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公开(公告)号：CN101930988B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201010207322.5
申请日：2010-06-18
申请人： 索尼公司
CPC分类号： H01L43/08 , G11C11/005 , G11C11/16 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C17/16 , G11C29/50 , G11C2029/4402 , Y10S977/935
摘要： 一种存储器，包括多个存储设备，每个存储设备都包括隧道磁阻效应器件，该隧道磁阻效应器件包含：磁化自由层，其中，磁化方向能够被反转；隧道阻挡层，包括绝缘材料；以及磁化固定层，相对于所述磁化自由层介由所述隧道阻挡层进行设置，具有固定的磁化方向。该存储器还包括：随机存取存储器区，其中，使用存储设备的磁化自由层的磁化方向来记录信息；以及只读存储器区，其中，根据存储设备的隧道阻挡层是否存在击穿来记录信息。
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公开(公告)号：CN101743634A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200880024446.0
申请日：2008-06-30
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H01L21/8246 , H01L43/08 , H01L27/105 , H01L43/10
CPC分类号： H01L43/08 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , H01L27/228
摘要： 本发明提供了一种不需要增大写入电流就能提高热稳定性的存储元件和存储器。该存储器的构造包括：存储元件(3)，具有根据磁性物质的磁化状态保持信息的存储层(17)，其中，在存储层(17)上设置磁化固定层(31)，其间插入有中间层(16)，中间层(16)由绝缘体形成，并且存储层(17)的磁化方向M1通过在层压方向上注入自旋极化的电子而发生改变，从而将信息记录到存储层(17)，并将变形从存在于存储层(17)周围且热膨胀系数小于存储层(17)的绝缘层施加到存储层(17)上；以及配线，用于提供在存储元件(3)的层压方向上流动的电流。
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公开(公告)号：CN102007543B
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN200980113665.0
申请日：2009-04-15
申请人： 索尼公司
IPC分类号： G11C11/15 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08
CPC分类号： H01L27/228 , G11C11/1675 , G11C11/1693 , H01L43/08 , Y10S977/935
摘要： 提供了一种磁存储器件的记录方法，该磁存储器件包括将信息保持为磁体的磁化方向的记录层和相对于记录层提供的磁化基准层，其间设有绝缘层，该磁存储器件利用经由绝缘层流动在记录层和磁化基准层之间的电流记录信息，该记录方法甚至在施加的写入脉冲显著高于反转阈值时也能保持与施加的写入脉冲略高于反转阈值的情况相同的错误率水平。磁存储器件的记录方法包括在记录一条信息时施加在相同方向上的一个或更多主脉冲和一个或更多子脉冲，并且在该一个或更多主脉冲后施加该一个或更多子脉冲，该一个或更多主脉冲的每个都为具有足够来记录信息的脉冲高度和脉冲宽度的脉冲，该一个或更多子脉冲的每个都为满足脉冲宽度短于一个或更多主脉冲以及脉冲高度小于一个或更多主脉冲的至少一个条件的脉冲。
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公开(公告)号：CN101930792A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN201010205846.0
申请日：2010-06-17
申请人： 索尼公司
IPC分类号： G11C11/15
CPC分类号： G11C11/1675 , G11C11/161
摘要： 本发明提供了存储器和写入控制方法，该存储器包括：存储器件，具有：存储层，将数据存储为磁体的磁化状态，以及磁化固定层，其磁化方向通过介于存储层与磁化固定层之间的非磁性层而固定，并且该存储器件通过当施加沿存储层和磁化固定层的堆叠方向流动的写入电流时改变存储层的磁化方向，来将数据存储在存储层中；以及电压控制单元，通过使用由两个以上的独立脉冲序列而构成的写入电压，而将由两个以上的独立脉冲序列构成的写入电流提供给该存储器件。
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公开(公告)号：CN107210302A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201680008329.X
申请日：2016-01-08
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H01L27/105 , H01L21/8246 , H01L45/00 , H01L49/00 , H01L49/02
CPC分类号： H01L45/1253 , H01L27/105 , H01L27/1052 , H01L27/224 , H01L27/2427 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L49/02
摘要： 一种选择性装置包含第一电极、第二电极、开关装置和非线性电阻性装置。第二电极被设置成面向第一电极。开关装置设置在第一电极与第二电极之间。非线性电阻性装置含有硼(B)、硅(Si)和碳(C)中的一种或更多种。非线性电阻性装置串联耦接到开关装置。
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公开(公告)号：CN101937686B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201010219837.7
申请日：2010-06-24
申请人： 索尼公司
CPC分类号： G11C13/0007 , G11C11/161 , G11C11/1653 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0076 , G11C2013/0078 , G11C2013/009 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/79
摘要： 一种非易失性存储器及其记录方法，该非易失性存储器包括记录电路，该记录电路电执行信息存储器件的信息的记录，该信息存储器件具有被连接至用于信息记录的电源的电阻变化，该方法包括以下步骤：在信息存储器件的记录电路的输出阻抗大于信息存储器件的低电阻状态下的电阻值的条件下，通过记录电路记录低电阻状态下的信息；以及在信息存储器件的记录电路的输出阻抗小于信息存储器件的高电阻状态下的电阻值的条件下，通过记录电路记录在高电阻状态下的信息。
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公开(公告)号：CN101937686A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN201010219837.7
申请日：2010-06-24
申请人： 索尼公司
CPC分类号： G11C13/0007 , G11C11/161 , G11C11/1653 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0076 , G11C2013/0078 , G11C2013/009 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/79
摘要： 一种非易失性存储器及其记录方法，该非易失性存储器包括记录电路，该记录电路电执行信息存储器件的信息的记录，该信息存储器件具有被连接至用于信息记录的电源的电阻变化，该方法包括以下步骤：在信息存储器件的记录电路的输出阻抗大于信息存储器件的低电阻状态下的电阻值的条件下，通过记录电路记录低电阻状态下的信息；以及在信息存储器件的记录电路的输出阻抗小于信息存储器件的高电阻状态下的电阻值的条件下，通过记录电路记录在高电阻状态下的信息。
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公开(公告)号：CN107210302B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201680008329.X
申请日：2016-01-08
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H01L27/105 , H01L21/8246 , H01L45/00 , H01L49/00 , H01L49/02
摘要： 一种选择性装置包含第一电极、第二电极、开关装置和非线性电阻性装置。第二电极被设置成面向第一电极。开关装置设置在第一电极与第二电极之间。非线性电阻性装置含有硼(B)、硅(Si)和碳(C)中的一种或更多种。非线性电阻性装置串联耦接到开关装置。
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公开(公告)号：CN103367635A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310093311.2
申请日：2013-03-22
申请人： 索尼公司
CPC分类号： H01L45/08 , G11C13/0002 , G11C13/0007 , G11C13/0011 , H01L27/2436 , H01L27/2472 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/145 , H01L45/146
摘要： 本发明提供一种存储元件和存储装置，该存储元件包括：第一电极；存储层，包括离子源层；以及第二电极。第一电极、存储层和第二电极以该顺序提供。离子源层至少包括硫族元素、氧和一种或多种过渡金属元素，该过渡金属元素选自由元素周期表的第4、5和6族元素构成的组。
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公开(公告)号：CN101930792B
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201010205846.0
申请日：2010-06-17
申请人： 索尼公司
IPC分类号： G11C11/15
CPC分类号： G11C11/1675 , G11C11/161
摘要： 本发明提供了存储器和写入控制方法，该存储器包括：存储器件，具有：存储层，将数据存储为磁体的磁化状态，以及磁化固定层，其磁化方向通过介于存储层与磁化固定层之间的非磁性层而固定，并且该存储器件通过当施加沿存储层和磁化固定层的堆叠方向流动的写入电流时改变存储层的磁化方向，来将数据存储在存储层中；以及电压控制单元，通过使用由两个以上的独立脉冲序列而构成的写入电压，而将由两个以上的独立脉冲序列构成的写入电流提供给该存储器件。
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