半导体装置、制造半导体装置的方法和电子设备

    公开(公告)号:CN110476228A

    公开(公告)日:2019-11-19

    申请号:CN201880021861.4

    申请日:2018-02-15

    摘要: [目的]为了使半导体装置的可靠性进一步提高。[解决方案]提供一种半导体装置,其包括堆叠的多个衬底,每个衬底包括半导体衬底和堆叠在半导体衬底上的多层配线层,该半导体衬底具有形成在其上的具有预定功能的电路。多个衬底中的至少两个衬底之间的结合表面具有其中形成在各自结合表面上的电极彼此直接接触地连接的电极连接结构,该电极连接结构为用于该两个衬底之间电连接的结构。在该两个衬底的至少一个中,构成电极连接结构的电极或用于连接电极至多层配线层中的配线的过孔的至少一个在导电材料和填充有导电材料的通孔的侧壁之间的至少部分区域中设置有多孔膜,该多孔膜包括多孔材料,该导电材料构成电极和过孔。

    半导体装置、制造半导体装置的方法和电子设备

    公开(公告)号:CN110476228B

    公开(公告)日:2024-01-16

    申请号:CN201880021861.4

    申请日:2018-02-15

    摘要: [目的]为了使半导体装置的可靠性进一步提高。[解决方案]提供一种半导体装置,其包括堆叠的多个衬底,每个衬底包括半导体衬底和堆叠在半导体衬底上的多层配线层,该半导体衬底具有形成在其上的具有预定功能的电路。多个衬底中的至少两个衬底之间的结合表面具有其中形成在各自结合表面上的电极彼此直接接触地连接的电极连接结构,该电极连接结构为用于该两个衬底之间电连接的结构。在该两个衬底的至少一个中,构成电极连接结构的电极或用于连接电极至多层配线层中的配线的过孔的至少一个在导电材料和填充有导电材料的通孔的侧壁之

    成像装置、电子设备和制造方法
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114270517A

    公开(公告)日:2022-04-01

    申请号:CN202080059478.5

    申请日:2020-08-27

    摘要: 本公开涉及一种能够降低制造成本的成像装置、电子设备和制造方法。所述成像装置包括:第一半导体元件,其包括被构造为生成像素信号的成像元件;和第二半导体元件,在其中通过埋入构件埋入被构造为处理所述像素信号的第一信号处电路和第二信号处理电路,其中第一信号处理电路具有比第二信号处理电路多至少一层的结构。所述成像装置还包括:连接第一半导体元件和第一信号处理电路的第一配线;和连接第一信号处理电路和第二信号处理电路的第二配线。本公开可以适用于成像装置。