感器的内部向外周延伸并连接到外部端子。例如，本技术可以应用于图像传感器封装等。
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公开(公告)号：CN107851651A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680041625.X
申请日：2016-07-08
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H01L23/12
CPC classification number: H01L27/14618 , G02B7/09 , G03B13/36 , H01L24/96 , H01L27/14 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/14645 , H01L27/14683 , H01L2224/16225 , H01L2224/95001 , H01L2224/97 , H04N5/2254 , H04N5/2257 , H04N5/335
Abstract: 本技术涉及一种其能够提供能够处理图像传感器中的I/O数量的增加的图像传感器封装的半导体装置、一种制造半导体装置的方法以及一种电子设备。所述半导体装置设置有：图像传感器，其包括形成在半导体基板上的光电转换元件；玻璃基板，其设置在所述图像传感器的第一主表面侧上；布线层，其形成在所述图像传感器的与所述第一主表面相反的一侧的第二主表面侧；以及外部端子，用于将来自图像传感器的信号输出到外部。所述布线层中的金属布线形成为从图像传感器的内部向外周延伸并连接到外部端子。例如，本技术可以应用于图像传感器封装等。
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公开(公告)号：CN108604574A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201780008573.0
申请日：2017-01-20
Applicant: 索尼公司
Inventor： 宝玉晋
IPC: H01L23/12 , H01L21/60 , H01L27/146 , H04N5/369 , H05K3/46
CPC classification number: H01L23/12 , H01L27/146 , H01L2224/16225 , H01L2224/73204 , H04N5/369 , H05K3/46
Abstract: 本技术涉及：一种允许以高度平坦性、低成本来安装部件的半导体装置；一种制造方法；一种成像装置；以及一种电子设备。该半导体装置具有：核心基板；多层布线层，形成在核心基板的表面上并且具有多个导电层和多个绝缘层；开口，形成在多层布线层中并且至少穿透绝缘层之中的距离核心基板最远的最外层绝缘层；以及安装元件，安装元件连接至开口中的设置于规定的导电层的垫片部，规定的导电层定位成比导电层之中的距离核心基板最远的最外层导电层更靠近核心基板侧。本技术可以应用于成像装置。
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公开(公告)号：CN108604574B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN201780008573.0
申请日：2017-01-20
Applicant: 索尼公司
Inventor： 宝玉晋
IPC: H01L23/12 , H01L21/60 , H01L27/146 , H04N5/369 , H05K3/46
Abstract: 本技术涉及：一种允许以高度平坦性、低成本来安装部件的半导体装置；一种制造方法；一种成像装置；以及一种电子设备。该半导体装置具有：核心基板；多层布线层，形成在核心基板的表面上并且具有多个导电层和多个绝缘层；开口，形成在多层布线层中并且至少穿透绝缘层之中的距离核心基板最远的最外层绝缘层；以及安装元件，安装元件连接至开口中的设置于规定的导电层的垫片部，规定的导电层定位成比导电层之中的距离核心基板最远的最外层导电层更靠近核心基板侧。本技术可以应用于成像装置。
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