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公开(公告)号：CN118198091A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410013952.0
申请日：2019-06-13
申请人： 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H01L27/146 , H04N25/76 , H04N25/60 , H04N25/62
摘要： 提供了一种针对电荷保持部具有优异遮光性的光检测装置。该光检测装置包括：半导体基板，其将第一方向作为厚度方向，并且包括由平面指数表示的第一晶面，所述第一晶面沿着垂直于所述第一方向的水平面延伸，所述半导体基板具有作为光接收表面的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；光电转换部，其设置在所述半导体基板中；以及遮光部，其包括水平遮光部和垂直遮光部，其中，所述水平遮光部在所述第一方向上位于所述光电转换部和所述第二表面之间并且沿着所述水平面延伸，其中，所述水平遮光部包括绝缘材料，所述垂直遮光部垂直于所述水平遮光部且延伸到所述第一表面，所述遮光部还用作使彼此相邻的所述光电转换部分离的第一元件分离部。
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公开(公告)号：CN112970114A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201980070792.0
申请日：2019-10-23
申请人： 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/369
摘要： 本公开涉及构造为能够提高减少串扰的效果的摄像元件、制造方法以及电子设备。本发明包括：沟槽部，其设置在半导体基板的光接收表面侧，在半导体基板上形成有对入射到其上的光进行光电转换的光电转换部，沟槽部设置在多个光电转换部之间；以及在沟槽部的一部分中的突出部，突出部至少设置有相对于所述沟槽部的侧面倾斜的倾斜面，以加宽所述沟槽部的间隙。本发明可以例如应用于背面照射型固态摄像元件。
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公开(公告)号：CN118173565A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410015857.4
申请日：2019-06-13
申请人： 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H01L27/146 , H04N25/62 , H04N25/628 , H04N25/70
摘要： 提供了一种针对电荷保持部具有优异遮光性的光检测装置。该光检测装置包括：半导体基板，其将第一方向作为厚度方向，并且包括由平面指数表示的第一晶面，所述第一晶面沿着垂直于所述第一方向的水平面延伸；光电转换部，其设置在所述半导体基板中；第一导电型区域，其设置在所述半导体基板中；以及遮光部，其包括水平遮光部和垂直遮光部，其中，所述水平遮光部在所述第一方向上位于所述光电转换部和所述第一导电型区域之间并且沿着所述水平面延伸，其中，所述水平遮光部包括绝缘材料，且其中，所述垂直遮光部垂直于所述水平遮光部。
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公开(公告)号：CN112119503B
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN201980032346.0
申请日：2019-06-13
申请人： 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H01L27/146 , H04N25/62 , H04N25/628 , H04N25/70
摘要： 提供了一种针对电荷保持部具有优异遮光性的摄像装置。该摄像装置具有：Si{111}基板，其沿水平面延伸；光电转换部，其设置在所述Si{111}基板中并且通过光电转换产生与光接收量相对应的电荷；电荷保持部，其设置在所述Si{111}基板中并且保持从所述光电转换部传输的电荷；遮光部，其在厚度方向上位于所述光电转换部和所述电荷保持部之间，且具有沿着水平面延伸的水平遮光部和垂直于所述水平遮光部的垂直遮光部。这里，所述水平遮光部包括：第一表面，其垂直于所述厚度方向且沿着所述Si{111}基板的第一晶面布置，所述第一晶面由平面指数{111}表示；和第二表面，其相对于所述厚度方向倾斜且沿着所述Si{111}基板的第二晶面布置，所述第二晶面由平面指数{111}表示。
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公开(公告)号：CN112119503A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201980032346.0
申请日：2019-06-13
申请人： 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/359 , H04N5/369
摘要： 提供了一种针对电荷保持部具有优异遮光性的摄像装置。该摄像装置具有：Si{111}基板，其沿水平面延伸；光电转换部，其设置在所述Si{111}基板中并且通过光电转换产生与光接收量相对应的电荷；电荷保持部，其设置在所述Si{111}基板中并且保持从所述光电转换部传输的电荷；遮光部，其在厚度方向上位于所述光电转换部和所述电荷保持部之间，且具有沿着水平面延伸的水平遮光部和垂直于所述水平遮光部的垂直遮光部。这里，所述水平遮光部包括：第一表面，其垂直于所述厚度方向且沿着所述Si{111}基板的第一晶面布置，所述第一晶面由平面指数{111}表示；和第二表面，其相对于所述厚度方向倾斜且沿着所述Si{111}基板的第二晶面布置，所述第二晶面由平面指数{111}表示。
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公开(公告)号：CN109155325A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201880002008.8
申请日：2018-03-20
申请人： 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L31/107 , H04N5/225 , H04N5/369
摘要： [目的]为了实现像素的小型化、噪声的减小和高量子效率，以及在抑制像素间干扰和各像素差异的同时提高短波灵敏度。[方案]根据本发明，提出一种摄像装置，其包括：第一半导体层，其形成在半导体基板上；第二半导体层，其形成在第一半导体层上且具有与第一半导体层的导电类型相反的导电类型；像素分隔部，其限定包括第一半导体层和第二半导体层的像素区域；第一电极，其从半导体基板的一个表面侧连接至第一半导体层；和第二电极，其从作为半导体基板的另一表面的光照射面侧连接至第二半导体层，并且被形成为与像素分隔单元的位置对应。
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公开(公告)号：CN109155325B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN201880002008.8
申请日：2018-03-20
申请人： 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L31/107
摘要： [目的]为了实现像素的小型化、噪声的减小和高量子效率，以及在抑制像素间干扰和各像素差异的同时提高短波灵敏度。[方案]根据本发明，提出一种摄像装置，其包括：第一半导体层，其形成在半导体基板上；第二半导体层，其形成在第一半导体层上且具有与第一半导体层的导电类型相反的导电类型；像素分隔部，其限定包括第一半导体层和第二半导体层的像素区域；第一电极，其从半导体基板的一个表面侧连接至第一半导体层；和第二电极，其从作为半导体基板的另一表面的光照射面侧连接至第二半导体层，并且被形成为与像素分隔单元的位置对应。
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公开(公告)号：CN111279484A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201880070103.1
申请日：2018-10-26
申请人： 索尼半导体解决方案公司
摘要： 本技术涉及能够抑制暗电流特性的劣化的固态成像装置和电子设备。本发明设有：光电转换部，其执行光电转换；沟槽，其在深度方向上贯通半导体基板，并且形成在各自形成于彼此相邻的像素中的所述光电转换部之间；和作为所述沟槽的侧壁的一部分的PN结区域，所述PN结区域包括P型区域和N型区域。所述P型区域具有突出到所述N型区域的下侧的区域。本发明还设有：具有pn结的无机光电转换部和具有有机光电转换膜的有机光电转换部，所述无机光电转换部和有机光电转换部在同一像素内从受光面侧沿深度方向层叠；和作为所述无机光电转换部的侧壁的一部分的PN结区域，所述PN结区域包括P型区域和N型区域。此外，本发明还设有：光电转换部，其执行光电转换；沟槽，其在未贯通半导体基板的情况下挖入到所述半导体基板中；作为所述沟槽的侧壁的一部分的PN结区域，所述PN结区域包括第一P型区域和N型区域；和在所述光电转换部的受光面侧的第二P型区域。例如，本技术可以适用于背面照射型CMOS图像传感器。
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公开(公告)号：CN111279484B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN201880070103.1
申请日：2018-10-26
申请人： 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/22 , H01L21/76 , H01L31/10 , H04N25/63 , H04N25/70 , H04N25/76 , H04N25/77 , H04N25/78 , H04N25/779
摘要： 本技术涉及能够抑制暗电流特性的劣化的固态成像装置和电子设备。本发明设有：光电转换部，其执行光电转换；沟槽，其在深度方向上贯通半导体基板，并且形成在各自形成于彼此相邻的像素中的所述光电转换部之间；和作为所述沟槽的侧壁的一部分的PN结区域，所述PN结区域包括P型区域和N型区域。所述P型区域具有突出到所述N型区域的下侧的区域。本发明还设有：具有pn结的无机光电转换部和具有有机光电转换膜的有机光电转换部，所述无机光电转换部和有机光电转换部在同一像素内从受光面侧沿深度方向层叠；和作为所述无机光电转换部的侧壁的一部分的PN结区域，所述PN结区域包括P型区域和N型区域。此外，本发明还设有：光电转换部，其执行光电转换；沟槽，其在未贯通半导体基板的情况下挖入到所述半导体基板中；作为所述沟槽的侧壁的一部分的PN结区域，所述PN结区域包括第一P型区域和N型区域；和在所述光电转换部的受光面侧的第二P型区域。例如，本技术可以适用于背面照射型CMOS图像传感器。
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