公开(公告)号：CN106953005B

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN201611035933.X

申请日：2012-07-25

Applicant: 索尼公司

Inventor： 山根一阳 ,  细见政功 ,  大森广之 ,  别所和宏 ,  肥后丰 ,  浅山徹哉 ,  内田裕行

IPC: H01L43/08 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16

Abstract: 本发明涉及磁性元件和存储装置，其中，该磁性元件包括：自由磁化层，根据磁体的磁化状态来保持信息；磁化固定层，具有用作被存储在存储层中的信息的基准的磁化；以及绝缘层，由被设置在存储层与磁化固定层之间的非磁体形成，其中，通过利用伴随在自由磁化层、绝缘层以及磁化固定层的层结构的层压方向上流动的电流发生的自旋扭矩磁化反转来反转存储层的磁化来存储信息，并且存储层的尺寸小于磁化的方向被同时改变的尺寸。

公开(公告)号：CN108701758A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201680082609.5

申请日：2016-12-01

Applicant: 索尼公司

Inventor： 内田裕行 ,  细见政功 ,  大森广之 ,  别所和宏 ,  肥后丰

IPC: H01L43/10 ,  G01R33/09 ,  G11B5/39 ,  H01F10/32 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08

CPC classification number: H01L27/228 ,  G01R33/09 ,  G01R33/093 ,  G01R33/098 ,  G11B5/39 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1675 ,  H01F10/32 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

Abstract: 磁阻元件10设置有：第一层叠结构20，具有第一表面20A和在第一表面20A的反面侧的第二表面20B；以及第二层叠结构30，第二层叠结构30是通过对存储层33、中间层32和磁化固定层31进行层叠而形成的，并且第二层叠结构30具有第一表面30A和在第一表面30A的反面侧的第二表面30B，所述第一表面30A被定位为面向第一层叠结构20的第二表面20B。第一层叠结构20具有层叠结构，该层叠结构被配置为从第一层叠结构20的第一表面20A起具有由金属氮化物形成的第一层21和由钌或钌化合物形成的第二层22。

公开(公告)号：CN103988293B

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201280057912.1

申请日：2012-10-31

Applicant: 索尼公司

Inventor： 肥后丰 ,  细见政功 ,  大森广之 ,  别所和宏 ,  浅山徹哉 ,  山根一阳 ,  内田裕行

IPC: H01L21/8246 ,  G11B5/39 ,  H01L27/105 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08

CPC classification number: G11C11/161 ,  G11B5/3906 ,  G11B5/3909 ,  G11C11/15 ,  G11C11/155 ,  G11C11/1675 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3268 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/329 ,  H01L27/228 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08

Abstract: 【问题】提供一种能够在短时间内执行写操作而不产生写入错误的存储元件和存储装置。【解决方案】该存储元件被配置为具有层状结构，该层状结构包括：存储层，其磁化方向根据信息而变化；磁化固定层，其磁化方向是固定的；以及中间层，设置在存储层与磁化固定层之间、由非磁性体产生。磁化固定层分层为在其间具有耦合层的至少两个铁磁层，该两个铁磁层经由耦合层磁耦合。该两个铁磁层的磁化方向从膜表面的垂直方向倾斜。通过这种配置，可以有效地抑制存储层的磁化方向与固定磁化层的磁化方向变得粗略平行或反平行所产生的磁化反转时间的分散，并且可以减少写入错误以及支持短时间的写入。

公开(公告)号：CN102403027B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201110259029.8

申请日：2011-09-02

Applicant: 索尼公司

Inventor： 肥后丰 ,  细见政功 ,  大森广之 ,  别所和宏 ,  山根一阳 ,  内田裕行

IPC: G11C11/16 ,  H01L43/08

CPC classification number: H01L43/02 ,  G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

Abstract: 本发明披露了存储元件和存储装置，所述存储元件包括：存储层，具有垂直于膜表面的磁化；磁化固定层，具有垂直于膜表面的磁化；以及绝缘层，设置在存储层和磁化固定层之间，其中在层结构的层叠方向上注入自旋极化的电子，从而存储层的磁化方向变化并执行信息的记录，存储层接收的有效反磁场的大小小于存储层的饱和磁化量，对于绝缘层以及在与绝缘层相对的一侧上存储层接触的另一侧的层，至少与存储层接触的界面由氧化膜形成。

公开(公告)号：CN102403025B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201110255449.9

申请日：2011-08-31

Applicant: 索尼公司

Inventor： 肥后丰 ,  细见政功 ,  大森广之 ,  别所和宏 ,  山根一阳 ,  内田裕行

IPC: G11C11/16

CPC classification number: G11C11/16 ,  G11C11/161

Abstract: 本发明公开了包括存储元件和存储装置，其中该存储元件包括层结构，该层结构包括：存储层，具有垂直于膜面的磁化，并且其磁化方向相应于信息而变化；磁化固定层，具有垂直于膜面的磁化；以及绝缘层，设置在存储层与磁化固定层之间。在层结构的层压方向上注入自旋极化的电子，从而存储层的磁化方向变化，并且对存储层执行信息记录，存储层所接收的有效反磁场的大小小于存储层的饱和磁化量，并且存储层和磁化固定层具有使界面磁各向异性能变得大于反磁场能的膜厚。

公开(公告)号：CN102790171B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201210143618.4

申请日：2012-05-09

Applicant: 索尼公司

Inventor： 大森广之 ,  细见政功 ,  别所和宏 ,  肥后丰 ,  山根一阳 ,  内田裕行 ,  浅山徹哉

IPC: H01L43/08

CPC classification number: H01L43/10 ,  G11C11/161 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  Y10S977/933 ,  Y10S977/935

Abstract: 本发明公开了存储元件和存储装置，该存储元件包括存储层，利用磁性物质的磁化状态来保持信息；磁化固定层，具有用作存储在存储层中的信息的基准的磁化；中间层，设置于存储层和磁化固定层之间并且由非磁性物质形成；磁性耦合层，被设置为邻接于磁化固定层并且与中间层相对；以及高矫顽力层，被设置为邻接于磁性耦合层，其中，通过利用伴随着在包括存储层、中间层和磁化固定层的层结构的层压方向上流动的电流所产生的自旋扭矩磁化反转，使存储层的磁化反转来存储信息，以及磁性耦合层为两层层压结构。

公开(公告)号：CN105659376A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201480056283.X

申请日：2014-10-10

Applicant: 索尼公司

Inventor： 梅林拓 ,  助川俊一 ,  横山孝司 ,  细见政功 ,  肥后丰

IPC: H01L21/8246 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08

CPC classification number: H01L43/08 ,  G11C11/16 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/228 ,  H01L43/02 ,  H01L43/12

Abstract: 本公开涉及使得能够提供MRAM的存储器单元结构的存储器单元结构、存储器制造方法以及存储器装置，其减小连接到MTJ的牵引布线的电阻、减小存储器单元的面积并避免由于热导致的MTJ的性能退化。存储器单元包括：晶体管，其使用在通过将硅衬底加工为槽形而形成的凹部的底部中形成的第一扩散层和在凹部的两个相对侧壁部分各自的上端部中形成的第二扩散层来在两个侧壁部分中、第一扩散层和第二扩散层之间的部分处形成沟道；以及存储器元件，其设置在第一扩散层之下。第一扩散层经由在使硅衬底薄膜化之后形成的触点而电连接到存储器元件。

公开(公告)号：CN104662654A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201380049226.4

申请日：2013-08-22

Applicant: 索尼公司

Inventor： 内田裕行 ,  细见政功 ,  大森广之 ,  别所和宏 ,  肥后丰 ,  浅山徹哉 ,  山根一阳

IPC: H01L21/8246 ,  G11B5/39 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

CPC classification number: G11C11/161 ,  G11B5/3909 ,  G11C2213/35 ,  H01L27/228 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

Abstract: 提供一种TMR特性能得到改进的存储单元、配备有存储单元的存储装置、以及磁头。存储单元具有层状结构，该层状结构包括：存储层，其中磁化方向与信息对应地改变；磁化固定层，具有与膜表面垂直、作为存储层中存储的信息的基准的磁化；以及中间层，设置在存储层与磁化固定层之间并由非磁性材料制成。碳被插入中间层，并且沿着层状结构的堆叠方向提供电流使得改变存储层中的磁化方向以将信息记录在存储层。

公开(公告)号：CN101930791B

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201010205835.2

申请日：2010-06-17

Applicant: 索尼公司

Inventor： 肥后丰 ,  细见政功

IPC: G11C11/15

CPC classification number: G11C29/44 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C29/42

Abstract: 本发明涉及存储器及数据处理方法。其中，该存储器包括：存储器件，每个均存储1位数据；以及读出单元，其通过利用在具有预定单位数目的存储器件的存储组块中所包括的多个存储器件中的一个预定存储器件作为反转标记器件，在写入反转标记器件的1位数据是表示“0”和“1”中任一个的第一值的情况下，将写入其他存储器件的(预定单位数目-1)位的数据在位反转后读出，而在1位写入反转标记器件的数据是不同于第一值的第二值的情况下，直接读出写入其他存储器件的(预定单位数目-1)位的数据。

公开(公告)号：CN101923889B

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201010201355.9

申请日：2010-06-09

Applicant: 索尼公司

Inventor： 山根一阳 ,  细见政功 ,  鹿野博司 ,  大森广之 ,  五十岚实 ,  山元哲也 ,  别所和宏 ,  肥后丰 ,  大石雄纪 ,  楠真一郎

IPC: G11C11/02 ,  G11C11/06

CPC classification number: H01L27/228 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/161 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3277 ,  H01L43/08 ,  Y10S977/933 ,  Y10S977/935

Abstract: 本发明公开了存储装置和存储器。存储装置包括：存储层，基于磁性材料的磁化状态来保持信息；第一中间层和第二中间层，被设置为夹置存储层并且均由绝缘体形成；第一固定磁性层，被设置在第一中间层的与存储层相对的侧上；第二固定磁性层，被设置在第二中间层的与存储层相对的侧上；以及非磁性导体层，被设置在第一中间层或者第二中间层和存储层之间，存储装置被配置为，在堆叠方向上向其注入自旋极化电子以改变存储层的磁化方向，从而将信息存储在存储层中。