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公开(公告)号：CN106796941A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201580045723.6
申请日：2015-08-28
申请人： 索尼半导体解决方案公司
摘要： 本发明涉及如下的固体摄像器件、摄像装置、电子设备和半导体装置：它们能够使用简单的方法来防止填充在基板与倒装芯片电气连接的部位中的底部填充树脂溢出，并且还能够防止例如电气短路及与加工装备的接触等二次损害。通过利用用于形成片上透镜的成型技术，以围绕着透镜材质层的经由焊料凸块连接有倒装芯片的范围的方式来形成环形或方形的堤坝，所述透镜材质层被设置于固体摄像器件的基板的顶层上且是为了形成所述片上透镜而被提供的。因此，该堤坝能够阻挡填充在基板与倒装芯片电气连接的范围内的底部填充树脂。本发明能够应用到固体摄像器件。
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公开(公告)号：CN107949911B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN201680042936.8
申请日：2016-10-14
申请人： 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/374 , G02B3/00 , H01L31/0232 , H01L31/107 , H04N5/357 , H04N5/369
摘要： 根据本发明，能够提高具有SPAD的固态摄像元件中的检查效率，在SPAD中在中心部分布置有电极和配线。根据本发明的固态摄像元件设置有光电二极管和光聚集部。光电二极管包括光接收表面和布置在所述光接收表面上的电极，并且在所述电极施加有超过击穿电压的电压的状态下，所述光电二极管输出根据入射到所述光接收表面上的光的电信号。所述光聚集部使来自被摄体的光聚集到除了布置有所述电极的区域之外的所述光接收表面。
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公开(公告)号：CN107924929A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680045598.3
申请日：2016-09-05
申请人： 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L31/10 , H01L31/107 , H04N5/369
CPC分类号： H01L27/1462 , H01L27/14607 , H01L27/1461 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14647 , H01L27/14685 , H01L31/10 , H01L31/107 , H04N5/374
摘要： 本技术涉及：能够防止雪崩光电二极管的光接收灵敏度降低的固体摄像器件；电子设备；以及固体摄像器件的制造方法。这个固体摄像器件设置有：雪崩光电二极管，所述雪崩光电二极管包括第一导电类型的第一区域、第二导电类型的第二区域和雪崩区域，所述第二导电类型与所述第一导电类型不同，所述雪崩区域夹在所述第一区域与所述第二区域之间，且所述第一区域、所述第二区域和所述雪崩区域沿半导体基板的厚度方向延伸；以及膜，所述膜被形成在所述半导体基板的至少一侧上，且所述膜包括金属氧化物膜、金属氮化物膜、或金属氧化物膜和金属氮化物膜的混合晶体系膜。例如，本技术可以被应用到CMOS图像传感器。
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公开(公告)号：CN107924929B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN201680045598.3
申请日：2016-09-05
申请人： 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L31/10 , H01L31/107 , H04N5/369
摘要： 本技术涉及：能够防止雪崩光电二极管的光接收灵敏度降低的固体摄像器件；电子设备；以及固体摄像器件的制造方法。这个固体摄像器件设置有：雪崩光电二极管，所述雪崩光电二极管包括第一导电类型的第一区域、第二导电类型的第二区域和雪崩区域，所述第二导电类型与所述第一导电类型不同，所述雪崩区域夹在所述第一区域与所述第二区域之间，且所述第一区域、所述第二区域和所述雪崩区域沿半导体基板的厚度方向延伸；以及膜，所述膜被形成在所述半导体基板的至少一侧上，且所述膜包括金属氧化物膜、金属氮化物膜、或金属氧化物膜和金属氮化物膜的混合晶体系膜。例如，本技术可以被应用到CMOS图像传感器。
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公开(公告)号：CN107949911A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201680042936.8
申请日：2016-10-14
申请人： 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/374 , G02B3/00 , H01L31/0232 , H01L31/107 , H04N5/357 , H04N5/369
CPC分类号： H01L27/14627 , G02B3/00 , H01L27/14 , H01L27/146 , H01L27/14603 , H01L27/14629 , H01L31/022408 , H01L31/02327 , H01L31/107 , H04N5/359 , H04N5/374
摘要： 根据本发明，能够提高具有SPAD的固态摄像元件中的检查效率，在SPAD中在中心部分布置有电极和配线。根据本发明的固态摄像元件设置有光电二极管和光聚集部。光电二极管包括光接收表面和布置在所述光接收表面上的电极，并且在所述电极施加有超过击穿电压的电压的状态下，所述光电二极管输出根据入射到所述光接收表面上的光的电信号。所述光聚集部使来自被摄体的光聚集到除了布置有所述电极的区域之外的所述光接收表面。
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公开(公告)号：CN115692444A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211272583.4
申请日：2016-10-14
申请人： 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L31/0232 , H01L31/107 , H04N25/60 , H04N25/70 , H04N25/76
摘要： 根据本发明，能够提高在低照度环境中的灵敏度和分辨率。根据本发明的固态摄像元件设置有第一像素，其包含第一光电二极管，在施加有超过击穿电压的电压的状态下，所述第一光电二极管输出与入射至所述第一光电二极管上的光相对应的电信号；和第二像素，其包含第二光电二极管和滤色器，所述第二光电二极管输出与入射至所述第二光电二极管上的光相对应的电信号，且不同于所述第一光电二极管，其中，所述第一像素和所述第二像素以二维阵列形式布置，且每一所述第一像素设置在相邻的所述第二像素之间，其中，由所述第一像素和所述第二像素形成的2*2矩阵中包含一个或两个所述第一像素。
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公开(公告)号：CN106796941B
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN201580045723.6
申请日：2015-08-28
申请人： 索尼半导体解决方案公司
摘要： 本发明涉及如下的固体摄像器件、摄像装置、电子设备和半导体装置：它们能够使用简单的方法来防止填充在基板与倒装芯片电气连接的部位中的底部填充树脂溢出，并且还能够防止例如电气短路及与加工装备的接触等二次损害。通过利用用于形成片上透镜的成型技术，以围绕着透镜材质层的经由焊料凸块连接有倒装芯片的范围的方式来形成环形或方形的堤坝，所述透镜材质层被设置于固体摄像器件的基板的顶层上且是为了形成所述片上透镜而被提供的。因此，该堤坝能够阻挡填充在基板与倒装芯片电气连接的范围内的底部填充树脂。本发明能够应用到固体摄像器件。
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